半導體量子阱雷射器

半導體量子阱雷射器是利用量子阱結構中電子的特性製成的半導體雷射器。量子阱結構指當一層超薄層（厚度約為電子的德布羅意波長）的窄帶隙半導體材料被夾在寬頻隙材料之間而形成雙異質結構時，夾層窄帶隙材料中的電子在垂直異質結界面方向的運動就猶如處於一個方形導帶電子勢阱之中，其在垂直壁方向的運動呈波動性。