基本介紹
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微電子技術與光電子技術緊密結合，相互滲透，必將推進信息技術及相關的高新技術進入新的發展階段。本書共分為9章，從技術基礎和實際套用的角度出發，著重對微電子與光電子集成技術相關的工藝基礎、基本原理和關鍵集成技術進行了詳細闡述。
內容提要
主要內容包括光發射器件、光電探測器、光波導器件、光電子專用積體電路、矽基光電子集成迴路、甚短距離光傳輸技術以及微電子與光電子混合集成技術等。
微電子與光電子集成技術的實用化進程，必將為21世紀科學技術的發展作出重大貢獻。然而，微電子與光電子集成技術是信息技術發展的一個嶄新方向，雖然各項關鍵技術的發展取得了一定的進步，但還存在諸多難題需要進一步解決和完善。
目錄
第1章 概述
1.1 微電子技術簡介
1.1.1 雙極型微電子技術簡介
1.1.2 MOS微電子技術簡介
1.1.3 Bi-CMOS微電子技術簡介
1.1.4 SOI微電子技術簡介
1.2 光電子技術簡介
1.2.1 光發射器件簡介
1.2.2 光接收器件簡介
1.2.3 光波導器件簡介
1.2.4 太陽能電池
1.2.5 電子圖像顯示器件
1.3 工藝與製備
1.3.1 MBE工藝
1.3.2 MOCVD工藝
1.3.3 氧化
1.3.4 化學氣相沉積（CVD）
1.3.5 刻蝕
1.3.6 光學光刻
1.3.7 離子注入
1.3.8 金屬化
1.4 微電子與光電子集成技術簡介
參考文獻
第2章 光發射器件及集成技術
2.1 光發射器件理論基礎
2.1.1 晶體結構
2.1.2 能帶結構
2.1.3 雜質能級
2.1.4 半導體發光基礎理論
2.2 光發射二極體
2.2.1 概述
2.2.2 半導體光發射二極體的基本結構
2.2.3 發光二極體性質
2.2.4 矽基光發射二極體
2.3 半導體雷射器
2.3.1 半導體雷射器分類
2.3.2 異質結雷射器
2.3.3 分布反饋雷射器（DFB-LD）
2.3.4 量子阱雷射器
2.3.5 矽基半導體雷射器
2.4 垂直腔面發射雷射器（VCSEL）
2.4.1 VCSEL的理論分析
2.4.2 VCSEL的總體結構設計
2.4.3 VCSEL中反射鏡的設計
2.4.4 VCSEL光腔的設計
2.4.5 幾種典型的VCSEL結構及其製作工藝
參考文獻
第3章 光接收器件及集成技術
3.1 光電探測器理論基礎
3.1.1 半導體中的光吸收
3.1.2 光生載流子
3.2 光電探測器性能參數
3.2.1 量子效率和回響度
3.2.2 頻率回響
3.2.3 噪聲和探測度
3.3 基於Ⅲ-Ⅴ族半導體材料的光電探測器
3.3.1 PIN型光電探測器
3.3.2 APD光電探測器
3.3.3 MSM光電探測器
3.3.4 GaN基紫外光電探測器
3.4 基於矽基雙極型工藝的光電探測器
3.4.1 與標準雙極工藝兼容的集成光電探測器
3.4.2 修改雙極工藝條件下的集成光電探測器
3.5 基於矽基CMOS工藝的集成光電探測器
3.5.1 基於標準CMOS工藝的集成光電探測器
3.5.2 定製CMOS工藝下的PIN光電探測器
3.5.3 BiCMOS工藝下集成光電探測器
3.6 鍺矽光電探測器
3.7 光電探測器陣列
參考文獻
第4章 光波導器件及集成技術
4.1 光傳輸的理論概述
4.1.1 線光學理論
4.1.2 電磁場理論基礎
4.2 光波導基本結構
4.3 SOI光波導
4.3.1 SOI光波導結構
4.3.2 光波導的折射率及損耗係數
4.3.3 矽光波導中損耗的分類
4.3.4 矽中的光調製機制
4.4 光波導器件製作技術
4.4.1 SOI基片的製備
4.4.2 SOI波導工藝特點簡介
4.5 矽基電光調製器件簡介
4.5.1 矽基電光調製器分類
4.5.2 光相位調製器
參考文獻
第5章 光電子專用積體電路
第6章 矽基光電子集成迴路
第7章 甚短距離光傳輸模組及相關技術
第8章 微電子與光電子混合集成技術
第9章 微電子與光電子集成技術展望
附錄A 縮略語
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