半導體式雷射器是指用電注人或光激發等方式使電子受激輻射躍遷(產生雷射)的半導體器件。可用作中、長距離高速光纖通信系統的光源。雷射的特點是受激輻射發出的光的全部特性與激發光完全相同。為了使半導體雷射器發射雷射,要求將大量非平衡載流注入並限制在有源區以形成粒子數反轉分布,使載流子在該區域內受激複合發光。
半導體式雷射器是指用電注人或光激發等方式使電子受激輻射躍遷(產生雷射)的半導體器件。可用作中、長距離高速光纖通信系統的光源。雷射的特點是受激輻射發出的光的全部特性與激發光完全相同。為了使半導體雷射器發射雷射,要求將大量非平衡載流注入並限制在有源區以形成粒子數反轉分布,使載流子在該區域內受激複合發光。
電注入式半導體雷射器,一般是由砷化鎵(GaAs)、硫化鎘(CdS)、磷化銦(InP)、硫化鋅(ZnS)等材料製成的半導體面結型二極體,沿正向偏壓注入電流進行激勵,在結平面區域產生受激發射。光泵式半導體雷射器,一般用N型或P型半導體單晶(...
半導體式雷射器是指用電注人或光激發等方式使電子受激輻射躍遷(產生雷射)的半導體器件。可用作中、長距離高速光纖通信系統的光源。雷射的特點是受激輻射發出的光的全部特性與激發光完全相同。為了使半導體雷射器發射雷射,要求將大量非平衡...
半導體型雷射器是用半導體材料作為工作物質的雷射器。由於物質結構上的差異,不同種類產生雷射的具體過程比較特殊。常用工作物質有砷化鎵(GaAs)、硫化鎘(CdS)、磷化銦(InP)、硫化鋅(ZnS)等。激勵方式有電注入、電子束激勵和光泵浦三種形式...
因此可以說,沒有半導體雷射器的出現,就沒有當今的光通信。雙異質結雷射器是光纖通信和大氣通信的重要光源,如今,凡是長距離、大容量的光信息傳輸系統無不都採用分布反饋式半導體雷射器(DFB一LD),半導體雷射器也廣泛地套用於光碟技術...
半導體雷射器的模式是雷射器光學諧振腔中穩定的光場分布方式。光場在光腔的三個方向上必須滿足諧振條件,即形成駐波分布。垂直於PN結方向的分布稱為垂直橫模,平行於PN結方向的稱為側向橫模,而沿著光軸方向形成的一系列駐波稱縱模。中文...
電注入式半導體雷射器,一般是由砷化鎵(GaAs)、硫化鎘(CdS)、磷化銦(InP)、硫化鋅(ZnS)等等材料製成的半導體面結型二極體,沿正向偏壓注入電流進行激勵,在結平面區域產生受激發射。光泵式半導體雷射器,一般用N型或P型半導體單晶(...
又稱p-n junction laser,半導體結型二極體雷射器。是較成熟、較常用的一類半導體雷射器,於1962年首次研製成功。結構及原理 編輯 它的主體是一個正向偏置的p-n結,當電流密度超過閾值時,注入載流子(電子和空穴)在p-n結結區通過受激...
1970年採用雙異質結的GaAs-GaAlAs注入式半導體雷射器實現了室溫連續工作。與此同時,貝爾實驗室H.利戈尼克等發現在周期結構中可由反向布喇格散射提供反饋,可以代替解理面。在實驗中,最初是把這種結構用於染料雷射器,1973年開始用於半導體...
1962年R.N.霍耳等人創製了砷化鎵半導體雷射器。以後,雷射器的種類就越來越多。按工作介質分,雷射器可分為氣體雷射器、固體雷射器、半導體雷射器和染料雷射器4大類。近來還發展了自由電子雷射器,大功率雷射器通常都是脈衝式輸出。歷史...
半導體雷射材料半導體雷射器 編輯 半導體雷射器又稱雷射二極體,是用半導體材料作為工作物質的雷射器。由於物質結構上的差異,不同種類產生雷射的具體過程比較特殊。常用工作物質有砷化鎵(GaAs)、硫化鎘(CdS)、磷化銦(InP)、硫化鋅(ZnS)等。
研製單位 長春理工大學 項目簡介 高功率半導體雷射器的研製是“八五”、“九五”國防科工委重點項目之一,也是國防十六項關鍵技術中光電技術的關鍵技術。在國內首次實現高功率InGaAs/GaAs量子阱雷射器的運轉,1—3W的雷射器件的工作壽命可達...
也能使半導體光電器件的工作波長突破材料禁頻寬度的限制擴展到更寬的範圍。工業套用 工業雷射設備如:雷射打標機、鐳雕機、雷射雕刻機、雷射劃片機等常用的端面泵浦雷射器一般都是採用波長為532nm以及808nm的半導體端面泵浦雷射器。
《半導體雷射器原理》是2004年兵器工業出版社出版的圖書,作者是杜寶勛。作者 杜寶勛 著 ISBN 9787801722782 定價 32 出版社 兵器工業出版社 出版時間 2004-8-1 作品信息半導體雷射器原理,ISBN:9787801722782,作者:杜寶勛[...
