隱埋多量子阱

中文名稱隱埋多量子阱
英文名稱buried multiple quantum well
定  義由多量子阱組成有源層,在垂直和平行量子阱的方向上均被寬頻隙材料有效地包圍所形成的低維結構。
套用學科材料科學技術(一級學科),半導體材料(二級學科),半導體微結構材料及器件(三級學科)

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