新型高效大功率半導體雷射器的機理及器件研究

《新型高效大功率半導體雷射器的機理及器件研究》是依託北京工業大學，由沈光地擔任項目負責人的面上項目。

基本介紹

• 中文名：新型高效大功率半導體雷射器的機理及器件研究
• 項目類別：面上項目
• 項目負責人：沈光地
• 依託單位：北京工業大學
• 批准號：69776033
• 申請代碼：F0403
• 負責人職稱：教授
• 研究期限：1998-01-01 至 2000-12-31
• 支持經費：18（萬元）

項目摘要

從理論到實驗上提出並驗證了新型高效大光腔半導體雷射器機理，從根本上解決了阻礙大功率半導體雷射器功率提高的障礙：電熱燒毀和光學端面災變性毀壞，改善了半導體雷射器的光束質量。最佳化設計並採用MQCVD設備生長了有自主智慧財產權的多有源區遂道級聯半導體雷射器。其中4有源區半導體雷射器量子效率達到2.2，斜率效率達到2.4W/A,2A工作電流下功率達4.0W。並在國際上首次實現了遂道級聯雷射器的基模激射，製備了垂直發散解為17度的器件。將此機理套用到高效高亮度發光管，在小電流下得到高亮度。在研究中，積累了材料生長、後工藝製作的經驗，鍛練了科研隊伍，為今後的工作奠定了基礎。