雷射分子束外延及表面檢測系統是一種用於物理學、材料科學領域的分析儀器，於1997年9月28日啟用。
基本介紹
- 中文名：雷射分子束外延及表面檢測系統
- 產地：日本
- 學科領域：物理學、材料科學
- 啟用日期：1997年9月28日
- 所屬類別：分析儀器 > 顯微鏡及圖象分析儀器 > 掃描探針顯微鏡
技術指標,主要功能,
技術指標
配置了目前國際上溫度最低（6 K）的四探針SPM系統；配置了解析度可達20nm的原位超高真空SEM；四探針測試平台可外加磁場（1.0 T）；超高真空變溫四探針SPM具有單探針SPM的所有功能，每一根探針不僅可以精確地表征各種（導電和非導電）薄膜表面的原子形貌，還可以測量樣品的掃描隧道譜（STS，解析度0.01 meV和0.1 pA），其STM和AFM的解析度分別為 0.1 nm和1 nm。
主要功能
集雷射分子束外延薄膜沉積、表面形貌觀測、納米材料特性和結構的表征、納米結構加工、外加磁場下局域輸運性質測量於一體。可用於測量低溫、外加磁場下的掃描隧道譜，體材料的R-T曲線、I-V和dI/dV-V特性曲線、霍爾效應以及磁電阻效應等輸運性質。
