《半導體製造工藝》是1999年科學出版社出版的圖書，作者是(美)K.A.傑克遜(Kenneth A.Jackson)。
《半導體製造工藝》是2015年8月7日機械工業出版社出版的圖書，作者是張淵。主要介紹了半導體器件基本結構 、半導體器件工藝的發展歷史、半導體材料基本性質及半導體製造中使用的化學品，以典型的CMOS管的製造實例為基礎的集成...
半導體光刻技術（Semiconductor lithography），是一種關鍵的半導體設備製造工藝。發展歷程 從第一個電晶體問世算起，半導體技術的發展已有多半個世紀了，現在它仍保持著強勁的發展態勢，繼續遵循Moore定律即晶片集成度18個月翻一番，每三年器件尺寸縮小0.7倍的速度發展現在片徑已達300mm，DRAM半節距已達150nm，MPU柵...
這一切背後的動力都是半導體晶片。如果按照舊有方式將電晶體、電阻和電容分別安裝在電路板上，那么不僅個人電腦和移動通信不會出現，連基因組研究、計算機輔助設計和製造等新科技更不可能問世。有關專家指出,摩爾法則已不僅僅是針對晶片技術的法則;不久的將來，它有可能擴展到無線技術、光學技術、感測器技術等領域，成為...
《半導體製造工藝》是1999年科學出版社出版的圖書，作者是(美)K.A.傑克遜(Kenneth A.Jackson)。圖書目錄 目錄 1 矽工藝 2 化合物半導體工藝 3 外延生長 4 光刻 5 選擇性摻雜 6 半導體工藝中的刻蝕工藝 7 矽器件結構 8 化合物半導體器件結構 9 矽器件工藝 10 化合物半導體器件工藝 11 積體電路封裝 12 互連...
《半導體製造工藝（第2版）》是2018年7月機械工業出版社出版的圖書，作者是張淵。內容簡介 本教材簡要介紹了半導體器件基本結構、半導體器件工藝的發展歷史、半導體材料基本性質及半導體製造中使用的化學品，以典型的CMOS管的製造實例為基礎介紹了積體電路的製造過程及製造過程中對環境的要求及污染的控制。重點介紹了包括...
光刻（英語：photolithography）工藝是半導體器件製造工藝中的一個重要步驟，該步驟利用曝光和顯影在光刻膠層上刻畫幾何圖形結構，然後通過刻蝕工藝將光掩模上的圖形轉移到所在襯底上。這裡所說的襯底不僅包含矽晶圓，還可以是其他金屬層、介質層，例如玻璃、SOS中的藍寶石。基本信息 下面以襯底上金屬連線的刻蝕為例講解...
根據最新資料顯示，英特爾32納米製程處理器將更加的節能易用，同事在性能上也有所提升，32納米技術是主流的45nm工藝技術的升級，它指的是半導體晶片的製造工藝技術，該技術追求更小的體積以及更高的性能，計算機從誕生以來，正是半導體晶片的製造工藝技術推動了其更新換代。在45納米製程中，高k電介質的等效氧化層厚度為...
半導體多重圖形製造法（Semiconductor multi-pattern manufacturing method）是指一種在半導體製造過程中的技術。在光刻過程中使用了多重圖形曝光增強了製作圖形的密度。儘管極紫外光刻將在下一代光刻中作為一個選項，但是這個仍然需要額外一次曝光。中心距分離 多重圖形的最簡單形式是將圖形分離成二個或者三個部分。每個...
《安徽大學出版社》是2007年4月安徽大學出版社出版的圖書，作者是施敏。內容簡介 一年級學生《積體電路製造》課程的教學。該課程授課時間為一個學期，不要求必須開設相應的實驗課。同時，《半導體製造工藝基礎》也可供在半導體工業領域工作的工程師和科學家參考。《半導體製造工藝基礎》的第一章簡要回顧了半導體器件和...
