《半導體雷射器基礎》是2002年科學出版社出版的圖書，作者是(日)棲原敏明。
半導體雷射器封裝技術大都是在分立器件封裝技術基礎上發展與演變而來的，但卻有很大的特殊性。一般情況下，分立器件的管芯被密封在封裝體內，封裝的作用主要是保護管芯和完成電氣互連。而半導體雷射器封裝則是完成輸出電信號，保護管芯正常工作、輸出可見光的功能。既有電參數，又有光參數的設計及技術要求，無法簡單地...
《半導體雷射器基礎》是2002年科學出版社出版的圖書，作者是(日)棲原敏明。內容簡介 該書對與雷射原理有關的量子論基礎進行歸納，對半導體及其量子結構中受激發射的原理與特性，以及半導體光波導的原理與特性進行了說明。圖書目錄 第1章 概述 第2章 電子與光子的相互作用 第3章 半導體中的受激發射與光放大增益...
半導體型雷射器是用半導體材料作為工作物質的雷射器。由於物質結構上的差異，不同種類產生雷射的具體過程比較特殊。常用工作物質有砷化鎵(GaAs)、硫化鎘(CdS)、磷化銦(InP)、硫化鋅(ZnS)等。激勵方式有電注入、電子束激勵和光泵浦三種形式。可分為同質結、單異質結、雙異質結等幾種。同質結雷射器和單異質結雷射器...
半導體式雷射器是指用電注人或光激發等方式使電子受激輻射躍遷（產生雷射）的半導體器件。可用作中、長距離高速光纖通信系統的光源。雷射的特點是受激輻射發出的光的全部特性與激發光完全相同。為了使半導體雷射器發射雷射，要求將大量非平衡載流注入並限制在有源區以形成粒子數反轉分布，使載流子在該區域內受激複合...
半導體雷射器的模式是雷射器光學諧振腔中穩定的光場分布方式。光場在光腔的三個方向上必須滿足諧振條件，即形成駐波分布。垂直於PN結方向的分布稱為垂直橫模，平行於PN結方向的稱為側向橫模，而沿著光軸方向形成的一系列駐波稱縱模。模式結構 雷射器的模式結構可從光譜測量和近場觀察中看出。縱模是光譜的主要結構,雷射...
利用光反饋與半導體雷射器-起構成複合腔半導體雷射器(CCSL),在這種情況下,光反饋影響輸出雷射的特性取決於很多因素,包括雷射器的反射端面到反射器的距離,雷射器輸出的功率大小和光反饋強度。發展 隨著社會的不斷發展進步,人類己經步入了嶄新的資訊時代,信息技術也隨之成為當今全球性的戰略技術。以光電子和微電子為基礎...
像晶體二極體一樣，半導體雷射模組也以材料的p-n結特性為基礎，且外觀亦與前者類似，因此，半導體雷射模組常被稱為二極體雷射器或雷射二極體。 早期的雷射二極體有很多實際限制，例如，只能在77K低溫下以微秒脈衝工作，過了8年多時間，才由貝爾實驗室和列寧格勒（聖彼得堡）約飛（Ioffe）物理研究所製造出能在室溫...
半導體分布反饋雷射器是採用折射率周期變化的結構實現諧振腔反饋功能的半導體雷射器。這種雷射器不僅使半導體雷射器的某些性能（如模式、溫度係數等）獲得改善，而且由於它採用平面工藝，在集成光路中便於與其他元件耦合和集成。GaAs－GaAlAs分布反饋雷射器已實現室溫連續工作，閾值3.4×103安/厘米2(320K)。282K下得到的...
也是一種高效率、長壽命、光束質量高、穩定性好、結構緊湊小型化的第二代新型固體雷射器，已在空間通訊，光纖通信，大氣研究，環境科學，醫療器械，光學圖象處理，雷射印表機等高科技領域有著獨具特色的套用前景。簡介 該類型的雷射器利用輸出固定波長的半導體雷射器代替了傳統的氪燈或氙燈來對雷射晶體進行泵浦，從而取得...