半導體可飽和吸收體(SESAM)技術出現於1992年,現已廣泛地套用於固體雷射器和光纖雷射器,以實現短脈衝或超短脈衝。SESAM的基本結構就是把反射鏡與吸收體結合在一起。底層一般為半導體反射鏡,其上生長一層半導體可飽和吸收體薄膜,最上層...
常用的雷射器 下面僅是其中最常用和最有代表性的幾種分別為:紅寶石雷射器 這是人們最早研製成功而到今仍被經常採用的一種固體雷射器。其工作物質為紅寶石晶體,化學表示式為Al2O3:Cr3+,是將作為發光中心的三價鉻離子(Cr3+)摻...
《半導體雷射器基礎》是2002年科學出版社出版的圖書,作者是(日)棲原敏明。內容簡介 該書對與雷射原理有關的量子論基礎進行歸納,對半導體及其量子結構中受激發射的原理與特性,以及半導體光波導的原理與特性進行了說明。圖書目錄 第1章...
半導體量子阱雷射器是利用量子阱結構中電子的特性製成的半導體雷射器。量子阱結構指當一層超薄層(厚度約為電子的德布羅意波長)的窄帶隙半導體材料被夾在寬頻隙材料之間而形成雙異質結構時,夾層窄帶隙材料中的電子在垂直異質結界面方向的...
泵浦源也是採用體積小、易於模組化的半導體雷射器,商業化產品一般可帶尾纖輸出,結合光纖布拉格光柵等光纖化的器件,只要將這些器件相互熔接即可實現全光纖化,對環境擾動免疫能力高,具有很高的穩定性,可節省維護時間和費用。類型 一、...
雙異質結雷射器是光纖通信和大氣通信的重要光源,如今,凡是長距離、大容量的光信息傳輸系統無不都採用分布反饋式半導體雷射模組(DFB一LD).半導體雷射模組也廣泛地套用於光碟技術中,光碟技術是集計算技術、雷射技術和數字通信技術於一體的...
半導體雷射二極體也指半導體雷射器或者雷射二極體。半導體雷射二極體(LD)是一種用來構建光通信系統的與光纖配套使用的雷射器,它能直接作為光通信用光源,也可以作為雷射器、放大器的泵浦源,在雷射工程研究領域有著十分重要的地位。它具有...
5kw半導體雷射器 5kw半導體雷射器是一種用於機械工程領域的科學儀器,於2014年10月8日啟用。技術指標 5kw半導體雷射器,波長978nm,最大輸出功率5kw,工作距離350mm,光斑大小16mm*2mm。主要功能 主要用於雷射表面強化、雷射熔覆等。
可調諧半導體雷射器系統 可調諧半導體雷射器系統是一種用於物理學領域的分析儀器,於2016年3月23日啟用。技術指標 794.8nm,90mW,20GHz。主要功能 可調諧超窄線寬半導體雷射光源。
《半導體雷射器測試方法》是2015年8月1日實施的一項中國國家標準。編制進程 2015年2月4日,《半導體雷射器測試方法》發布。2015年8月1日,《半導體雷射器測試方法》實施。起草工作 主要起草單位:西安炬光科技有限公司、中國科學院西安...
即電注入式,光泵式和高能電子束激勵式.電注入式半導體雷射器,一般是由GaAS(砷化鎵),InAS(砷化銦),Insb(銻化銦)等材料製成的半導體面結型二極體,沿正向偏壓注入電流進行激勵,在結平面區域產生受激發射.光泵式半導體雷射器,一般用N型...
單脈衝雷射器編輯 本詞條缺少信息欄、概述圖,補充相關內容使詞條更完整,還能快速升級,趕緊來編輯吧!中文名稱 單脈衝雷射器 英文名稱 single pulse laser 定義 雷射脈衝輸出的間隔相對較長且無規律的脈衝雷射器。 套用學科 機械工程(...
砷化鎵雷射器具有近紅外高重複頻率和峰值功率較高的特點。和所有半導體雷射器一樣還具有體積小,耗能少和壽命長的優點 。中文名 砷化鎵雷射器 類型 半導體雷射器 類別 雷射器 用途 光信息傳輸和信息處理 ...
分布反饋式雷射器(Distributed-feedback laser,DFB-LD)是不採用解理面或拋光面來實現產生雷射所必須的反饋作用的一種雷射器,而是把半導體雷射二極體的波導製作成折射率周期性變化的皺摺結構來實現反饋的雷射器。
可調諧半導體雷射吸收光譜 主要部件 可調諧半導體雷射器,常用於TDLAS技術的可調諧半導體雷射器包括:法珀(Fabry-Perot)雷射器、分布反饋式(Distributed Feedback)半導體雷射器、分布布喇格反射(Distributed Bragg reflector)雷射器、垂直腔...