基本介紹
- 中文名:多量子阱
- 外文名:multiple quantum well
- 套用學科:量子力學
- 適用領域範圍:量子物理學
多量子阱(multiple quantum well)是指多個量子阱組合在一起的系統。就材料結構和生長過程而言,多量子阱和超晶格沒有實質差別,僅在於超晶格勢壘層比較薄,勢阱之間...
中文名稱 隱埋多量子阱 英文名稱 buried multiple quantum well 定義 由多量子阱組成有源層,在垂直和平行量子阱的方向上均被寬頻隙材料有效地包圍所形成的低維...
半導體量子阱(Semiconductor quantum wells)是指兩種半導體材料按三明治樣式生長成的結構。以AlAs和GaAs兩種材料生長成的半導體量子阱為例,三明治結構的兩邊是由AIAs層...
量子阱雪崩光電二極體,QW-APD(Quantum Well APD): 這是雪崩光電二極體(APD)的一種改進結構的新型器件。因為要降低APD的噪音和提高增益-頻寬積,就要求i型區中電子...
半導體量子阱結構(Semiconductor quantum wells)是指兩種半導體材料按三明治樣式生長成的結構。以AlAs和GaAs兩種材料生長成的半導體量子阱為例,三明治結構的兩邊是由AIAs...
如果超晶格是由兩種具有不同帶隙的半導體材料構成,每個量子阱都會形成新的選擇定則影響電荷在此結構中的運動。這兩種半導體材料是交替的以一定的周期沿著特定的生長...
目前,Zcd和6cd單量子阱GaN藍色和綠色 LED已進入大批量生產階段,從而填補了市場上藍色LED多年的空白。以發光效率為標誌的LED發展歷程見圖3。藍色發光器件在高密度...
“體材料和多量子阱電吸收調製器仿真軟體的研究與開發” 加拿大Apollo公司產品開發前期研究項目:“氮化物量子阱材料中電子特性有關物理模型的研究” 加拿大Apollo公司...
組分調製超晶格的能帶圖與多量子阱類似,惟一的區別是超晶格中由於勢壘層厚度小於電子的德布羅意(de Broglie)波長,相鄰勢阱中的電子波函式發生交疊,因而多量子阱的...
(2)國家自然科學基金面上項目“高探測率垂直入射GaAs/AlGaAs多量子阱紅外探測器”(1997-1999年);(3)北京市自然科學基金項目“新型垂直入射GaAs/AlGaAs多量子阱...
通過控制插入的InGaN應力調製層的馳豫度,實現了對InGaN/GaN多量子阱的應力調製和控制,使之形成不同In組分的局域區域,成功研製出單晶片白光發光器件。...
4. 吳根柱,張子瑩,任大翠,張興德,MOCVD生長InGaAs/InGaAsP多量子阱光泵微碟雷射器,半導體學報,Vol.22,No.8,2001,1057-10615. 李贊佳,吳根柱,霍海燕,鳳蘭,...
10) ZnS/ZnSe多量子阱的光調製測試,光子學報,31(Z2):40,2002。11) ZnS/ZnSe多量子阱研製,光子學報,31(Z2):197,2002。12) ZnO薄膜的摻雜特性,發光學報,...
《光計算技術基礎》對一些主要的光計算技術和器件的原理、實驗技術、最新研究成果和套用進行了描述,內容涵蓋了半導體多量子阱光電子器件、VCSEls光源、微光學和衍射...
電子自旋偏振GaAs 多量子阱中電子自旋偏振弛豫 標註為(σ+,σ+)的上曲線為左旋微略橢圓偏振光抽運,左旋圓偏振光探測的弛豫信號,反映了由於自旋退偏振和電子複合...
4. 邢艷輝,劉建平,鄧軍等,壘摻In提高InGaN/GaN多量子阱發光特性 物理學報 2007,56(12):7295-7298(SCI檢索號UT ISI:000252018900080 )...
他長期潛心於雷射物理與技術、非線性光學、強雷射與材料相互作用、半導體多量子阱材料與器件、光纖通訊等方面的教學與科學研究。主編“雷射物理學”、“雷射原理”,...
⒒葉志鎮,林時勝,何海平,顧修全,陳凌翔,呂建國,黃靖雲,朱麗萍,汪雷,張銀珠,李先杭,Na摻雜p型ZnO和ZnO/ZnMgO多量子阱結構基LED的製備與室溫電注入發射紫藍光,...
(2008)【15】 程佩紅、黃仕華,Ge/Si量子阱結構的C-V特性的模擬,半導體學報 29,110 (2008)【16】 Shihua Huang, Fengmin Wu, Xianghao Zhao, Electron ...
多量子阱 Patrick L. LiKamWa 半導體雷射器 Dennis Deppe 納米光學 Debashis Chanda 超快光學 Peter J. Delfyett 納米光學材料 Stephen Kuebler 中佛羅里達大學羅森...