《CMOS積體電路抗輻射加固設計要求》是2022年7月1日即將實施的一項中國國家標準。
《CMOS積體電路抗輻射加固設計要求》是2022年7月1日即將實施的一項中國國家標準。編制進程2021年12月31日，《CMOS積體電路抗輻射加固設計要求》發布。2022年7月1日，《CMOS積體電路抗輻射加固設計要求》...
2.3.3模擬積體電路抗輻射加固的考慮 2.3.4關鍵參數的初步設計 2.4雙極放大器模組加固設計 2.4.1差分輸入級加固 2.4.2放大級加固 2.4.3電流基準源加固 第3章MOS器件的輻射效應及其加固方法 3.1 MOS器件參數和材料的輻射效應 3.1.1 CMOS器件的閂鎖效應 3.1.2 MOSFET電晶體的輻射效應 3.1.3氧化層...
本項目的研究將突破65納米以下工藝節點的抗輻射加固基礎，為我國研製GHz高性能抗輻照積體電路尤其是微處理器設計提供直接的理論依據和指導。結題摘要 抗輻射加固是宇航積體電路的關鍵技術之一。本項目面向65納米以下CMOS工藝節點，針對單粒子效應和總劑量效應展開研究。在輻射試驗技術方面，首次提出了單粒子多瞬態測試結構並...
基於構建的65nm體矽CMOS工藝抗輻射設計加固技術平台,國內同行即可快速研製出滿足中、高軌空間套用要求的抗輻射晶片,極大的提高了抗輻射積體電路的研製效率。研究成果促進了國內宇航用器件研製水平的躍升,對於打破國際技術壁壘,保障我國宇航用核心器件自主可控具有極其重要的戰略意義。 [1]...
本書首先介紹輻射環境、輻射相互作用物理過程及若干種輻射效應； 接下來，本書詳細介紹積體電路抗輻射加固設計方法學，包括單粒子閂鎖加固策略及測試、輻射加固器件的SPICE模型、抗輻射單元庫設計、自動綜合的抗輻射數字電路設計、模擬和混合信號電路加固設計等； 最後，本書介紹積體電路輻射效應仿真、單粒子效應的脈衝雷射...
在進行電子系統的抗輻射設計時，首先要了解其輻射環境及其輻射效應，根據系統要達到的性能要求，確定其輻射環境及其輻射效應，根據系統要達到的性能要求，確定其輻射容限和失效判據，建立或運用現有的子系統模型，進行輻射易損性和敏感性的輻射模擬試驗分析或計算機模擬分析，然後根據平衡加固的原則，對系統進行設計。整個...
管間距對兩種現象的LET閾值的影響。實驗可以讓學生全面掌握積體電路在不同層次的設計方法。課程目標 (1) 掌握MOS電晶體的器件結構與電學特性.(2) 掌握MOS電晶體的SPICE仿真 (3) 掌握SRAM存儲單元的工作原理與SPICE仿真方法 (4) 掌握器件級SRAM單元的抗輻射仿真方法 (5) 掌握SRAM存儲單元的版圖設 計方法 ...
本書可作為高等理工院校電子、通信、計算機等專業高年級本科生及碩士研究生教材，也可供從事CMOS積體電路設計工作的科研人員參考。圖書目錄 第1章 積體電路設計概論 1.1積體電路（IC）的發展 1.2IC的設計要求 1.3IC的分類及其製造工藝 1.3.1IC的分類 1.3.2IC的製造工藝 1.4電子設計自動化（EDA）技術的發展...
6.4.3 納米晶體存儲器（NCM）與浮柵（FG）存儲器的抗輻射特性108 6.5 結論110 參考文獻111 第7章 抗TID效應和SEE的SRAM抗輻射加固技術118 7.1 概述118 7.1.1 積體電路設計中的嵌入式SRAM118 7.1.2 空間輻射環境及其影響118 7.2 抗輻射加固設計（RHBD）119 7.2.1 總電離劑量...
4.7.1中子注量加固 4.7.2對瞬時輻射加固技術 4.8雙極數字電路 4.9雙極模擬電路 4.9.1運算放大器 4.9.2比較器 4.9.3穩壓電源 第5章抗輻射MOS積體電路設計 5.1MOS積體電路的基本製造工藝 5.2材料及工藝加固技術 5.2.1單晶矽材料 5.2.2外延層材料 5.2.3SOS和SOI材料 5.2.4SOICMOS電路特點 5....
