《半導體雷射器基礎》是2002年科學出版社出版的圖書，作者是(日)棲原敏明。
《半導體雷射器基礎》是2002年科學出版社出版的圖書，作者是(日)棲原敏明。內容簡介 該書對與雷射原理有關的量子論基礎進行歸納，對半導體及其量子結構中受激發射的原理與特性，以及半導體光波導的原理與特性進行了說明。圖書目錄 第1章...
半導體雷射器封裝技術大都是在分立器件封裝技術基礎上發展與演變而來的，但卻有很大的特殊性。一般情況下，分立器件的管芯被密封在封裝體內，封裝的作用主要是保護管芯和完成電氣互連。而半導體雷射器封裝則是完成輸出電信號，保護管芯正常...
半導體型雷射器是用半導體材料作為工作物質的雷射器。由於物質結構上的差異，不同種類產生雷射的具體過程比較特殊。常用工作物質有砷化鎵(GaAs)、硫化鎘(CdS)、磷化銦(InP)、硫化鋅(ZnS)等。激勵方式有電注入、電子束激勵和光泵浦三種形式...
半導體式雷射器是指用電注人或光激發等方式使電子受激輻射躍遷（產生雷射）的半導體器件。可用作中、長距離高速光纖通信系統的光源。雷射的特點是受激輻射發出的光的全部特性與激發光完全相同。為了使半導體雷射器發射雷射，要求將大量非...
消除雷射套用中的科學技術障礙。並把高功率二極體雷射器和二極體泵浦固體雷射器作為新-代雷射器研究的基礎。德國在1994-1997年之間成功實行的“半導體雷射器的革新系統”計畫,使德國從二極體雷射器的研製到大功率半導體雷射器的禍合輸出再到...
半導體雷射器的模式是雷射器光學諧振腔中穩定的光場分布方式。光場在光腔的三個方向上必須滿足諧振條件，即形成駐波分布。垂直於PN結方向的分布稱為垂直橫模，平行於PN結方向的稱為側向橫模，而沿著光軸方向形成的一系列駐波稱縱模。模式...
DFB雷射器主要以半導體材料為介質，包括銻化鎵(GaSb)、砷化鎵（GaAs）、磷化銦(InP)、硫化鋅(ZnS)等。DFB雷射器最大特點是具有非常好的單色性（即光譜純度），它的線寬普遍可以做到1MHz以內，以及具有非常高的邊模抑制比（SMSR），可...
半導體分布反饋雷射器是採用折射率周期變化的結構實現諧振腔反饋功能的半導體雷射器。這種雷射器不僅使半導體雷射器的某些性能（如模式、溫度係數等）獲得改善，而且由於它採用平面工藝，在集成光路中便於與其他元件耦合和集成。GaAs－GaAlAs分布...
像晶體二極體一樣，半導體雷射模組也以材料的p-n結特性為基礎，且外觀亦與前者類似，因此，半導體雷射模組常被稱為二極體雷射器或雷射二極體。 早期的雷射二極體有很多實際限制，例如，只能在77K低溫下以微秒脈衝工作，過了8年多時間...
該類型的雷射器利用輸出固定波長的半導體雷射器代替了傳統的氪燈或氙燈來對雷射晶體進行泵浦，從而取得了嶄新的發展，被稱為第二代的雷射器。這是一種高效率、長壽命、光束質量高、穩定性好、結構緊湊小型化的第二代新型固體雷射器，已...
980nm紅外半導體雷射器是一種照明儀器。980nm紅外半導體雷射器在照明領域中套用的最大優勢在於雷射具有極高的發光效率和發光強度，半導體雷射的光電轉換效率最高可達80%，大大的降低能耗，增加照明距離。其中，980nm紅外半導體雷射器可輕易...
材料科學的發展使我們能採用能帶工程對半導體材料的能帶進行各種精巧的裁剪，使之能滿足我們的各種需要並為我們做更多的事情，也能使半導體光電器件的工作波長突破材料禁頻寬度的限制擴展到更寬的範圍。工業套用 工業雷射設備如：雷射打標機...