窄帶隙有源區夾在寬頻隙半導體材料中間或交替重疊的半導體雷射器 量子阱(QW)半導體雷射器是一種窄帶隙有源區夾在寬頻隙半導體材料中間或交替重疊的半導體雷射器,是極有發展前途的一種雷射器。QW雷射器的結構與一般的雙異質結雷射器的結構相似,只是有源區厚度極薄。當有源區厚度值極小時,有源區與相臨層的能帶會...
半導體端面泵浦雷射器，分為側面泵浦雷射器和端面泵浦雷射器兩種，在雷射打標、雷射微加工、雷射印刷、雷射顯示技術、雷射醫學和科研等領域都有廣泛的用途，具有很大的市場潛力 儀器簡介 半導體雷射器可分為側面泵浦雷射器和端面泵浦雷射器兩種。相對於側面泵浦方式，端面泵浦的效率較高。這是因為,在泵浦雷射模式不太差的...
《GaN基垂直腔面發射雷射器基礎研究》是依託廈門大學，由張保平擔任項目負責人的聯合基金項目。項目摘要 氮化鎵(GaN)基半導體垂直腔面發射雷射器(VCSEL)在雷射顯示、列印、生物醫療、照明、通信以及高密度光存儲等領域有著重要套用，但其研製上困難極大，至今只有少數幾家研究單位實現了電注入激射。目前仍然面臨諧振腔內部...
雷射器——能發射雷射的裝置。1954年製成了第一台微波量子放大器，獲得了高度相干的微波束。1958年A.L.肖洛和C.H.湯斯把微波量子放大器原理推廣套用到光頻範圍，1960年T.H.梅曼等人製成了第一台紅寶石雷射器。1961年A.賈文等人製成了氦氖雷射器。1962年R.N.霍耳等人創製了砷化鎵半導體雷射器。以後，雷射器...
9.1 半導體雷射器物理基礎 9.1.1 半導體的能帶結構和電子狀態 9.1.2 半導體中載流子的分布與複合發光 9.1.3 PN結 9.1.4 半導體雷射材料 9.2 半導體雷射器的工作原理 9.2.1 半導體雷射器受激發光條件 9.2.2 半導體雷射器有源介質的增益係數 9.2.3 閾值條件 9.2.4 半導體雷射器的速率方程及其穩態...
9.1 半導體雷射器物理基礎 9.1.1 半導體的能帶結構和電子狀態 9.1.2 半導體中載流子的分布與複合發光 9.1.3 PN結 9.1.4 半導體雷射材料 9.2 半導體雷射器的工作原理 9.2.1 半導體雷射器受激發光條件 9.2.2 半導體雷射器有源介質的增益係數 9.2.3 閾值條件 9.2.4 半導體雷射器的速率方程及其穩態...
半導體量子阱雷射器是利用量子阱結構中電子的特性製成的半導體雷射器。量子阱結構指當一層超薄層(厚度約為電子的德布羅意波長)的窄帶隙半導體材料被夾在寬頻隙材料之間而形成雙異質結構時,夾層窄帶隙材料中的電子在垂直異質結界面方向的運動就猶如處於一個方形導帶電子勢阱之中,其在垂直壁方向的運動呈波動性。 [1]...
這一思想原型為量子級聯雷射器的萌芽，但由於本身結構的設計缺陷以及材料生長技術的限制，這一思想並未在當時產生太大的漣漪。隨著卓以和等人在材料生長技術（分子束外延技術）取得突破，以及 CapassoF.等人在結構設計理論上的發展，為量子級聯雷射器的誕生奠定了基礎。世界上第一支量子級聯雷射器誕生於 1994 年的貝爾...
30年代開始的對半導體基本物理特性（如能帶結構、電子躍遷過程等）的研究，特別是對半導體光學性質的研究為半導體光電子器件的發展奠定了物理基礎。1962年，R.N.霍耳和M.I.內森研製成功注入型半導體雷射器，解決了高效率的光信息載波源，擴展了光電子學的套用範圍，光電子器件因而得到迅速發展。分類 分為三大類：①...
