原位分子束外延系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2014年12月26日啟用。
基本介紹
- 中文名:原位分子束外延系統
- 產地:德國
- 學科領域:物理學、材料科學
- 啟用日期:2014年12月26日
- 所屬類別:工藝試驗儀器
原位分子束外延系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2014年12月26日啟用。
原位分子束外延系統 原位分子束外延系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2014年12月26日啟用。技術指標 LAB-10/VT AFM 25。主要功能 真空度優於10-8bar,最高加熱溫度1500K。
可以通過軟體編寫工藝流程,系統自動執行,可實現多層膜的自動化生長。提供雷射分子束外延系統原位監測的RHEED的電子槍通常需要工作在較高的真空環境下(小於10-6mbar),但LMBE系統在成膜過程中往往需要較高的工藝壓力,我們的LMBE採用的是...
分子束外延聯合系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2015年9月21日啟用。技術指標 背景真空5E-10 mBar,可生長4寸樣品,可同時生長IV和III-V族材料。主要功能 具有IV族和III-V族雙腔的MBE系統,適用於外延生長III-V...
④可獲得大面積的表面和界面有原子級平整度的外延生長膜。⑤在同一系統中,可原位觀察單晶薄膜的生長過程,可以進行生長機制的研究。外延生長的缺點是時間長,大批量生產性差,對真空條件要求高。影響分子束外延的因素 1、外延溫度 為了...
超高真空分子束外延生長和原位測量系統是一種用於物理學領域的工藝試驗儀器,於2008年8月1日啟用。技術指標 本底真空可達1*10^-10Torr PLD靶數量:6個 熱蒸發源數量:5個 樣品架變溫範圍:-200~1000攝氏度。主要功能 主要用於薄膜...
雷射分子束外延系統(LMBE)是在傳統的分子束外延(MBE)和脈衝雷射沉積系統(PLD)的基礎上發展而來的,PLD與提供原位監測的反射高能電子衍射儀(RHEED)相結合,使得系統能夠實現類似於MBE的,單原子層精度的薄膜生長。相比於MBE的熱蒸發...
分子束外延是種物理沉積單晶薄膜方法。在超高真空腔內,源材料通過高溫蒸發、輝光放電離子化、氣體裂解,電子束加熱蒸發等方法,產生分子束流。入射分子束與襯底交換能量後,經表面吸附、遷移、成核、生長成膜。生長系統配有多種監控設備,可...
雷射分子束外延及表面檢測系統是一種用於物理學、材料科學領域的分析儀器,於1997年9月28日啟用。技術指標 配置了目前國際上溫度最低(6 K)的四探針SPM系統;配置了解析度可達20nm的原位超高真空SEM;四探針測試平台可外加磁場(1.0 T...
矽鍺分子束外延系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2018年04月20日啟用。技術指標 背景真空5E-10 mBar,可生長4寸樣品,生長IV族材料。主要功能 具有IV族生長腔的MBE系統,適用於外延生長IV族半導體低維量子材料,如...
超高真空雷射分子束外延系統 超高真空雷射分子束外延系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2013年11月21日啟用。技術指標 RHEED振盪。主要功能 可提供多種氧化物單晶薄膜製備,並實現原位金屬電極沉積。
整個系統不僅在各項指標上達到了國際先進水平,同時極大提高了我們對樣品調控的自由度。在這套系統中,我們將原位樣品調控系統、分子束外延生長系統和最新一代的角分辨光電子能譜系統緊密結合在了一起。利用這一系統,我們取得了多個研究...
原子級分辨(0.1 nm),光學兼容性:掃描探頭上直接集成高數值孔徑 (N.A.=0.5) 的非球面鏡,磁場: 2特斯拉,原位電子輸運測量:掃描探頭上直接集成6個電極,電極的製備:利用掩膜技術和分子束外延技術在超高真空中原位沉積電極。
我們在現有的角分辨能譜儀上已擴建了先進的過渡金屬氧化物分子束外延系統,通過結合原位生長和測量,將把電子結構研究擴展到了以前無法探測的經典或重要材料中。結合氧化物薄膜和異質結的生長,光電子能譜,輸運性質測量,表面磁學測量和...