《半導體雷射器能帶結構和光增益的量子理論》是2016年科學出版社出版的圖書,作者是郭長志。
基本介紹
- 中文名:半導體雷射器能帶結構和光增益的量子理論
- 作者:郭長志
- 類別:電子與通信技術
- 出版社:科學出版社
- 出版時間:2016年03月
- ISBN:9787030473400
《半導體雷射器能帶結構和光增益的量子理論》是2016年科學出版社出版的圖書,作者是郭長志。
《半導體雷射器能帶結構和光增益的量子理論》是2016年科學出版社出版的圖書,作者是郭長志。內容簡介量子理論是研究半導體雷射器中:①體半導體、量子阱、量子線、量子點等增益介質的電子能譜結構,及其②電子與輻射光場的相互作用,...
半導體雷射器又稱雷射二極體,是用半導體材料作為工作物質的雷射器。由於物質結構上的差異,不同種類產生雷射的具體過程比較特殊。常用工作物質有砷化鎵(GaAs)、硫化鎘(CdS)、磷化銦(InP)、硫化鋅(ZnS)等。激勵方式有電注入、電子束...
半導體雷射器是一種相干輻射光源,要使它能產生雷射,必須具備三個基本條件:增益條件:建立起激射媒質(有源區)內載流子的反轉分布。在半導體中代表電子能量的是由一系列接近於連續的能級所組成的能帶,因此在半導體中要實現粒子數反轉,...
《半導體雷射器理論基礎》是2011年科學出版社出版的圖書,作者是杜寶勛。內容簡介 《半導體雷射器理論基礎》針對半導體雷射器,強調其理論基礎和理論的系統性,主要內容包括:光增益理論、光波導理論、諧振腔理論、半導體發光、速率方程分析和...
量子級聯雷射理論的創立及量子級聯雷射器的發明,實現了半導體雷射器的高特徵溫度,獲得了高可靠性的中遠紅外波,以及高的輸出功率。一般而言,量子級聯雷射器系統包括量子級聯雷射模組,控制模組以及接口模組。量子級聯雷射器從結構上來說,...
半導體量子阱雷射器是利用量子阱結構中電子的特性製成的半導體雷射器。量子阱結構指當一層超薄層(厚度約為電子的德布羅意波長)的窄帶隙半導體材料被夾在寬頻隙材料之間而形成雙異質結構時,夾層窄帶隙材料中的電子在垂直異質結界面方向的運...
以量子點結構為有源區的量子點雷射器理論上具有更低的閾值電流密度、更高的光增益、更高的特徵溫度和更寬的調製頻寬等優點,將使半導體雷射器的性能有一個大的飛躍,對未來半導體雷射器市場的發展方向影響巨大。近些年,歐洲、美國、日本...
且已經可以獲得線寬很窄的雷射輸出,因此利用半導體雷射模組可以進行高分辨光譜研究.可調諧雷射器是深入研究物質結構而迅速發展的雷射光譜學的重要工具大功率中紅外(3.5lm)LD在紅外對抗、紅外照明、雷射雷達、大氣視窗、自由空間通信、大氣...
5.7.4 溫度對半導體雷射器退化的影響 175 思考與習題 175 參考文獻 176 第6章 低維量子半導體材料 178 6.1 概述 178 6.2 量子阱的基本理論和特點 180 6.2.1 量子阱中的電子波函式和能量分布 180 6.2...
5.7.4 溫度對半導體雷射器退化的影響 180 思考與習題 181 參考文獻 181 第6章 低維量子半導體材料 183 6.1 概述 183 6.2 量子阱的基本理論和特點 185 6.2.1 量子阱中的電子波函式 185 6.2.2 量子...
6半導體雷射器電學性質94 6.1概述94 6.2p-n結基礎94 6.2.1載流子密度作為費米能級位置的函式95 6.2.2p-n結中的能帶結構和電荷98 6.2.3非偏p-n結中的電流100 6.2.3.1擴散電流100 6.2.3.2漂移電流100 6.2.4內置...
三、能帶工程的引入 設計高性能的半導體雷射器,特別是低閾值高微分增益應變數子阱雷射器,引入能帶工程是必需的.能帶工程可通過薄層材料組分設計來獲得所需發射波長,另外可獲取增益係數、狀態密度、線寬增強因子、微分增益及量子化能級等...
對雷射工作物質的主要要求,是儘可能在其工作粒子的特定能級間實現較大程度的粒子數反轉,並使這種反轉在整個雷射發射作用過程中儘可能有效地保持下去;為此,要求工作物質具有合適的能級結構和躍遷特性。激勵抽運系統 是指為使雷射工作物質...
提出改進微腔結構的方案;得出決定Ⅱ類半導體量子阱中異層P-X能帶形成的法諾態結構的態數飽和律、態間隔飽和律和態相干判據。發現利用法諾干涉解除愛因斯坦關係而實現無反轉增益的過程,氣體介質靠法諾吸收,但在半導體中則靠出現在同光頻...
其任務是挖掘雷射器件的潛能,發現和提出可能的新器件或新性能新套用,提出最佳化器件現有性能等的器件設計方案。圖書目錄 第1章異質結構的能帶圖及其電流機制 第2章速率方程組的建立及其靜態行為 第3章半導體雷射器的動力學行為 ...
在超晶格結構中窄帶隙材料形成極薄二維電子(或空穴,或二者兼有)勢阱,導帶中的準連續的電子態變成量子化,電子空穴的複合發光發生在這些量子化的分立狀態之間,所以能在相當程度上克服半導體雷射器能帶工作的弱點。
3.2.3Ge/si(001)量子點結構特性研究 參考文獻 第4章納米半導體材料的電子能級結構 4.1半導體體材料的能帶結構 4.1.1體材料的能帶結構 4.1.2有效質量近似 4.1.3態密度函式 4.2理想低維半導體結構的電子態 4.2.1...
為理解DNA等鏈狀大分子中電荷的輸運機制提供理論依據;(5)開展了基於半導體超晶格的太赫茲量子級聯雷射器(QCL)及探測器(QCD)設計方面的研究工作,給出了太赫茲QCL輸運特性及光增益特性與子帶壽命的依賴關係,研究了各種散射機制對閾值...
3.5 與時間無關的微擾理論 3.5.1 微擾法 3.5.2 矩陣表述 3.6 與時間有關的微擾理論 附錄3A Lwdin再歸一化(renormalization)方法 習題 參考文獻 第4章 半導體中的電子能帶結構理論 4.1 布洛赫定理和簡單能帶的kp方法 4.1...
3.5 與時間無關的微擾理論 3.5.1 微擾法 3.5.2 矩陣表述 3.6 與時間有關的微擾理論 附錄3A Lwdin再歸一化(renormalization)方法 習題 參考文獻 第4章 半導體中的電子能帶結構理論 4.1 布洛赫定理和簡單能帶的kp方法 4....