《光通信用半導體雷射器》是2019年化學工業出版社出版的圖書，作者是（美）大衛·J.克洛斯金(David J.Klotzkin) 。編輯推薦 當前光網路和光纖到戶的極速發展，一本針對此領域的工具書非常有必要。本譯著包括光通信基礎、雷射器基礎、半導體雷射器的基礎、材料、設計、工作、特性以及調製等方面的簡介，甚至還有工藝...
《半導體雷射器速率方程理論（上冊）》是2016年科學出版社出版的圖書，作者是郭長志。內容簡介 速率方程理論是從微觀唯象觀點，以唯象參數為工具，以粒子數守恆為依據的速率方程為分析手段的半導體雷射器件物理理論，從全局上揭示半導體雷射器的激射閾值相變、模式的競爭、譜繫結構等靜態行為和激射延遲、過沖、振盪過渡等...
除了光電探測器外，還有與它類似的用半導體製成的粒子探測器。半導體發光二極體 半導體發光二極體的結構是一個PN結，它正向通電流時，注入的少數載流子靠複合而發光。它可以發出綠光、黃光、紅光和紅外線等。所用的材料有 GaP、GaAs、GaAs1-xPx、Ga1-xAlxAs、In1-xGaxAs1-yPy等。半導體雷射器 如果使高效率的...
《半導體雷射器總規範》是2015年8月1日實施的一項中國國家標準。編制進程 2015年2月4日，《半導體雷射器總規範》發布。2015年8月1日，《半導體雷射器總規範》實施。起草工作 主要起草單位：西安炬光科技有限公司、中國科學院西安光學精密機械研究所、中國科學院半導體研究所、北京國科世紀雷射技術有限公司、武漢華工...
半導體泵浦固體雷射（英語：Diode Pump Solid State Laser，DPSS Laser），是一種新型雷射器，套用層面比較廣，近年在國際上發展很快。半導體泵浦固體雷射的雷射器利用半導體雷射器輸出固定波長的雷射作為泵浦源，替代了以往用氪燈或氙燈泵浦雷射晶體，並且它們通常出現在綠色和其他顏色等的雷射筆中。優點 DPSS雷射是一種...
2019年，中國科學家研製出新型銻化物半導體量子阱雷射器。在國家973計畫、國家自然科學基金委重大項目等支持下，中國科學院半導體研究所牛智川研究員團隊深入研究銻化物半導體材料的基礎物理、異質結低維材料外延生長和光電器件的製備技術等，突破了銻化物量子阱雷射器的刻蝕與鈍化等核心工藝技術。在此基礎上，研究團隊...
從而使半導體能帶出現了與塊狀半導體完全不同的形狀與結構。在此基礎上，根據需要，通過改變超薄層的應變數使能帶結構發生變化，發展起來了應變數子阱結構。這種所謂“能帶工程”賦予半導體雷射器以新的生命力，其器件性能出現大的飛躍。具有量子阱結構的量子阱半導體雷射器與雙異質結半導體雷射器(DH)相比，具有閾值電流...
2，斜率效率達到2.4W/A,2A工作電流下功率達4.0W。並在國際上首次實現了遂道級聯雷射器的基模激射，製備了垂直發散解為17度的器件。將此機理套用到高效高亮度發光管，在小電流下得到高亮度。在研究中，積累了材料生長、後工藝製作的經驗，鍛練了科研隊伍，為今後的工作奠定了基礎。
全書共15章， 主要內容包括： 光子器件的理論基礎， 即量子力學和半導體物理；光傳輸的電磁場理論、光在各向異性介質中的傳輸、光波導理論和耦合模理論；半導體中的光學過程、半導體雷射器基礎和先進半導體雷射器； 半導體雷射器的直接調製、電光調製器、聲光調製器和電吸收調製器； 光的探測和太陽能電池。圖書內容 本...
