| 中文名稱 | 單量子阱雷射器 |
| 英文名稱 | single quantum well laser，SQW laser |
| 定 義 | 有源區只包含由一個勢阱構成的量子阱結構的半導體雷射二極體。 |
| 套用學科 | 材料科學技術（一級學科），半導體材料（二級學科），半導體微結構材料及器件（三級學科） |
| 中文名稱 | 單量子阱雷射器 |
| 英文名稱 | single quantum well laser，SQW laser |
| 定 義 | 有源區只包含由一個勢阱構成的量子阱結構的半導體雷射二極體。 |
| 套用學科 | 材料科學技術（一級學科），半導體材料（二級學科），半導體微結構材料及器件（三級學科） |
量子阱雷射器是有源層非常薄,而產生量子尺寸效應的異質結半導體雷射器。根據有源區內阱的數目可分為單量子阱和多量子阱雷射器。量子阱雷射器在閾值電流、溫度特性...
中文名稱 單量子阱雷射器 英文名稱 single quantum well laser,SQW laser 定義 有源區只包含由一個勢阱構成的量子阱結構的半導體雷射二極體。 套用學科 材料科學...
量子阱(QW)半導體雷射器是一種窄帶隙有源區夾在寬頻隙半導體材料中間或交替重疊的半導體雷射器,是極有發展前途的一種雷射器。QW雷射器的結構與一般的雙異質結...
中國科學院半導體研究所牛智川研究員團隊深入研究銻化物半導體材料的基礎物理、異質結低維材料外延生長和光電器件的製備技術等,突破了銻化物量子阱雷射器的刻蝕與鈍化...
有源層為多個量子阱,整體結構為分離限制異質結構的半導體雷射二極體。 套用學科 材料科學技術(一級學科),半導體材料(二級學科),半導體微結構材料及器件(三級學科) ...
4.9 垂直腔表面發光雷射器(VCSEL) 4.9.1 量子阱的數量 4.9.2 鏡面反射率 4.9.3 電注入 4.9.4 發射光的空間特性 4.9.5 光輸出與電流輸出 ...