刻蝕

刻蝕,英文為Etch,它是半導體製造工藝,微電子IC製造工藝以及微納製造工藝中的一種相當重要的步驟。是與光刻相聯繫的圖形化(pattern)處理的一種主要工藝。所謂刻蝕,...

刻蝕技術(etching technique),是在半導體工藝,按照掩模圖形或設計要求對半導體襯底表面或表面覆蓋薄膜進行選擇性腐蝕或剝離的技術。刻蝕技術不僅是半導體器件和積體電路...

刻蝕工藝編輯 鎖定 把未被抗蝕劑掩蔽的薄膜層除去,從而在薄膜上得到與抗蝕劑膜上完全相同圖形的工藝。在積體電路製造過程中,經過掩模套準、曝光和顯影,在抗蝕劑...

刻蝕選擇比指的是在同一刻蝕條件下一種材料與另一種材料相對刻蝕速率快慢。它定義為被刻蝕材料的刻蝕速率與另一種材料的刻蝕速率的比(圖1)。...

光刻蝕phaloetching用照相製版的方法,將光敏高分子製成一定圖形的杭蝕性膜,再用化學或電化學方法進行腐蝕或電鍍的過程。如印刷線路銅版的製作。 ...

刻蝕偏差是指刻蝕以後線寬或關鍵尺寸間距的變化(見圖1)。它通常是由於橫向鑽刻引起的(見圖2),但也能由刻蝕剖面引起。當刻蝕中要去除掩模下過量的材料時,會...

乾法刻蝕是用電漿進行薄膜刻蝕的技術。當氣體以電漿形式存在時,它具備兩個特點:一方面電漿中的這些氣體化學活性比常態下時要強很多,根據被刻蝕材料的不...

刻蝕劑}trh}nt清除基片上無用的金屬化塗層的化學 活J葉溶液。 ...... 刻蝕劑}trh}nt清除基片上無用的金屬化塗層的化學 活J葉溶液。[1] 參考資料 1. 化學...

光電化學刻蝕在光照射下,半導體基質在與其相接觸的電解質溶液中的溶蝕過程,這種技術用於半導體表面的光學製版工藝。...

刻蝕設備的發展和光刻技術,互連技術密切相關。High K / Low K材料,銅互連,Metal Gate,double Pattern等技術的發展都對刻蝕設備提出了新的需求·...

等離子刻蝕機,又叫等離子蝕刻機、等離子平面刻蝕機、電漿刻蝕機、等離子表面處理儀、等離子清洗系統等。等離子刻蝕,是乾法刻蝕中最常見的一種形式,其原理是暴露在...

刻蝕剖面指的是被刻蝕圖形的側壁形狀。有兩種基本的刻蝕剖面:各向同性和各向異性刻蝕剖面。各向同性的刻蝕剖面是在所有方向上(橫向和縱向)以相同的刻蝕速率進行刻蝕,...

反應離子腐蝕技術是一種各向異性很強、選擇性高的乾法腐蝕技術。它是在真空系統中利用分子氣體等離子來進行刻蝕的,利用了離子誘導化學反應來實現各向異性刻蝕,即是...

中文名稱 刻蝕作用 英文名稱 etching 定義 被風吹揚而起的沙粒對岩石和礦物表面的侵蝕和打擊作用。 套用學科 地理學(一級學科),地貌學(二級學科) 以上內容...

各向異性刻蝕通常是指不同的結晶學平面呈現出不同的腐蝕速率的刻蝕方法。...... 各向異性刻蝕通常是指不同的結晶學平面呈現出不同的腐蝕速率的刻蝕方法。...

軟刻蝕技術是相對於微製造領域中占據主導地位的光刻蝕而言的,它之所以被稱為“軟刻蝕”主要有兩個原因:一是它採用了彈性體印章(或模具)來將圖案轉移到基底上;二...

刻蝕負載效應,是指局部刻蝕氣體的消耗大於供給引起的刻蝕速率下降或分布不均的效應。負載效應(loading effect)可以分為3種:巨觀負載效應(macroloading)、微觀負載效應...

凍刻蝕技術(freeze-etching technique)是透射電子顯微鏡觀察用試樣的制樣法之一。該法的特點是能較好地保持含水樣品如生物組織的自然狀態。在常壓下將樣品在-150℃...

離子束刻蝕也稱為離子銑,是指當定向高能離子向固體靶撞擊時,能量從入射離子轉移到固體表面原子上,如果固體表面原子間結合能低於入射離子能量時,固體表面原子就會被...

中文名稱 雷射刻蝕 英文名稱 laser corrosion 定義 採用高能脈衝雷射束在零件表面刻蝕出寬度為10~505m、深度為5~1001m的微細小槽,以改善材料表面潤滑特性的技術...

是一種刻蝕方法,主要在較為平整的膜面上刻出絨面,從而增加光程,減少光的反射,刻蝕可用稀釋的鹽酸等 濕法刻蝕是將刻蝕材料浸泡在腐蝕液內進行腐蝕的技術。簡單來...

反應性離子刻蝕 (reaction ionetching;RIE)是製作半導體積體電路的蝕刻工藝之一。在除去不需要的積體電路板上的保護膜時,利用反應性氣體的離子束,切斷保護膜物質的...

刻蝕速率是指在刻蝕過程中去除矽片表面材料的速度,如圖1所示,通常用Å /min表示。...

深電漿刻蝕,也稱大深寬比刻蝕(High Aspect Ratio Etching,HARE),一般是選用Si作為刻蝕微結構的加工對象,它有別於VLSI 中的矽刻蝕,因此又稱為先進矽刻蝕(...

薄膜刻蝕技術是一種使用物理或化學的方法使薄膜材料消蝕的技術。...... 本發明為一種薄膜刻蝕方法,是套用於一半導體或薄膜電晶體陣列(TFTArray)的薄膜製程中,用以...

中文名稱 刻蝕夷平面 英文名稱 etched [planation] surface 定義 已經形成並在其上發育有厚層紅土風化殼的夷平面經過後期再次剝蝕,相當一部分紅土和基岩被移走...

中文名稱 離子刻蝕 英文名稱 ion etching 定義 利用離子轟擊作用,對材料表面進行刻蝕的過程。 套用學科 材料科學技術(一級學科),材料科學技術基礎(二級學科),...

刻蝕後檢(測)(After Etching Inspection,AEI),即刻蝕後的CD測量。在刻蝕製程光刻膠去除前及光刻膠去除後,分別對產品實施全檢或抽樣檢查。AEI一般用於檢測刻蝕機...

DRIE,全稱是Deep Reactive Ion Etching,深反應離子刻蝕,一種微電子乾法腐蝕工藝。...... DRIE,全稱是Deep Reactive Ion Etching,深反應離子刻蝕,一種微電子乾法腐蝕...

反應離子腐蝕技術是一種各向異性很強、選擇性高的乾法腐蝕技術。它是在真空系統中利用分子氣體等離子來進行刻蝕的,利用了離子誘導化學反應來實現各向異性刻蝕,即是...