《高功率半導體雷射器》是2016年國防工業出版社出版的圖書。
基本介紹
- 中文名:高功率半導體雷射器
- 作者:王立軍、寧永強
- 出版時間:2016年
- 出版社:國防工業出版社
- ISBN:9787118111811
《高功率半導體雷射器》是2016年國防工業出版社出版的圖書。
高功率半導體雷射器是長春理工大學研製的產品。項目簡介 高功率半導體雷射器的研製是“八五”、“九五”國防科工委重點項目之一,也是國防十六項關鍵技術中光電技術的關鍵技術。在國內首次實現高功率InGaAs/GaAs量子阱雷射器的運轉,1—3W的雷射器件的工作壽命可達幾千~幾萬小時。高功率半導體雷射器在軍事上套用非常廣泛...
半導體雷射(Semiconductor laser)在1962年被成功激發,在1970年實現室溫下連續輸出。後來經過改良,開發出雙異質接合型雷射及條紋型構造的雷射二極體(Laser diode)等,廣泛使用於光纖通信、光碟、雷射印表機、雷射掃描器、雷射指示器(雷射筆),是生產量最大的雷射器。半導體雷射器 構造及材料 半導體雷射器在基本構造...
5kw半導體雷射器 5kw半導體雷射器是一種用於機械工程領域的科學儀器,於2014年10月8日啟用。技術指標 5kw半導體雷射器,波長978nm,最大輸出功率5kw,工作距離350mm,光斑大小16mm*2mm。主要功能 主要用於雷射表面強化、雷射熔覆等。
1.《光束質量對稱的高功率半導體雷射器二維堆疊設計方法》所述二維堆疊是由n個巴條在快軸方向上平行封裝而成,每個巴條含有m個半導體雷射單元,其中n、m均為≥1的自然數,其特徵在於:在去死區後,根據雷射器的目標光束積參數來決定所需的巴條的數目n和每個巴條含有半導體雷射單元的數目m,以使得半導體雷射器二...
《高功率半導體雷射器噪聲檢測方法及可靠性關係的研究》是依託吉林大學,由郭樹旭擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 採用平衡探測和差分檢測技術提取噪聲。以MAX412晶片為核心,設計高功率半導體雷射器電噪聲的放大電路。根據小波變換的多尺度分解特性,將不同分解尺度上的能量進行積累,構造基於小波能量積累的噪聲檢測...
半導體泵浦固體雷射器(Diode Pump Solid State Laser),是一種用半導體固體雷射材料作為工作物質的新型雷射器。半導體泵浦固體雷射器近年來國際上發展很快,套用也非常廣泛。也是一種高效率、長壽命、光束質量高、穩定性好、結構緊湊小型化的第二代新型固體雷射器,已在空間通訊,光纖通信,大氣研究,環境科學,醫療器械...
980nm紅外半導體雷射器是一種照明儀器。980nm紅外半導體雷射器在照明領域中套用的最大優勢在於雷射具有極高的發光效率和發光強度,半導體雷射的光電轉換效率最高可達80%,大大的降低能耗,增加照明距離。其中,980nm紅外半導體雷射器可輕易實現100-1000米照明距離,滿足風光供電監控項目對遠距離監控的需要。如在野外建立...
《高功率半導體雷射器1/f噪聲特性及其檢測新方法研究》是依託吉林大學,由郜峰利擔任項目負責人的青年科學基金項目。項目摘要 針對大功率半導體雷射器工作電流大的特殊性,重點研究其低偏置電流下的1/f噪聲特性,用其幅度的大小及其隨偏置電流的變化趨勢,從器件的有源區和漏電特性的角度來分析器件的可靠性,繼而與器件...
《一種大功率半導體雷射器光纖耦合模組》是中國科學院長春光學精密機械與物理研究所於2010年5月18日申請的專利,該專利的申請號為2010101745812,公布號為CN101833150A,授權公布日為2010年9月15日,發明人是朱洪波; 王立軍; 彭航宇; 顧媛媛; 郝明明; 張志軍。《一種大功率半導體雷射器光纖耦合模組》包括...
DFB( Distributed Feedback Laser)雷射器,即分散式反饋雷射器,其不同之處是內置了布拉格光柵(Bragg Grating),屬於側面發射的半導體雷射器。DFB雷射器主要以半導體材料為介質,包括銻化鎵(GaSb)、砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)、硫化鋅(ZnS)等。DFB雷射器最大特點是具有非常好的單色性(即光譜純度),它的線寬...
8、生物調節:雷射照射後,可增強機體的免疫功能,調節內分泌,對血液細胞還可達到雙向調節。功能特點 1、650/808nm人體光學視窗的波長區間,雙波長複合光,組織穿透加深達7cm,產生多重光效應。2、輸出功率高,治療時間短,安全可靠,療效明顯。3、採用GaALAs半導體雷射器,其輸出雷射束不僅具有偏振性,而且具有單色...
半導體式雷射器是指用電注人或光激發等方式使電子受激輻射躍遷(產生雷射)的半導體器件。可用作中、長距離高速光纖通信系統的光源。雷射的特點是受激輻射發出的光的全部特性與激發光完全相同。為了使半導體雷射器發射雷射,要求將大量非平衡載流注入並限制在有源區以形成粒子數反轉分布,使載流子在該區域內受激複合...
在基金的資助下,對半導體泵浦固體雷射技術進行了全面而深入的研究。在材料方面,對摻Tm的多種雷射介質的物性進行了實驗研究,並首次報導了全固體可調雷射器和用Cr作飽和吸收體的Nd:YLF雷射器。在耦合技術方面,提出了新的耦合系統設計思想,加工了相應的光學系統,並對高功率泵浦條件下介質的熱效應進行了理論模擬。...
