量子阱異質結雷射器（quantum well heterojunction laser）是1993年經全國科學技術名詞審定委員會審定發布的電子學名詞。
基本介紹
- 中文名：量子阱異質結雷射器
- 外文名：quantum well heterojunction laser
- 所屬學科：電子學
- 台灣名：量子井異質接面雷射器
- 公布時間：1993年
公布時間,出處,
公布時間
1993年經全國科學技術名詞審定委員會審定發布的電子學名詞。
出處
《電子學名詞》
量子阱異質結雷射器（quantum well heterojunction laser）是1993年經全國科學技術名詞審定委員會審定發布的電子學名詞。
量子阱異質結雷射器（quantum well heterojunction laser）是1993年經全國科學技術名詞審定委員會審定發布的電子學名詞。公布時間 1993年經全國科學技術名詞審定委員會...
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中國科學院半導體研究所牛智川研究員團隊深入研究銻化物半導體材料的基礎物理、異質結低維材料外延生長和光電器件的製備技術等，突破了銻化物量子阱雷射器的刻蝕與鈍化...
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下面我們具體來看看幾種常用的半導體雷射模組的套用:量子阱半導體大功率雷射器在精密機械零件的雷射加工方面有重要套用，同時也成為固體雷射器最理想的、高效率泵浦光源...
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4.2 半導體雷射器構型 73 4.2.1 異質結雷射器 73 4.2.2 分布反饋雷射器 77 4.2.3 級聯量子阱雷射器 83 4.2.4 可突破衍射極限的半導體雷射器 88 4....
9.2.4 半導體雷射器的速率方程及其穩態解 9.3 半導體雷射器有源區對載流子和光子的限制 9.3.1 異質結半導體雷射器 9.3.2 量子阱雷射器 9.3.3 光約束...
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異質結半導體雷射器、半導體雷射器的性能、半導體中的光吸收和光探測器；其餘4章是依據半導體光電子學的最新進展而編寫的，包括低維量子半導體材料、半導體光放大器（...
2、GaAs基近紅外低維材料和器件：發明N等離子源真空控制、突破GaInAsNSb異質結材料生長技術難題，研製成功1.3-1.5微米GaInAsN/GaAs量子阱雷射器。提出In組分線性...
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2.3 半導體雷射器 2.3.1 半導體雷射器分類 2.3.2 異質結雷射器 2.3.3 分布反饋雷射器（DFB-LD）2.3.4 量子阱雷射器 2.3.5 矽基半導體雷射器 2.4...
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