分子束外延聯合系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2015年9月21日啟用。
基本介紹
- 中文名:分子束外延聯合系統
- 產地:德國
- 學科領域:物理學、材料科學
- 啟用日期:2015年9月21日
- 所屬類別:工藝試驗儀器 > 電子工藝實驗設備 > 電真空器件工藝實驗設備
分子束外延聯合系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2015年9月21日啟用。
分子束外延聯合系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2015年9月21日啟用。技術指標 背景真空5E-10 mBar,可生長4寸樣品,可同時生長IV和III-V族材料。主要功能 具有IV族和III-V族雙腔的MBE系統,適用於外延生長III-V...
分子束外延掃描隧道顯微鏡超真空聯合系統 分子束外延掃描隧道顯微鏡超真空聯合系統是一種用於物理學領域的分析儀器,於2018年4月3日啟用。技術指標 GC-STMRT-0100-MBE-UHV-0101。主要功能 分子束態分析。
雷射分子束外延RHEED聯合系統 雷射分子束外延RHEED聯合系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2011年7月6日啟用。技術指標 本地真空5x10-8 Pa,工作氧壓≤65Pa。主要功能 製備高精度氧化物超薄膜。
分子束外延系統是一種用於物理學、化學、材料科學領域的分析儀器,於2013年11月22日啟用。技術指標 超高真空沉積腔體,本底真空優於10-9mbar。可集成多種薄膜製備和表面分析設備,如磁控濺射源、離子源、STM、XPS等。可以通過軟體編寫...
MBE分子束外延系統 MBE分子束外延系統是一種用於材料科學領域的物理性能測試儀器,於2007年1月16日啟用。技術指標 外延室真空6.6X10-8Pa,*。主要功能 薄膜樣品製備。
分子束外延生長系統 分子束外延生長系統是一種用於電子與通信技術領域的儀器,於2016年2月1日啟用。技術指標 真空度:10e-8mbar。主要功能 分子束外延生長系統。
分子束外延沉積系統是一種用於物理學、電子與通信技術領域的工藝試驗儀器,於2013年7月9日啟用。技術指標 超真空度:10^-10Torr;原子尺度內可控生長HgCdTe(MCT)基單晶薄膜、異質結和量子阱等;原子層尺度監測材料的生長;納米級超薄膜...
小型分子束外延系統 小型分子束外延系統是一種用於物理學領域的科學儀器,於2011年5月1日啟用。技術指標 三個液態源,兩個固態源,兩路氣態源。主要功能 可以高保形型,原子層厚度逐層生長薄膜材料。
原位分子束外延系統 原位分子束外延系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2014年12月26日啟用。技術指標 LAB-10/VT AFM 25。主要功能 真空度優於10-8bar,最高加熱溫度1500K。
氧化物分子束外延系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2016年9月14日啟用。技術指標 整套氧化物MBE系統由3個主要部分組成,分別是快速進樣室(Loadlock chamber)、緩衝室(Buffer chamber)、生長室(Growth chamber)。
1.0#215;10的負10次方Torr以下;3.最大掃描範圍X,Y,Z=600#215;600#215;300nm(0.4K下);4.磁場強度:垂直磁場12T;5.最低溫度:0.4K。主要功能 該分子束外延-掃描隧道顯微鏡聯合系統主要用於低維量子結構的製備和表征。
該設備將分子束外延(MBE), 化學氣相沉積(CVD)與原子層沉積(ALD)三種薄膜生長手段聯合在一起, 可以充分發揮不同薄膜生長手段的優勢。適用於生長超導薄膜、石墨烯、各類二維材料、氧化物介電層以及各類人工異質結等。適用範圍非常廣,可...