《半導體雷射器遠場分布及波束傳播特性研究》是依託西安電子科技大學，由曾小東擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：半導體雷射器遠場分布及波束傳播特性研究
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：曾小東
- 依託單位：西安電子科技大學
- 批准號：69576021
- 申請代碼：F0403
- 負責人職稱：教授
- 研究期限：1996-01-01 至 1998-12-31
- 支持經費：7.5（萬元）
中文摘要
建立了一種既能與實驗數據準確符合又不十分複雜的半導體雷射器遠場分布模型。並證明了遠場誤差相對於源振幅包絡擾動具有穩定性，這是我們方法的理論依據。通過對多隻實際器件遠場光強的精確測量，所獲數據與理論模型符合得相當好。提出了準確計算半導體雷射器光波經透鏡變換的系統方法。並設計分析了半導體雷射器高準直系統以及經透鏡與單模光纖耦合系統，獲得了與實測數據吻合的結果。利用本模型可以從遠場數據較準確地計算近場分布。這對研製器件的過程有重要的意義。我們的遠場方法還可推廣到處理一般大解度光波的傳播和衍射過程。本項目研究了成果將促進對半導體雷射器傳播特性的了解，為有效利用半導體雷射器、準確設計光學系統打下基礎。
