半導體量子阱雷射器是利用量子阱結構中電子的特性製成的半導體雷射器。量子阱結構指當一層超薄層(厚度約為電子的德布羅意波長)的窄帶隙半導體材料被夾在寬頻隙材料之間而形成雙異質結構時,夾層窄帶隙材料中的電子在垂直異質結界面方向的運動就猶如處於一個方形導帶電子勢阱之中,其在垂直壁方向的運動呈波動性。
基本介紹
- 中文名:半導體量子阱雷射器
- 定義:利用量子阱結構中電子的特性製成的半導體雷射器
半導體量子阱雷射器是利用量子阱結構中電子的特性製成的半導體雷射器。量子阱結構指當一層超薄層(厚度約為電子的德布羅意波長)的窄帶隙半導體材料被夾在寬頻隙材料之間而形成雙異質結構時,夾層窄帶隙材料中的電子在垂直異質結界面方向的運動就猶如處於一個方形導帶電子勢阱之中,其在垂直壁方向的運動呈波動性。
半導體量子阱雷射器是利用量子阱結構中電子的特性製成的半導體雷射器。量子阱結構指當一層超薄層(厚度約為電子的德布羅意波長)的窄帶隙半導體材料被夾在寬頻隙材料之間而形成雙異質結構時,夾層窄帶隙材料中的電子在垂直異質結界面方向的運...
量子阱雷射器是有源層非常薄,而產生量子尺寸效應的異質結半導體雷射器。根據有源區內阱的數目可分為單量子阱和多量子阱雷射器。量子阱雷射器在閾值電流、溫度特性、調製特性、偏振特性等方面都顯示出很大的優越性,被譽為理想的半導體...
再加之由於MBE,MOCVD技術的成就,於是,在1978年出現了世界上第一隻半導體量子阱雷射器(QWL),它大幅度地提高了半導體雷射模組的各種性能.後來,又由於MOCVD,MBE生長技術的成熟,能生長出高質量超精細薄層材料,之後,便成功地研製出了...
目前代表性的器件包括用於泵浦YAG雷射器的808 nm大功率半導體量子阱雷射器,用於光纖通信的1.3μm,1.55 μm量子阱雷射器。用於泵浦摻Er光纖放大器的980 nm量子阱雷射器等。半導體量子阱雷射器 半導體量子阱雷射器的模擬要比微電子...
《半導體雷射器電子能帶結構和光增益的量子理論》是2016年科學出版社出版的圖書,作者是郭長志。內容簡介 本書討論了達到設計所需精度的量子阱、量子線、和量子點的電子能帶和能級的量子理論和設計計算,帶間和子帶間光躍遷幾率和光增益的...
《半導體雷射器能帶結構和光增益的量子理論(下冊)》是2016年科學出版社出版的圖書,作者是郭長志。內容簡介 量子理論是研究半導體雷射器中:①體半導體、量子阱、量子線、量子點等增益介質的電子能譜結構,及其②電子與輻射光場的相互作用...
這一特性加上量子阱中態密度的二維特性以及能帶工程各種調控手段,可使量子阱雷射器的閾值電流減小、發射波長可調、微分增益提高、特徵溫度等性能得到改善。半導體量子阱在其他光電器件中也得到了廣泛的套用。
《半導體雷射器能帶結構和光增益的量子理論》是2016年科學出版社出版的圖書,作者是郭長志。內容簡介 量子理論是研究半導體雷射器中:①體半導體、量子阱、量子線、量子點等增益介質的電子能譜結構,及其②電子與輻射光場的相互作用, 包括光...
《新型半導體光電子器件的計算機模擬》是依託清華大學,由楊之廉擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 本課題完成了一個實用化的半導體量子阱雷射器的模擬程式,這是首次實現了基於能量輸運模型的雷射器模擬器。模擬時共求解八個方程。六個...
銻化物半導體材料在紅外製導、海洋監測、深空探索等領域具有重要套用前景。2019年,中國科學家研製出新型銻化物半導體量子阱雷射器。銻化物礦藏 常見的兩種銻化物是銻銀礦(Ag₃Sb)和銻鈀礦(Pd₅Sb₂)。銻銀礦顯示出明顯的斜方...
在III-V族的光電子器件的MOCVD外延生長研究和器件工程化中取得了突出的成績和貢獻,在國內率先研製成功實用化1.3mm半導體量子阱雷射器,DVD用650nm半導體雷射器。在808nm、941nm、980nm、1450nm等波長大功率半導體雷射器(列陣)及其組件...