多量子阱

多量子阱(multiple quantum well)是指多個量子阱組合在一起的系統。就材料結構和生長過程而言,多量子阱和超晶格沒有實質差別,僅在於超晶格勢壘層比較薄,勢阱之間的耦合較強,形成微帶;而多量子阱之間的勢壘層厚,基本無隧穿耦合,也不形成微帶。多量子阱結構主要套用於其光學特性。

基本介紹

  • 中文名:多量子阱
  • 外文名:multiple quantum well
  • 套用學科:量子力學
  • 適用領域範圍:量子物理學
概念說明,材料構成,

概念說明

在研製半導體量子阱雷射器時,為了提高激射效率,有源區可用多量子阱。但量子阱數目太多,又會降低注入效率,增大損耗,所以有一最佳化設計問題。例如用InGaAs/InGaAsP多量子阱置於台階狀折射率變化的波導中,可得到高輸出功率、波長為1.3微米和1.5微米的雷射器。
將多量子阱放在PIN結構的Ⅰ區中,在外電場下量子阱激子吸收峰會向長波方向移動。這樣對於給定波長入射光,在不同電場下多量子阱有不同的吸收係數。據此提出的自電光效應器件,在相同功率光輸入下可輸出兩種不同功率的光,形成雙穩器件

材料構成

多量子阱也可由晶格不匹配的兩種材料構成。如果晶格失配在一定的限度內(小於7%),而且應變材料的厚度不超過臨界厚度,就可依靠彈性形變補償晶格常數之間的差別,而在界面不產生位錯缺陷。這種多量子阱稱為應變數子阱。由於晶格中的彈性形變影響能帶結構,這樣又多了一種“剪裁”能帶的手段——應變。利用應變數子阱的特點製成InGaAsP/InP長波長(1.3微米)應變數子阱雷射器,閾值電流大大降低,特徵溫度相應提高。半導體級聯紅外雷射器級聯太赫雷射器,都是將多量子阱置於反向偏置的P+NN+結中N區,利用電子多阱順序隧穿實現雷射,而雷射波長取決於子帶之間的能量差。

相關詞條

熱門詞條

聯絡我們