《高功率半導體雷射器1/f噪聲特性及其檢測新方法研究》是依託吉林大學,由郜峰利擔任項目負責人的青年科學基金項目。
基本介紹
- 中文名:高功率半導體雷射器1/f噪聲特性及其檢測新方法研究
- 項目類別:青年科學基金項目
- 項目負責人:郜峰利
- 依託單位:吉林大學
《高功率半導體雷射器1/f噪聲特性及其檢測新方法研究》是依託吉林大學,由郜峰利擔任項目負責人的青年科學基金項目。
《高功率半導體雷射器噪聲檢測方法及可靠性關係的研究》是依託吉林大學,由郭樹旭擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 採用平衡探測和差分檢測技術提取噪聲。以MAX412晶片為核心,設計高功率半導體雷射器電噪聲的放大電路。根據小波變換的多尺度分解特性,將不同分解尺度上的能量進行積累,構造基於小波能量積累的噪聲檢測...
高功率半導體雷射器是長春理工大學研製的產品。項目簡介 高功率半導體雷射器的研製是“八五”、“九五”國防科工委重點項目之一,也是國防十六項關鍵技術中光電技術的關鍵技術。在國內首次實現高功率InGaAs/GaAs量子阱雷射器的運轉,1—3W的雷射器件的工作壽命可達幾千~幾萬小時。高功率半導體雷射器在軍事上套用非常廣泛...
半導體雷射器又稱雷射二極體,是用半導體材料作為工作物質的雷射器。由於物質結構上的差異,不同種類產生雷射的具體過程比較特殊。常用工作物質有砷化鎵(GaAs)、硫化鎘(CdS)、磷化銦(InP)、硫化鋅(ZnS)等。激勵方式有電注入、電子束激勵和光泵浦三種形式。 半導體雷射器件,可分為同質結、單異質結、雙異質結等幾...
《1.5μm單頻光纖雷射器內部噪聲機理研究》是依託華南理工大學,由徐善輝擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 噪聲對單頻雷射的性能有著嚴重的劣化效應,本項目以研究基於新型高增益玻璃光纖的1.5μm波段單頻光纖雷射器內部噪聲產生及抑制所涉及的新原理與新方法等基礎問題為目標,著重研究基質玻璃中稀土離子的激發、...
在稀土元素中,由於 Yb3+離子具有簡單的能級結構(只包含兩個多重態展開的能級₂F和₂F)和大的能級間隔(約 10000cm-1)使摻 Yb3+光纖雷射器及放大器具有很高的轉換效率。因此,為獲得高功率的雷射輸出,摻 Yb3+光纖就成為了雷射放大器的首選增益介質。這也是本論文工作的出發點。二、按照時間特性可以分為...
這種方法的功率受限於可排布的單管數目,一般也只有數十瓦。得到千瓦級雷射輸出,最便捷的方式是多個一維巴條在另一個方向上並列封裝,及所謂的二維堆疊(Stack)。典型的巴條結構和發光特性如圖1所示。巴條是由多個間距500微米的邊沿發射的半導體雷射單元11組成的,2013年前商用的基本是小於10毫米的排布。每個半導體...
正是在上述理論的直接和間接影響,以及1960年產生的紅寶石雷射器的推動下,雷射理論、雷射技術、雷射器件和套用都獲得了飛速發展。1963年巴索夫也報導研製成。PN結半導體雷射器。隨後,人們在製造工藝、器件結構設計、閉值、溫度特性和光學性質方面的研究相繼有許多成果發表。這些都是屬於半導體雷射器的第-代發展階段—...
除了光電探測器外,還有與它類似的用半導體製成的粒子探測器。半導體發光二極體 半導體發光二極體的結構是一個PN結,它正向通電流時,注入的少數載流子靠複合而發光。它可以發出綠光、黃光、紅光和紅外線等。所用的材料有 GaP、GaAs、GaAs1-xPx、Ga1-xAlxAs、In1-xGaxAs1-yPy等。半導體雷射器 如果使高效率的...
(2) 大功率雷射器及其陣列的可靠性無損檢測設備研究,主持,省級,2014-01--2016-12 (3) 三路光纖控制系統,主持,其他級,2013-11--2014-11 (4) 高功率半導體雷射器1/f噪聲特性及其檢測新方法研究,主持,國家級,2013-01--2015-12 (5) 大功率半導體雷射器綜合測試儀器,主持,國家級,2011-10--...
4.國家自然科學基金青年科研基金,高功率半導體雷射器1/f噪聲特性及其檢測新方法研究,2013年1月-2015年12月 5.嵌入式系統相關的橫向課題多項 代表論文 近5年,*為通信聯繫人 期刊論文:(1) TIAN Chao, GUO Shu-xu, LIANG Jing-qiu , LIANG Zhong-zhu,GAO Feng-li*, Thermal analysis and an improved ...
在信號檢測方面側重研究高功率半導體雷射器噪聲產生原因;電噪聲準確提取和放大電路設計;噪聲與器件基本特性和各種參數的相關性。最終建立噪聲特性、光譜特性、功率特性、模式特性、以及電導數參數等諸因素,作為高功率半導體雷射器的質量評估、可靠性檢測及失效因素分析的快速、無損、有效的新方法。在信息處理方向,對漢字...