《半導體製造工藝控制理論》是2017年1月1日西北工業大學出版社出版的圖書,作者是王少熙、鄭然、陰玥、游海龍、張淳。
基本介紹
- 中文名:半導體製造工藝控制理論
- 作者:王少熙、鄭然、陰玥、游海龍、張淳
- 出版社:西北工業大學出版社
- ISBN:9787561259535
《半導體製造工藝控制理論》是2017年1月1日西北工業大學出版社出版的圖書,作者是王少熙、鄭然、陰玥、游海龍、張淳。
《半導體製造工藝控制理論》是2017年1月1日西北工業大學出版社出版的圖書,作者是王少熙、鄭然、陰玥、游海龍、張淳。內容簡介穩定受控的半導體製造工藝是實現晶片高可靠性水平的重要方法。《半導體製造工藝控制理論》從工序能力指...
《半導體製造工藝》是2015年8月7日機械工業出版社出版的圖書,作者是張淵。主要介紹了半導體器件基本結構 、半導體器件工藝的發展歷史、半導體材料基本性質及半導體製造中使用的化學品,以典型的CMOS管的製造實例為基礎的積體電路的製造過程及製造過程中對環境的要求及污染的控制。內容簡介 矽片是一種矽材料通過加工切成一...
《半導體製造工藝(第2版)》是2018年7月機械工業出版社出版的圖書,作者是張淵。內容簡介 本教材簡要介紹了半導體器件基本結構、半導體器件工藝的發展歷史、半導體材料基本性質及半導體製造中使用的化學品,以典型的CMOS管的製造實例為基礎介紹了積體電路的製造過程及製造過程中對環境的要求及污染的控制。重點介紹了包括...
半導體技術是指半導體加工的各種技術,包括晶圓的生長技術、薄膜沉積、光刻、蝕刻、摻雜技術和工藝整合等技術。概念 半導體技術就是以半導體為材料,製作成組件及積體電路的技術。在周期表里的元素,依照導電性大致可以分成導體、半導體與絕緣體三大類。最常見的半導體是矽(Si),當然半導體也可以是兩種元素形成的化合物...
《半導體製造工藝》是1999年科學出版社出版的圖書,作者是(美)K.A.傑克遜(Kenneth A.Jackson)。圖書目錄 目錄 1 矽工藝 2 化合物半導體工藝 3 外延生長 4 光刻 5 選擇性摻雜 6 半導體工藝中的刻蝕工藝 7 矽器件結構 8 化合物半導體器件結構 9 矽器件工藝 10 化合物半導體器件工藝 11 積體電路封裝 12 互連...
《半導體製造與過程控制基礎》包括對基本製造概念理論和實踐的描述,以及一些案例分析、典型問題和建議的練習。《半導體製造與過程控制基礎》可作為相關專業研究生的教材,也可在半導體製造課程中使用。《半導體製造與過程控制基礎》也可作為半導體工業中實踐工程師和科研人員的參考書。作者簡介 Gary S May博士,是喬治亞...
《半導體器件的製造方法》提供了一種半導體器件的製造方法,包括:步驟一:提供一襯底,襯底包括高壓器件區域和低壓器件區域,高壓器件區域和低壓器件區域由淺溝槽隔開,在所述襯底上形成覆蓋高壓器件區域和低壓器件區域的襯墊氧化層,在所述襯墊氧化層和淺溝槽上形成硬掩膜層;步驟二:採用乾法刻蝕去除高壓器件區域上的...
《半導體製造技術導論(第2版)》是一本半導體工藝技術的優秀教材,並不強調很深的理論和數學知識,而是重點關注半導體關鍵加工技術概念的理解。全書共分15章,包括:半導體技術導論,積體電路工藝導論,半導體基礎知識,晶圓製造,外延和襯底加工技術,半導體工藝中的加熱工藝,光刻工藝,電漿工藝技術,離子注入工藝,...
半導體(semiconductor)指常溫下導電性能介於導體與絕緣體之間的材料。半導體在積體電路、消費電子、通信系統、光伏發電、照明、大功率電源轉換等領域都有套用,如二極體就是採用半導體製作的器件。無論從科技或是經濟發展的角度來看,半導體的重要性都是非常巨大的。大部分的電子產品,如計算機、行動電話或是數字錄音機當中...
