刻蝕選擇比指的是在同一刻蝕條件下一種材料與另一種材料相對刻蝕速率快慢。它定義為被刻蝕材料的刻蝕速率與另一種材料的刻蝕速率的比（圖1）。
基本介紹
- 中文名：刻蝕選擇比
- 外文名：Etch Selectivity
刻蝕選擇比指的是在同一刻蝕條件下一種材料與另一種材料相對刻蝕速率快慢。它定義為被刻蝕材料的刻蝕速率與另一種材料的刻蝕速率的比（圖1）。高選擇比意味著只刻除想要刻去的那一層材料。一個高選擇比的刻蝕工藝不刻蝕下面一層材料（刻蝕到恰當的深度時停止）並且保護的光刻膠也未被刻蝕。圖形幾何尺寸的縮小要求減薄光刻膠厚度。高選擇比在最先進的工藝中為了確保關鍵尺寸和剖面控制是必需的。特別是關鍵尺寸越小，選擇比要求越高。
圖1 刻蝕選擇比
對於被刻蝕材料和掩蔽層材料（例如光刻膠）的選擇比SR可以通過下式計算：
Er=掩蔽層材料的刻蝕速率（如光刻膠）
根據這個公式，選擇比通常表示為一個比值。一個選擇比差的刻蝕工藝這一比值可能是1:1意味著被刻蝕材料與光刻膠掩蔽層被除去得一樣快；而一個選擇比高的刻蝕工藝這一比值可能是100:1，說明被刻蝕材料的刻蝕速率是不要被刻蝕材料（如光刻膠）刻蝕速率的100倍。
某些化學濕法腐蝕與襯底晶體材料的晶向有關，例如矽晶體在鹼性溶液中的腐蝕，其各向異性不是沿深度方向的各向異性，而是沿晶向面方向的各向異性。