下面我們具體來看看幾種常用的半導體雷射模組的套用:量子阱半導體大功率雷射器在精密機械零件的雷射加工方面有重要套用,同時也成為固體雷射器最理想的、高效率泵浦光源.由於它的高效率、高可*性和小型化的優點,導致了固體雷射器的不斷更新.在印刷業和醫學領域,高功率半導體雷射模組也有套用.另外,如長波長雷射器(1976...
已經確認,傳統燈泵浦固體雷射器的賴以占據世界雷射器市場主導地位的所有運轉方式,均可以通過半導體雷射器泵浦成功地加以實現。通常套用在雷射打標機、雷射劃片機、雷射切割機、雷射焊接機、雷射去重平衡、雷射蝕刻等系統中。由於全固態雷射器具有高光電轉換效率、高功率、高穩定性、高可靠性、壽命長、體積小等優勢,...
《大功率半導體雷射器光場特性研究》是依託西安電子科技大學,由曾小東擔任項目負責人的面上項目。中文摘要 在已建立的小功率半導體雷射器遠場模型基礎上,進一步深入研究大功率半導體雷射器的遠場分布特性。給出定量描述大功率半導體雷射器光束特性的基本方法以及這種光束的質量評價標準。本研究的成果將促進人們對在功率...
這種所謂“能帶工程”賦予半導體雷射器以新的生命力,其器件性能出現大的飛躍。具有量子阱結構的量子阱半導體雷射器與雙異質結半導體雷射器(DH)相比,具有閾值電流密度低、量子效應好、溫度特性好、輸出功率大、動態特性好、壽命長、激射波長可以更短等等優點。目前,量子阱已成為人們公認的半導體雷射器發展的根本動力。...
在紅寶石雷射器發明後,各色各樣的雷射器相繼誕生: 有氣體雷射器,如氦氖雷射器;有固體雷射器,如YAG銥鋁石榴石雷射器;有化學雷射器;染料雷射器等。其中半導體雷射器最適合作光纖通信的光源,它的體積小,效率高,它的波長同光纖的低損失視窗相適合。但半導體雷射器的製造工藝十分複雜,需要在極高純度無缺陷的...
1961年A.賈文等人製成了氦氖雷射器。1962年R.N.霍耳等人創製了砷化鎵半導體雷射器。以後,雷射器的種類就越來越多。按工作介質分,雷射器可分為氣體雷射器、固體雷射器、半導體雷射器和染料雷射器4大類。近來還發展了自由電子雷射器,大功率雷射器通常都是脈衝式輸出。歷史發展 雷射的英文laser 這個詞是由最初的...
半導體雷射泵浦全固態雷射器(DPSSL)進行雷射打標的工作原理是利用大功率半導體量子阱雷射器代替氣體燈泵浦固態晶體為增益介質雷射諧振腔,使之產生新波長的雷射,在利用晶體備頻混頻交應產生SHG、THG等波長的雷射。通過設計建立了從來料復驗、部裝生產、過程檢查、總裝調試到成品總檢的整個雷射打標工藝流程、操作規程和...
這種雷射器不僅使半導體雷射器的某些性能(如模式、溫度係數等)獲得改善,而且由於它採用平面工藝,在集成光路中便於與其他元件耦合和集成。GaAs-GaAlAs分布反饋雷射器已實現室溫連續工作,閾值3.4×103安/厘米2(320K)。282K下得到的最大連續輸出功率為40毫瓦。簡介 採用折射率周期變化的結構實現諧振腔反饋功能的...
2019年,中國科學家研製出新型銻化物半導體量子阱雷射器。在國家973計畫、國家自然科學基金委重大項目等支持下,中國科學院半導體研究所牛智川研究員團隊深入研究銻化物半導體材料的基礎物理、異質結低維材料外延生長和光電器件的製備技術等,突破了銻化物量子阱雷射器的刻蝕與鈍化等核心工藝技術。在此基礎上,研究團隊...
支持革新雷射技術,以保證和加強雷射器生產與雷射工業套用在國際上的競爭力。消除雷射套用中的科學技術障礙。並把高功率二極體雷射器和二極體泵浦固體雷射器作為新-代雷射器研究的基礎。德國在1994-1997年之間成功實行的“半導體雷射器的革新系統”計畫,使德國從二極體雷射器的研製到大功率半導體雷射器的禍合輸出再到泵浦高...
紫外雷射器、深紫外雷射器在軍事、工業、醫學、印刷等方面有著廣泛的套用,使用綠光作為泵浦源是產生紫外、深紫外雷射最有效、最廣泛的方法。產生方法 (1)上轉換泵浦發射綠光雷射在固體材料中摻入稀土離子,用半導體雷射器或其他光源泵浦,直接利用稀土離子的能級躍遷而產生綠光雷射。此種方法基於上轉換效應,亦即激射光波長...
半導體雷射器是由有源區增益部分激發發射光並輸出,當輸出光功率逐漸升高時,腔面區域吸收光,從而產生熱,並引發“熱失控” ,最終成為不可逆轉的光學破壞,即光學災變損傷(COD)。光學災變損傷,亦稱為災變性光學鏡面損傷(COMD,Catastrophic optical mirror damage),是大功率雷射器的一種故障模式。它是由於半導體結因...
現代高功率光纖雷射器的泵浦源是高功率的多模二極體,通過一個圍繞著單模纖心的雙包層來實現。在二十世紀七十年代,以一個單模光纖雷射器來替代固體雷射器或寬頻半導體雷射二極體的多模發射輸出的想法被首次提出。在簡單的雙包層光纖結構中,一個軸向的單模玻璃纖心被摻入人們所期望的雷射離子,如銣、餌、鎰、銩等。