有源區是矽片上做有源器件的區域。
基本介紹
- 中文名:有源區
- 釋義:矽片上做有源器件的區域
- 類似詞語:無源器件、有源器件
- 針對目標:針對MOS
有源區是矽片上做有源器件的區域。
有源區是矽片上做有源器件的區域。有源器件:必須在外加適當的偏置電壓情況下才能正常工作的器件。比如BJT,發射結正偏,集電結反偏,處於放大工作狀態。偏置電壓不同,管子工作狀態不同。還有MOS管,必須在柵極加壓,使得溝道反型的...
《大注入條件下高發光效率GaN基LED有源區結構研究》是依託北京大學,由陳志忠擔任負責人的面上項目。基本信息 項目摘要 大注入條件下高發光效率GaN基LED對通用照明的套用具有巨大的價值,它不但方便二次光學設計,而且還將顯著降低光源製作...
在微電子學中,場區是指一種很厚的氧化層,位於晶片上不做電晶體、電極接觸的區域,可以起到隔離電晶體的作用。 有源區和場區是互補的,電晶體做在有源區處,金屬和多晶矽連線多做在場區上。 CMOS工藝中的場區(即電晶體以外的區域...
電路抽象為主幹,包括連線埠或支路抽象下的電路基本定律、定理,電路方程列寫方法和電路基本分析方法,開關抽象、數字邏輯、CMOS門電路,有源、無源等。四個分支為線性電阻電路,包括電阻分壓、電橋、衰減電路,理想變壓、迴旋、環行器,理想...
10.5.2 選取適當的有源區摻雜濃度 10.5.3 選取適當的限制層摻雜濃度 10.5.4 控制pn結偏移的影響 10.5.5 降低非輻射複合的影響 10.6 提高LED光逸出效率的措施 10.6.1 採用雙異質結構 10.6.2 LED管芯形狀的選擇 10.6.3...
最佳化器件結構,有源區為應變超晶格QW。有源區周邊一般為雙溝掩埋或脊型波導結構。有源區附近的光波導區為DFB光柵,採用一些特殊的設計,如:波紋坡度可調分布耦合、復耦合、吸收耦合、增益耦合、複合非連續相移等結構,提高器件性能。生產...
5.6雙極型電晶體的工作區 5.7傳輸模型的簡化 5.7.1截止區的簡化模型 5.7.2正向有源區的模型簡化 5.7.3雙極型積體電路中的二極體 5.7.4反向有源區的簡化模型 5.7.5飽和區模型 5.8雙極型電晶體的非理想特性 5.8.1結...
第二漂移區和外延層的交界處形成的第一,第二注入區;在第一掩埋層上通過生長外延、摻雜後形成的第一阱,分別在第一、第二漂移區中形成的第二,第三阱;分別在第一、第二、第三阱中形成的第一類型有源區,分別在第一、第二...
半導體複合發光達到受激發射(即產生雷射)的必要條件是:①粒子數反轉分布分別從P型側和n型側注入到有源區的載流子密度十分高時,占據導帶電子態的電子數超過占據價帶電子態的電子數,就形成了粒子數反轉分布。②光的諧振腔在半導體...