量子阱(QW)半導體雷射器是一種窄帶隙有源區夾在寬頻隙半導體材料中間或交替重疊的半導體雷射器,是極有發展前途的一種雷射器。QW雷射器的結構與一般的雙異質結雷射器的結構相似,只是有源區厚度極薄。當有源區厚度值極小時,有源區與相臨層的能帶會產生不連續現象,即有源區的異質結上出現導帶和價帶的突變,使窄帶隙的有源區為導帶中的電子和價帶中的空穴創造了一個勢能阱,從而帶來了優越的性能,其名也由此而來。
量子阱(QW)半導體雷射器是一種窄帶隙有源區夾在寬頻隙半導體材料中間或交替重疊的半導體雷射器,是極有發展前途的一種雷射器。QW雷射器的結構與一般的雙異質結雷射器的結構相似,只是有源區厚度極薄。當有源區厚度值極小時,有源區與相臨層的能帶會產生不連續現象,即有源區的異質結上出現導帶和價帶的突變,使窄帶隙的有源區為導帶中的電子和價帶中的空穴創造了一個勢能阱,從而帶來了優越的性能,其名也由此而來。
量子阱(QW)半導體雷射器是一種窄帶隙有源區夾在寬頻隙半導體材料中間或交替重疊的半導體雷射器,是極有發展前途的一種雷射器。QW雷射器的結構與一般的雙異質結...
量子阱雷射器是有源層非常薄,而產生量子尺寸效應的異質結半導體雷射器。根據有源區內阱的數目可分為單量子阱和多量子阱雷射器。量子阱雷射器在閾值電流、溫度特性...
半導體量子阱(Semiconductor quantum wells)是指兩種半導體材料按三明治樣式生長成的結構。以AlAs和GaAs兩種材料生長成的半導體量子阱為例,三明治結構的兩邊是由AIAs層...
半導體雷射器又稱雷射二極體,是用半導體材料作為工作物質的雷射器。由於物質結構上的差異,不同種類產生雷射的具體過程比較特殊。常用工作物質有砷化鎵(GaAs)、硫化鎘(...
銻化物半導體量子阱雷射器是一種量子阱雷射器。2019年,中國科學家研製出新型銻化物半導體量子阱雷射器。...
在使用材料方面,有鎵(Ga)、砷(As)、銦(In)、磷(P)等。此外在多量子阱型中,也使用Ga·Al·As等。半導體雷射模組 由於具有條狀結構,即使是微小電流也會增加...
半導體雷射模組,又稱“半導體雷射模組”,是成熟較早、進展較快的一類雷射器。由於它的波長範圍寬,製作簡單、成本低、易於大量生產,並且由於體積小、重量輕、壽命長...
量子級聯雷射器(Quantum Cascade Laser)是一種能夠發射光譜在中紅外和遠紅外頻段雷射的半導體雷射器。它是由貝爾實驗室哲羅姆·菲斯特、費德里科·卡帕索等人於1994年...
量子物理學 目錄 1 概念說明 2 材料構成 多量子阱概念說明 編輯 在研製半導體量子阱雷射器時,為了提高激射效率,有源區可用多量子阱。但量子阱數目太多,又會降低...
半導體泵浦固體雷射器(Diode Pump Solid State Laser),是一種用半導體固體雷射材料作為工作物質的新型雷射器。半導體泵浦固體雷射器近年來國際上發展很快,套用也非常...
有源層為多個量子阱,整體結構為分離限制異質結構的半導體雷射二極體。 套用學科 材料科學技術(一級學科),半導體材料(二級學科),半導體微結構材料及器件(三級學科) ...
雷射器是利用受激輻射原理使光在某些受激發的物質中放大或振盪發射的器件。2019年,中國科學院半導體研究所牛智川研究員團隊創新設計金屬光柵側向耦合分布反饋(LC-DFB)...
《半導體雷射器電子能帶結構和光增益的量子理論》是2016年科學出版社出版的圖書,作者是郭長志。...
研製單位長春理工大學項目簡介高功率半導體雷射器的研製是“八五”、“九五”國防科工委重點項目之一,也是國防十六項關鍵技術中光電技術的關鍵技術。在國內首次實現高...
8.3 量子阱紅外探測器8.3.1 光躍遷的基本特性8.3.2 光電耦合8.3.3 暗電流和...9.3.1 掩埋式異質結構半導體雷射器9.3.2 量子級聯雷射器參考文獻...
半導體量子阱結構(Semiconductor quantum wells)是指兩種半導體材料按三明治樣式生長成的結構。以AlAs和GaAs兩種材料生長成的半導體量子阱為例,三明治結構的兩邊是由AIAs...
DPSSL英文全稱為Diode Pump Solid State Laser,即二極體泵浦固體雷射器,是近年來國際上發展最快,套用較廣的新型雷射器。該類型的雷射器利用輸出固定波長的半導體雷射...
他領導的課題組在III-V族的光電子器件的MOCVD外延生長研究和器件工程化中取得了突出的成績和貢獻,在國內率先研製成功實用化1.3mm半導體量子阱雷射器,DVD用650nm...
[4]大功率InGaAsP/GaAs量子阱半導體雷射器的直流和噪聲性質,中國雷射,35 (8), 2008:1144-1148.[5]雷射二極體1/f噪聲峰及其產生機理的研究,光電子雷射,19(9)...
雖然我國有關單位做出很大努力,跟蹤世界潮流,取得了量子阱半導體材料與器件技術的突破,分布反饋(DFB)半導體雷射器等先進器件的實驗室水平也有很大提高,但由於投入的...