製造產能過剩直接導致了產品價格的大幅下降，以DRAM產品價格下滑幅度最多。新工藝 2023年3月，美國明尼蘇達雙城大學研究人員和國家標準與技術研究院（NIST）的聯合團隊開發 了一種製造自旋電子器件的突破性工藝 ，通過使用鐵鈀材料替代鈷鐵硼，可將材料縮小到5納米的尺寸，該工藝有可能成為半導體晶片新的行業標 準。
《半導體製造工藝控制理論》是2017年1月1日西北工業大學出版社出版的圖書，作者是王少熙、鄭然、陰玥、游海龍、張淳。內容簡介 穩定受控的半導體製造工藝是實現晶片高可靠性水平的重要方法。《半導體製造工藝控制理論》從工序能力指數、統計過程控制和實驗設計三個方面展開，詳細講述三種技術的常規理論和特殊套用方法和模型...
退火爐是在半導體器件製造中使用的一種工藝，其包括加熱多個半導體晶片以影響其電性能。熱處理是針對不同的效果而設計的。可以加熱晶片以激活摻雜劑，將薄膜轉換成薄膜或將薄膜轉換成晶片襯底界面，使緻密沉積的薄膜，改變生長的薄膜的狀態，修復注入的損傷，移動摻雜劑或將摻雜劑從一個薄膜轉移到另一個薄膜或從薄膜...
半導體生產流程由晶圓製造、晶圓測試、晶片封裝和封裝後測試組成。塑封之後，還要進行一系列操作，如後固化（Post Mold Cure）、切筋和成型（Trim&Form）、電鍍（Plating）以及列印等工藝。典型的封裝工藝流程為：劃片 裝片 鍵合 塑封 去飛邊 電鍍 列印 切筋和成型 外觀檢查 成品測試 包裝出貨。分類 各種半導體封裝形式...
擴散、離子注入等一系列流程，製作出電晶體和積體電路；器件和電路都是在晶片表面一層附近處，整個晶片基本上保持是平坦的（實際上，表面上存在許多台階）；製作出的電晶體稱為平面電晶體（相對於台面電晶體而言），故稱相應的製作工藝為平面工藝。現在平面工藝已經是製造各種半導體器件與積體電路的基本工藝技術。
MEMS製造工藝（Microelectromechanical systems，MEMS ）是下至納米尺度，上至毫米尺度微結構加工工藝的通稱。廣義上的MEMS製造工藝，方式十分豐富，幾乎涉及了各種現代加工技術。起源於半導體和微電子工藝，以光刻、外延、薄膜澱積、氧化、擴散、注入、濺射、蒸鍍、刻蝕、劃片和封裝等為基本工藝步驟來製造複雜三維形體的微...
半導體外延亦稱矽及鍺矽外延，是一個電子工藝名詞，作用對象為半導體。矽及鍺矽外延工藝在現代積體電路製造中套用十分廣泛,概括起來主要包括:1.矽襯體外延:矽片製造中為了提高矽片的品質通常在矽片上外延一層純淨度更高的本徵矽，或者在高摻雜矽襯底上生長外延層以防止器件的閂鎖（latch up）效應。2.異質結雙極電晶體...
有機化合物半導體 已知的有機半導體有幾十種，熟知的有萘、蒽、聚丙烯腈、酞菁和一些芳香族化合物等，它們作為半導體尚未得到套用。非晶態與液態半導體 這類半導體與晶態半導體的最大區別是不具有嚴格周期性排列的晶體結構。新型材料 其結構穩定，擁有卓越的電學特性，而且成本低廉，可被用於製造現代電子設備中廣泛...
第六版修訂了微晶片製造領域的新進展， 討論了用於圖形化、 摻雜和薄膜步驟的先進工藝和尖端技術， 使隱含在複雜的現代半導體製造材料與工藝中的物理、 化學和電子的基礎信息更易理解。本書的主要特點是避開了複雜的數學問題介紹工藝技術內容， 並加入了半導體業界的新成果， 可以使讀者了解工藝技術發展的趨...