第1章 半導體製造緒論 1 1.1 引言 1 1.2 半導體產業史 1 1.3 晶圓製造廠 5 1.3.1 晶圓製備 5 1.3.2 晶圓製造 7 1.3.3 晶圓測試 8 1.3.4 裝配與封裝 8 1.3.5 終測與考核試驗 9 1.4 積體電路 9 1.4.1 積體電路的功能和性能 11 1.4.2 積體電路的可靠性 11 1.4.3 積體電路的...
本卷內容涵蓋了與半導體製備相關的廣泛的工藝過程,始於半導體材料的提純,製作器件用的單晶的生長,然後是外延生長工藝、摻雜與腐蝕,卷中還包括有關器件結構和器件工藝的章節,結尾論及保護器件及其與外部相連的封裝工藝。書中許多章節僅描述了寫書當時的技.術狀況。由於半導體技術仍處於迅速變革之中,此卷的一些內容...
第15章晶圓製造中的商業因素 15.1引言 15.2晶圓製造的成本 15.3自動化 15.4工廠層次的自動化 15.5設備標準 15.6統計製程控制 15.7庫存控制 15.8質量控制和ISO9000認證 15.9生產線組織架構 習題 參考文獻 第16章形成器件和積體電路的 介紹 16.1引言 16.2半導體器件的形成 16.3可替換MOSFET按...
《半導體製造工藝基礎》最後三章集中討論製版和綜合。第九章通過介紹晶體工藝技術、集成器件和微機電系統加工等工藝流程,將各個獨立的工藝步驟有機地整合在一起。第十章介紹積體電路製造流程中高層次的一些關鍵問題,包括電學測試、封裝、工藝控制和成品率。第十一章探討了半導體工業所面臨的挑戰,並展望了其未來的發展...
英特爾45nm處理器不但代表了行業內最高水平的製造工藝,其對環境的貢獻也是不可磨滅的。高K-金屬柵極和45納米有什麼關係 45納米不是指的晶片上每個電晶體的大小,也不是指用於蝕刻晶片形成電路時採用的雷射光源的波長,而是指晶片上電晶體和電晶體之間導線連線的寬度,簡稱線寬。半導體業界習慣上用線寬這個工藝尺寸來...
《半導體晶片製造技術》全面系統地介紹了半導體晶片製造技術,內容包括半導體晶片製造概述、多晶半導體的製備、單晶半導體的製備、晶圓製備、薄膜製備、金屬有機物化學氣相沉積、光刻、刻蝕、摻雜及封裝。書中簡要介紹了半導體晶片製造的基本理論基礎,系統介紹了多晶半導體、單晶半導體與晶圓的製備,詳細介紹了薄膜製備、光刻...
通過本項目研究,有望在理論上對已有生產調度研究進一步豐富與深化,並在套用上獲得對實際製造系統的調度最佳化具有重要指導和借鑑意義的研究成果。結題摘要 本項目以積累大量具有不完備信息特徵數據、專家經驗和機理知識為前提,將智慧型方法與數學方法相結合來研究半導體製造過程動態調度理論與方法,獲得對實際製造系統的調度...
最先套用的日光電池都是用矽單晶製造的,成本太高,不能大量推廣使用。國際上都在尋找成本低的日光電池,用的材料有多晶矽和無定形矽等。其它 利用半導體的其他特性做成的器件還有熱敏電阻、霍耳器件、壓敏元件、氣敏電晶體和表面波器件等。未來發展 今年是摩爾法則(Moore’slaw)問世50周年,這一法則的誕生是半導體...
第1章 半導體產業介紹 第2章 半導體材料特性 第3章 器件技術 第4章 矽和矽片製備 第5章 半導體製造中的化學品 第6章 矽片製造中的沾污控制 第7章 測量學和缺陷檢查 第8章 工藝腔內的氣體控制 第9章 積體電路製造工藝概況 第10章 氧化 第11章 澱積 第12章 金屬化 第13章 光刻:氣相成底膜到軟烘 第...
4.2 半導體級矽 4.3 晶體結構 4.4 晶向 4.5 單晶矽生長 4.6 矽中的晶體缺陷 4.7 矽片製備 4.8 質量測量 4.9 外延層 4.10 小結 第5章 半導體製造中的化學品 目標 5.1 引言 5.2 物質形態 5.3 材料的屬性 5.4 工藝用化學品 5.5 小結 第6章 矽片製造中的沾污控制 目標 6.1 引言 6.2 ...
