《耐正負高壓的SCRESD防護器件及其工藝方法》是深圳市國微電子有限公司於2021年1月27日申請的專利，該專利公布號為CN112928111A，專利公布日為2021年6月8日，發明人是杜明、裴國旭、李會羽、陳錫均。
基本介紹
- 中文名：耐正負高壓的SCRESD防護器件及其工藝方法
- 授權公告號：CN112928111A
- 授權公告日 ：2021.06.08
- 申請號：2021101128962
- 申請日：2021.01.27
- 申請人：深圳市國微電子有限公司
- 地址：518000廣東省深圳市南山區高新南一道015號國微研發大廈六層A
- 發明人：杜明; 裴國旭; 李會羽; 陳錫均
- Int. Cl.：H01L27/02(2006.01)I
- 專利代理機構：深圳中一聯合智慧財產權代理有限公司44414
- 代理人：任敏
專利摘要
本發明適用於半導體器件領域，提供了一種耐正負高壓的SCR ESD防護器件及其工藝方法，該防護器件包括：襯底，在襯底中形成的第一、第二掩埋層；在第二掩埋層上生長成的外延層和在外延層中形成的第一、第二漂移區，分別在第一、第二漂移區和外延層的交界處形成的第一，第二注入區；在第一掩埋層上通過生長外延、摻雜後形成的第一阱，分別在第一、第二漂移區中形成的第二，第三阱；分別在第一、第二、第三阱中形成的第一類型有源區，分別在第一、第二漂移區中形成的兩個第二類型有源區。本發明提供的器件能夠保證連線埠正常工作在正負高壓下，具有高維持電壓，並且能滿足ESD防護等級的設計要求。