《半導體工藝與積體電路製造技術》是2023年科學出版社出版的圖書。內容簡介 《半導體工藝與積體電路製造技術》將系統地介紹微電子製造科學原理與工程技術，覆蓋積體電路製造所涉及的晶圓材料、擴散、氧化、離子注入、光刻、刻蝕、薄膜澱積、測試及封裝等單項工藝，以及以互補金屬氧化物半導體(CMOS)積體電路為主線的工藝集成。
第六版修訂了微晶片製造領域的新進展，討論了用於圖形化、摻雜和薄膜步驟的先進工藝和尖端技術，使隱含在複雜的現代半導體製造材料與工藝中的物理、化學和電子的基礎信息更易理解。本書的主要特點是避開了複雜的數學問題介紹工藝技術內容，並加入了半導體業界的新成果，可以使讀者了解工藝技術發展的趨勢。目錄...
IC製造中最普通的外延反應是高溫CVD系統。工藝簡介 在一些正處於研究階段的套用中，外延能達到製造未來高性能IC的要求。例如用來獲得低的接觸電阻的抬高的源漏結構（S/D）。通過在器件的源端、漏端和柵區域澱積外延矽可以形成抬髙的源漏結構。這能有效地增加源漏的表面積因此降低薄層電阻(類似於相同材料下直徑大的...
《半導造工藝基礎》是2020年安徽大學出版社出版的圖書。內容簡介 本書主要介紹從晶體生長到集成器件和電路的完整的半導體製造技術，具體包括晶體生長、矽的氧化、光刻、刻蝕、擴散、離子注入、薄膜澱積、工藝集成、積體電路製造、半導體製造的未來趨勢和挑戰等。每章均提供一些實例及解答，最後附有課外習題。本書可供高等...
本書的範圍包括半導體工藝的每個階段：從原材料的製備到封裝、測試和成品運輸，以及傳統的和現代的工藝。全書提供了詳細的插圖和實例，每章包含回顧總結和習題，並輔以豐富的術語表。第六版修訂了微晶片製造領域的新進展，討論了用於圖形化、摻雜和薄膜步驟的先進工藝和尖端技術，使隱含在複雜的現代半導體製造材料和工藝...
刻蝕，英文為Etch，它是半導體製造工藝，微電子IC製造工藝以及微納製造工藝中的一種相當重要的步驟。是與光刻相聯繫的圖形化（pattern）處理的一種主要工藝。所謂刻蝕，實際上狹義理解就是光刻腐蝕，先通過光刻將光刻膠進行光刻曝光處理，然後通過其它方式實現腐蝕處理掉所需除去的部分。刻蝕是用化學或物理方法有選擇地...
但由於其曝光效率低，主要用於實驗室小樣品納米製造。而電子束曝光要適應大批量生產，如何進一步提高曝光速度是個難題。為了解決電子束光刻的效率問題，通常將其與其他光刻技術配合使用。例如為解決曝光效率問題，通常採用電子束光刻與光學光刻進行匹配與混合光刻的辦法，即大部分曝光工藝仍然採用現有十分成熟的半導體光學...
90年代末至今，在高端的半導體製造中一般會用到此種機型，用於≤0.18 μm工藝。在曝光過程中，掩膜版在一個方向上移動，同時晶圓在與其垂直的方向上同步移動。特點：增大了每次曝光的視場；提供矽片表面不平整的補償；提高整個矽片的尺寸均勻性。但是，同時因為需要反向運動，增加了機械系統的精度要求，Scanner通常比...
因有些廠只做外延之後的工藝生產，所以他們買別人做好外延工藝的外延片來接著做後續工藝。產品簡介 半導體製造商主要用拋光Si片（PW）和外延Si片作為IC的原材料。20世紀80年代早期開始使用外延片，它具有標準PW所不具有的某些電學特性並消除了許多在晶體生長和其後的晶片加工中所引入的表面/近表面缺陷。歷史上，外延...
如圖1所示，常見的 200mm CMOS 晶片的晶圓製造過程。化學氣相沉積是在製造微電子器件時被用來沉積出某種薄膜的技術，這種薄膜可能是介電材料或者半導體。物理氣相沉積技術則是使用惰性氣體，撞擊濺鍍靶材，在晶圓表面沉積出所需的材質。製程反應室內的高溫和真空環境可以使這些金屬原子結成晶粒，在經過圖案化（patterned）...
