MBE-CVD-ALD集成生長系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器，於2014年12月3日啟用。
基本介紹
- 中文名：MBE-CVD-ALD集成生長系統
- 產地：中國
- 學科領域：物理學、材料科學
- 啟用日期：2014年12月3日
- 所屬類別：工藝試驗儀器 > 電子工藝實驗設備 > 半導體積體電路工藝實驗設備
技術指標,主要功能,
技術指標
1.MBE腔室極限真空不低於5x10-10mbar；配備三套熱蒸發源(低溫、中溫、高溫各一套)、溫度穩定性±0.1℃；襯底加熱溫度不低於1100℃，溫度穩定性±1℃；膜厚測量儀提供不低於2個測量通道(兩個探頭)；配置一套反射高能電子衍射儀(RHEED，最高工作電壓15KV)；提供真空測量和抽氣系統 2.UFO部分腔室極限真空不低於5x10-10 mbar；提供真空測量和抽氣系統，提供不低於2個備用接口 3.Load lock極限真空不低於10-7mbar；樣品停放位置不低於6個；提供烘烤功能，最高烘烤溫度不低於400℃ 4.CVD部分單溫區爐，最高穩定溫度1150℃，電阻絲加熱方式；腔室極限真空不低於5x10-4mbar；管路系統包括至少5路進氣以及一路出氣；尾氣排放裝置；危險氣體泄漏偵測裝置；石英管接口提供水冷部件；提供真空測量和抽氣系統 5.ALD部分至少3路前驅體源管路；前驅體加熱溫度RT-200℃，控制精度±1℃；反應腔烘烤溫度RT-200℃可控控制，精度±1℃；襯底溫度RT-400℃可控，控制精度±1℃；配備臭氧系統；提供真空測量和抽氣系統。
主要功能
該設備將分子束外延(MBE), 化學氣相沉積(CVD)與原子層沉積(ALD)三種薄膜生長手段聯合在一起, 可以充分發揮不同薄膜生長手段的優勢。適用於生長超導薄膜、石墨烯、各類二維材料、氧化物介電層以及各類人工異質結等。適用範圍非常廣，可支持新材料探索等原創性工作的開展。
