半導體雷射器電子能帶結構和光增益的量子理論

內容簡介

本書討論了達到設計所需精度的量子阱、量子線、和量子點的電子能帶和能級的量子理論和設計計算,帶間和子帶間光躍遷幾率和光增益的半徑典量子理論和設計,應變效應及其對各維能帶結構的影響、溫度效應T0問題的物理機制，特別是俄歇複合的量子理論及其克服方案和設計,量子阱間耦合、載流子落入和逃逸時間的理論和設計。子帶間量子級聯雷射器的理論和設計，其真正優點和局限性。扼要介紹全量子理論的量子光學和自發發射等理論問題。

目錄信息

總序

引言

第1章半導體及其低維結構能帶理論

1.1能帶論的基礎

1.1.1單電子能帶模型的三個基本近似

1.1.2晶格周期性的作用

1.1.3晶格電子能譜及其表述方式

1.1.4能帶結構的計算

1.2有效質量分析與k·p微擾論

1.2.1有效質量分析

1.2.2k·p微擾論的有限個能帶模型

1.2.3凱恩簡併四帶模型，有自旋一軌道相互作用的k·p法

1.2.4拉廷格—科恩簡併價帶k·p微擾論

1.2.5應變對能帶結構的影響

1.2.6GaN的能帶結構

1.3非均勻半導體—半導體異質結構

1.3.1模型固體理論

1.3.2包絡函式理論和有效質量方程

1.3.3半導體量子阱的能帶結構

1.3.4量子阱的子帶結構

1.3.5多阱結構和阱間耦合

1.3.6任意一維勢能場中的電子包絡態——傳播矩陣法

1.3.7空間電荷分布對能帶結構的影響

第2章半導體能帶之間的躍遷

2.1電子和光子的能態密度及其統計占據率

2.1.1電子能帶的態密度

2.1.2半導體量子點中的三維諧振子模型

2.1.3光子能態密度——大光腔情況

2.1.4電子和光子在多能級系統上的統計分布

2.1.5體半導體中載流子濃度及其費米能級的確定

2.1.6半導體量子阱中的載流子濃度及其費米能級的確定

2.2半導體中的光躍遷

2.2.1微觀唯象理論

2.2.2三種基本光躍遷速率之間的關係

2.3光躍遷的量子力學

2.3.1光躍遷幾率

2.3.2半導體帶間光吸收和光增益

半導體雷射器電子能帶結構和光增益的量子理論

基本介紹

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