賈海強

賈海強，畢業於西安交通大學，現為中國科學院物理研究所研究員，在E03組工作。

基本介紹

• 中文名：賈海強
• 畢業院校：西安交通大學
• 工作單位：中國科學院物理研究所
• 職稱：研究員

人物簡介

賈海強：1991年 西安交通大學電子工程系半導體器件專業畢業，獲得學士學位，1994年電子工業部第十三研究所微電子專業畢業，獲得碩士學位。2001年 中國科學院物理研究所凝聚態物理專業畢業，獲得博士學位。2001年榆簽格精至今中國科學院物理研究所工作， 從事化合物半導體材料與器件研究。在國外主要刊物上發表論文30多篇，申請專利10多項。

研究方向

1、GaAs基、GaN基發光二極體外延材料MOCVD生長技術研究。 2、新型LED器件工藝研究。

獲得成果

我們研發了新的紅光發光二極體結構及外延生長技術，解決了紅光LED結構、物性測量、外延生長和器件結構等問題，得到了高質量的紅光LED外延片。 我們根據富In量子點受應力調控的特點，笑詢講設計了含InGaN應力只記囑多調製層的有源區結構。通過控制插入的InGaN應力調製層的馳豫度，實現了對InGaN/GaN多量子阱的應力調製和控制，使之形成不同In組分的局域區域，成功研製棗淚灶出單晶片白光發光器件。

研究課題

目前主要承擔國家自然基府漿射金、863課題、產業化套用研究等課題。主要的研究方向包括： 1、GaAs基、GaN基發光二極體外延材料與器店欠件工藝研究。 2、GaN基單晶片白光發光二極體故贈乃機理研究。 3、GaAs基化合物材料的MOCVD生長技術研究。