在光致抗蝕劑顯影后發生的抗蝕劑圖形脫離襯底或者倒塌、粘黏的現象。通常因為襯底的黏性粘附力不足,或圖形高寬比過大、重心過高,抗蝕劑圖形底部粘附力不足以抵消顯影或者後續清洗工序中水或者其他溶劑的表面張力的影響。因此,需要對襯底做表面處理、塗増粘剤或者增加緩衝層來增加底部粘附力,或者控制高寬比在合適...
而且由於積體電路向著甚大規模發展,晶片面積加大,厚度增加,製造工藝的溫度向低溫靠攏,因此內吸除愈來愈受到重視。把本徵吸除熱處理與器件工藝的熱過程結合起來是目前追求的方向。機理 對於吸除機理的研究尚無明確的結論,但提出了三個理論模型:增強的金屬固溶度模型、擴散缺陷模型和矽自間隙模型。上述模型的適用性...
第10章IC製造 第11章未來趨勢和挑戰 附錄A符號表 附錄B國示單位制 附錄C單位詞頭 附錄D希臘字母表 附錄E物理常數 附錄F300K時Si和GaAs的性質 附錄G誤差函式的一些性質 附錄H氣體基本動力學理論 附錄ISUPREM命令 附錄J運行PROLITH 附錄Kt分布的百分點 附錄LF分布的百分點 索引 作者簡介 GaryS.May是半導體製造領域...
《半導體》是1986年科學出版社出版的圖書,作者是王雲珍。內容簡介 本書介紹了半導體的基本理論和工藝。包括能帶論、半導體兩種載流體的運動情況、PN結的特性和製造。書中重點闡述了電晶體的種種特性。對半導體的“表面”和“界面”問題也作了專門描敘。此外,對半導體的新材料、新器件、積體電路和超大規模積體電路亦有...
最終的目的是發現缺陷形成的動力學理論,以期指導實驗有選擇地控制缺陷的形成與分布,進一步提高材料的電學性能。結題摘要 在過去的4年裡,我們緊緊圍繞著表面微結構這個主題,探討微結構的決定因素、變化規律。我們的研究沒有簡單局限於單一一個CuInSe2表面系統,而是擴展到了金剛石、金屬(Cu、Ni)、半導體(Si、Ge)...
半導體製造工藝基礎 《半導體製造工藝基礎》是2020年安徽大學出版社 出版的圖書。
第2部分(第4-9章)討論所有土要半導體器件的物理過程和特性。由對大部分半導體器件而言最關鍵的p-n結開始,接下來討論雙極型和場效應器件。最後討論微波、量子效應、熱電子和光電子器件。第3部分(第10-14章)則介紹從晶體生長到摻雜等工藝技術。我們介紹了製作器件時的各個主要步驟,包含理論和實際情況,並特別...
1948年,威廉·肖克利的論文《半導體中的P-N結和P-N結型電晶體的理論》發表于貝爾實驗室內部刊物。肖克利在1950年出版的《半導體中的電子和空穴》中詳盡地討論了結型電晶體的原理,與約翰·巴丁、沃爾特·布喇頓共同發明的點接觸型電晶體所採用的不同的理論。製造工藝 PN結是構成各種半導體器件的基礎。製造PN結的方法...
刻蝕,英文為Etch,它是半導體製造工藝,微電子IC製造工藝以及微納製造工藝中的一種相當重要的步驟。是與光刻相聯繫的圖形化(pattern)處理的一種主要工藝。所謂刻蝕,實際上狹義理解就是光刻腐蝕,先通過光刻將光刻膠進行光刻曝光處理,然後通過其它方式實現腐蝕處理掉所需除去的部分。刻蝕是用化學或物理方法有選擇地...
摩爾定律問世已40多年,人們不無驚奇地看到半導體晶片製造工藝水平以一種令人目眩的速度提高。Intel的微處理器晶片Pentium4的主頻已高達2GHz,2011年推出了含有10億個電晶體、每秒可執行1千億條指令的晶片。這種發展速度是否會無止境地持續下去是成為人們所思考的問題。從技術的角度看,隨著矽片上線路密度的增加,其複雜...