銻化物半導體量子阱雷射器是一種量子阱雷射器。
2019年,中國科學家研製出新型銻化物半導體量子阱雷射器。
銻化物半導體量子阱雷射器是一種量子阱雷射器。
2019年,中國科學家研製出新型銻化物半導體量子阱雷射器。
銻化物半導體量子阱雷射器是一種量子阱雷射器。2019年,中國科學家研製出新型銻化物半導體量子阱雷射器。...
量子阱雷射器是有源層非常薄,而產生量子尺寸效應的異質結半導體雷射器。根據有源區內阱的數目可分為單量子阱和多量子阱雷射器。量子阱雷射器在閾值電流、溫度特性...
中國科學院半導體研究所牛智川研究員團隊深入研究銻化物半導體材料的基礎物理、異質結低維材料外延生長和光電器件的製備技術等,突破了銻化物量子阱雷射器的刻蝕與鈍化...
中國科學院半導體研究所牛智川研究員團隊深入研究銻化物半導體材料的基礎物理、異質結低維材料外延生長和光電器件的製備技術等,突破了銻化物量子阱雷射器的刻蝕與鈍化...
中國科學院半導體研究所牛智川研究員團隊深入研究銻化物半導體材料的基礎物理、異質結低維材料外延生長和光電器件的製備技術等,突破了銻化物量子阱雷射器的刻蝕與鈍化...
中國科學院半導體研究所牛智川研究員團隊深入研究銻化物半導體材料的基礎物理、異質結低維材料外延生長和光電器件的製備技術等,突破了銻化物量子阱雷射器的刻蝕與鈍化...
從事中紅外銻化物半導體材料低維結構的MOCVD生長研究及其光電特性研究;2001年-2003年在新加坡南洋理工大學從事大功率半導體量子阱雷射器陣列結構的MOCVD生長和器件研究...
從事中紅外銻化物半導體材料低維結構的MOCVD生長研究及其光電特性研究;2001年-2003年在新加坡南洋理工大學從事大功率半導體量子阱雷射器陣列結構的MOCVD生長和器件研究...
2002年至2003年在日本北海道大學電子科學研究所作訪問學者,用新的金屬有機物源研究和生長發光波長為1.55mm的GaInNAs/GaAs 量子阱雷射器。...