《無反轉無閾值半導體雷射器》是依託北京大學，由郭長志擔任負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：無反轉無閾值半導體雷射器
- 項目負責人：郭長志
- 項目類別：面上項目
- 依託單位：北京大學
- 批准號：69376025
- 申請代碼：F0403
- 負責人職稱：教授
- 研究期限：1994-01-01 至 1996-12-31
- 支持經費：4（萬元）
項目摘要
從理論上探討了降低半導體雷射器激射閾值的兩個可能途徑及其物理機制和規律性。證明無閾值激射時反映腔損耗的閾值電流密度並不為零；半導體雷射器中的介質光腔因古斯-漢欣效應使其有效光腔尺寸遠大於其幾何尺寸，而難以出現微腔效應。目前得到的閾值電流的降低是器件尺寸的巨觀效應所致，不是由於微腔效應。提出改進微腔結構的方案；得出決定Ⅱ類半導體量子阱中異層P-X能帶形成的法諾態結構的態數飽和律、態間隔飽和律和態相干判據。發現利用法諾干涉解除愛因斯坦關係而實現無反轉增益的過程，氣體介質靠法諾吸收，但在半導體中則靠出現在同光頻處的吸收峰比發射峰小几個量級，效應大得多，推論出在半導體中可能比氣體理有利於實現無反轉增益。