5kw半導體雷射器 5kw半導體雷射器是一種用於機械工程領域的科學儀器，於2014年10月8日啟用。技術指標 5kw半導體雷射器，波長978nm，最大輸出功率5kw，工作距離350mm，光斑大小16mm*2mm。主要功能 主要用於雷射表面強化、雷射熔覆等。
窄帶隙有源區夾在寬頻隙半導體材料中間或交替重疊的半導體雷射器 量子阱(QW)半導體雷射器是一種窄帶隙有源區夾在寬頻隙半導體材料中間或交替重疊的半導體雷射器,是極有發展前途的一種雷射器。QW雷射器的結構與一般的雙異質結雷射器的...
《半導體雷射器速率方程理論（上冊）》是2016年科學出版社出版的圖書，作者是郭長志。內容簡介 速率方程理論是從微觀唯象觀點，以唯象參數為工具，以粒子數守恆為依據的速率方程為分析手段的半導體雷射器件物理理論，從全局上揭示半導體雷射器...
1958年A.L.肖洛和C.H.湯斯把微波量子放大器原理推廣套用到光頻範圍，1960年T.H.梅曼等人製成了第一台紅寶石雷射器。1961年A.賈文等人製成了氦氖雷射器。1962年R.N.霍耳等人創製了砷化鎵半導體雷射器。以後，雷射器的種類就越來...
30年代開始的對半導體基本物理特性（如能帶結構、電子躍遷過程等）的研究，特別是對半導體光學性質的研究為半導體光電子器件的發展奠定了物理基礎。1962年，R.N.霍耳和M.I.內森研製成功注入型半導體雷射器，解決了高效率的光信息載波源，...
《GaN基外腔可調諧半導體雷射器研究》是依託廈門大學，由呂雪芹擔任項目負責人的青年科學基金項目。項目摘要 GaN基外腔可調諧半導體雷射器是在傳統邊發射雷射器基礎上發展起來的一種新型光電器件，具有線寬窄、波長可調、可鎖模實現超短脈衝...
《GaN基垂直腔面發射雷射器基礎研究》是依託廈門大學，由張保平擔任項目負責人的聯合基金項目。項目摘要 氮化鎵(GaN)基半導體垂直腔面發射雷射器(VCSEL)在雷射顯示、列印、生物醫療、照明、通信以及高密度光存儲等領域有著重要套用，但其...
《半導體雷射器總規範》是2015年8月1日實施的一項中國國家標準。編制進程 2015年2月4日，《半導體雷射器總規範》發布。2015年8月1日，《半導體雷射器總規範》實施。起草工作 主要起草單位：西安炬光科技有限公司、中國科學院西安光學精密...
2019年，中國科學家研製出新型銻化物半導體量子阱雷射器。在國家973計畫、國家自然科學基金委重大項目等支持下，中國科學院半導體研究所牛智川研究員團隊深入研究銻化物半導體材料的基礎物理、異質結低維材料外延生長和光電器件的製備技術等，...
高功率半導體雷射器是長春理工大學研製的產品。項目簡介 高功率半導體雷射器的研製是“八五”、“九五”國防科工委重點項目之一，也是國防十六項關鍵技術中光電技術的關鍵技術。在國內首次實現高功率InGaAs/GaAs量子阱雷射器的運轉，1—3W的...
0W。並在國際上首次實現了遂道級聯雷射器的基模激射，製備了垂直發散解為17度的器件。將此機理套用到高效高亮度發光管，在小電流下得到高亮度。在研究中，積累了材料生長、後工藝製作的經驗，鍛練了科研隊伍，為今後的工作奠定了基礎。
《半導體雷射器雷射波導模式理論（下）》是2015年科學出版社出版的圖書，作者是郭長志。內容簡介 本書系統討論了緩變光波導結構與其光模式的空間和頻譜分布的關係及其控制作用和設計。並討論了分布反饋方式的水平腔和垂直腔光波導結構與其光...
半導體雷射器原理 《半導體雷射器原理》是2004年兵器工業出版社出版的圖書，作者是杜寶勛 。
子帶間量子級聯雷射器的理論和設計，其真正優點和局限性。扼要介紹全量子理論的量子光學和自發發射等理論問題。目錄信息 總序 引言 第1章半導體及其低維結構能帶理論 1.1能帶論的基礎 1.1.1單電子能帶模型的三個基本近似 1.1.2晶格...
即量子力學和半導體物理；光傳輸的電磁場理論、光在各向異性介質中的傳輸、光波導理論和耦合模理論；半導體中的光學過程、半導體雷射器基礎和先進半導體雷射器； 半導體雷射器的直接調製、電光調製器、聲光調製器和電吸收調製器； 光的探測...