在長期的設計過程中，已經積累了很多標準的通用單元，比如選擇器（也叫多路器，可以從多個輸入數據中選一個輸出）、比較器（用於比較兩個數的大小）、加法器、乘法器、移位暫存器等等，這些單元電路形狀規則，便於集成（這也是數字電路在積體電路中得到更好的發展的原因）。這些單元按設計要求連線在一起，形成數據通路...
結合使用了CMOSedu.com（提供了許多計算機輔助設計工具的套用案例）的線上資源 詳細討論了鎖相環和延遲鎖相環、混合信號電路、數據轉換器以及電路噪聲 給出實際工藝參數、設計規則和版圖實例 給出上百個設計實例、相關討論以及章後習題 揭示了電晶體級設計中所需要考慮的各方面要求 《CMOS積體電路設計手冊》討論了CMOS...
《CMOS數字積體電路設計》是2016年機械工業出版社出版的圖書，作者是(美)查爾斯.霍金斯（Charles Hawkins）。內容簡介 本書重點介紹CMOS數字電子電路，讀者不必具有模擬電子電路的先驗知識。書中融合了作者在學術界及工業界的經驗，並提供大量例題，使讀者更好地將書中內容與工程實踐結合。半導體材料、二極體的物理性質和...
加固措施 為抵禦核輻射影響，電連線器採取的加固措施有：（1）利用金屬外殼限止電磁輻射進入或泄漏出電連線器;（2）在電連線器的每一個插針上裝一個∏型濾波器，用於濾去外來的脈衝信號；（3）在結構設計上，要儘量減小視窗，提高配合精度；（4）在外殼表面上鍍一層能較好禁止電磁干擾的鍍層；（5）插頭與插座連線...
雙極-CMOS積體電路(BiCMOS)（2）高速BiCMOS電路製作工藝和微細加工技術的特殊考慮 (1)雙阱結構中的阱結構尺寸及其埋層 對BiCMOS電路來說，需要仔細研究CMOS阱和BJT器件的集電極的工藝要求。一個主要的工藝設計折衷方案涉及到外延層和阱的輪廓特性。對於BJT器件，一方面集電極-發射極之間的反向擊穿電壓U（BR）CEO、集電...
我們發現，新的自旋電流電導滿足電荷不變和規範不變性的要求，從而發現了自旋堆積和自旋內勢在自旋交流輸運的重要性，首先提出了自旋交流電導以及自旋電容的概念，並研究了電荷電容和自旋電容對交流輸運的影響，取得了初步成果。在基於納米尺度CMOS工藝的單片微波/毫米波積體電路的設計工作上，把左右手傳輸線模型引入到...
《CMOS射頻積體電路設計（第二版）》是2012年8月電子工業出版社出版的圖書，作者是余志平、周潤德。內容簡介 這本被譽為射頻積體電路設計的指南書全面深入地介紹了設計千兆赫茲（GHz）CMOS射頻積體電路的細節。本書首先簡要介紹了無線電發展史和無線系統原理；在回顧積體電路元件特性、MOS器件物理和模型、RLC串並聯和其他...
《cmos射頻積體電路設計》是2019年8月西安電子科技大學出版社出版的圖書，作者是段吉海，該書不僅作為積體電路領域的研究生教材，同時還可作為本學科領域的本科高年級學生教材，除此之外，還可以作為業界工程技術人員的技術資料和培訓教材。內容簡介 本書以無線射頻收發前端為套用目標，首先介紹射頻積體電路設計必需的基本...
互補式金屬氧化物半導體（簡稱互補式金氧半；英語：ComplementaryMetal-Oxide-Semiconductor，縮寫：CMOS）乃是一種積體電路的設計工藝，可以在矽質晶圓模板上制出NMOS（n-type MOSFET）和PMOS（p-type MOSFET）的基本元件，由於NMOS與PMOS在物理特性上為互補性，因此被稱為CMOS。此一般的工藝上，可用來製作電腦電器的...
本項目面向抗輻射高速A/D數據轉換器的設計需求，聯合國防科學技術大學微電子與微處理器研究所、中國電子科技集團公司第二十四研究所模擬積體電路國防重點實驗室，開展了MOS工藝輻照效應機理、積體電路軟錯誤評估方法、抗輻射加固單元庫設計、數據轉換器的抗加固設計、數字校正關鍵技術、測試技術和輻照試驗技術的研究，以基礎...
