徐秋霞，1942年出生，浙江省餘姚市人。中國科學院微電子研究所研究員，博士生導師，中國科學院研究生院教授。
基本介紹
人物簡介,獲獎和論著,參選院士,承擔科研項目情況,
人物簡介
中國科學院微電子研究所學術委員會和學位委員會委員。多次被評為先進工作者, 享受國務院頒發的政府特殊津貼。目前從事下一代積體電路新技術、新結構和新材料的研究及其器件套用。Senior Member of IEEE。
1966年畢業於浙江大學無線電系半導體材料與器件製造專業；1996年5月—10月作為高級訪問學者與美國加州大學伯克萊分校Chenming Hu教授合作研究成功套用於0.2µm CMOS技術的Ti-矽化物工藝技術；1997年至2000年承擔國家九五重大科技攻關專題 “0.1微米級CMOS器件結構及性能研究”，為專題負責人，取得創新性重大成果，在國內率先研製成功性能優良的70納米CMOS器件及柵長為100納米的57級CMOS環形振盪器電路，器件性能和環形振盪器速度達到當時國際上同類工藝技術的先進水平。研究開發了8項新穎的、具有實用價值的工藝模組，並在關鍵技術突破的基礎上在國內首次研製成功了性能優良的柵長 27納米 CMOS器件和CMOS 32分頻器電路，研製完成的柵長 27納米CMOS器件在指標方面已與國際同類先進研究成果具有同步性。
獲獎和論著
獲2004年北京市科學技術一等獎。並獲2005年國家技術發明二等獎。從1979年到現在，共獲得中科院科技進步獎11次，其中3次為一等獎；
獲國家科技進步二等獎和國家技術發明二等獎各一次；
獲北京市科學技術一等獎和二等獎各一次。
在國內外一級學術刊物及國內外學術會議上共發表論文90餘篇。以第一發明人申請發明專利11項，均被受理，其中6項發明專利己獲授權。作為合作發明人申請發明專利7項，其中1項發明專利己獲授權。
參選院士
徐秋霞是2017年中國工程院信息與電子工程學部院士增選的有效候選人
承擔科研項目情況
(1)1978年至1983年作為主要技術骨幹，分別參與國家科技攻關項目NMOS 4K DRAM、16K DRAM和64K DRAM研製。
(2)1983年底至1985年作為訪問學者，在西德佛朗霍夫固體技術研究所從事SOI MOS工藝及器件研究。
(3)1986年至1990年為項目負責人，承擔院重大科技項目“1-1.5μm新工藝和新器件結構的探索性研究”。
(4)1989年作為室技術副主任，副研究員，負責開發“VDMOS功率器件生產技術和系列產品開發”。
(5)1991年至1994年，研究員，室主任，負責包括雙極、CMOS、BiCMOS、VDMOS和感測器等多種技術的生產線的開發。
(6)1994年至1996年，研究員，攀登計畫課題負責人, 負責”真空微電子器件研究”。
(7)1994年至1996年，研究員，作為主要技術骨幹，在國家八·五重大科技攻關項目中負責關鍵技術及集成技術研究。
(8)1996年5月—10月作為高級訪問學者與美國加州大學伯克萊分校Chenming Hu教授合作研究套用於0.2µm CMOS技術的矽化物工藝技術。
(9)1997年至2000年 “九·五”期間，研究員，作為專題負責人，負責國家九·五重大科技攻關專題 “0.1微米級CMOS器件結構及性能研究”；同時負責國家九·五重大科技攻關專題中0.18—0.25微米CMOS 集成技術研究及其實用電路研製。
(10)2001年至2005年“十五”期間，研究員，為多課題負責人，負責“973”國家重點基礎研究 課題“亞50納米器件的關鍵工藝技術基礎研究和器件製備”及“863”課題“0.09微米積體電路大生產工藝與可製造性技術研究”的子課題“0.07微米CMOS關鍵技術及器件研究”和3項國家自然科學基金項目：1） “0.1µm難熔金屬柵CMOS器件的研究”； 2） “凹槽自對準雙柵MOS器件研究”；3）“納米級自對準雙柵MOS器件結構和工藝研究”。
(11)2006年-現在，研究員，為多課題負責人：負責“973”國家重點基礎研究 課題“新一代集成技術基礎問題研究”和2項國家自然科學基金項目：1）“亞50納米金屬柵體矽多柵CMOS器件及關鍵技術研究”； 2）“高k柵介質/雙金屬柵器件研究及製備”。還有一項院獎勵創新課題和一項所基金課題。
