MBE分子束外延系統是一種用於材料科學領域的物理性能測試儀器,於2007年1月16日啟用。
基本介紹
- 中文名:MBE分子束外延系統
- 產地:中國
- 學科領域:材料科學
- 啟用日期:2007年1月16日
- 所屬類別:物理性能測試儀器 > 力學性能測試儀器 > 材料試驗機
MBE分子束外延系統是一種用於材料科學領域的物理性能測試儀器,於2007年1月16日啟用。
MBE分子束外延系統 MBE分子束外延系統是一種用於材料科學領域的物理性能測試儀器,於2007年1月16日啟用。技術指標 外延室真空6.6X10-8Pa,*。主要功能 薄膜樣品製備。
分子束外延生長系統MBE是一種用於物理學領域的科學儀器,於2018年12月6日啟用。中文名 分子束外延生長系統MBE 產地 中國 學科領域 物理學 啟用日期 2018年12月6日 目錄 1 技術指標 2 主要功能 技術指標 編輯 語音 GC...
矽鍺分子束外延系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2018年04月20日啟用。技術指標 背景真空5E-10 mBar,可生長4寸樣品,生長IV族材料。主要功能 具有IV族生長腔的MBE系統,適用於外延生長IV族半導體低維量子材料,如...
分子束外延(MBE)是新發展起來的外延制膜方法,也是一種特殊的真空鍍膜工藝。外延是一種製備單晶薄膜的新技術,它是在適當的襯底與合適的條件下,沿襯底材料晶軸方向逐層生長薄膜的方法。該技術的優點是:使用的襯底溫度低,膜層生長...
分子束外延設備有很多種。但就其主要結構而論是大同小異的。分子束外延的設備較其他外延技術的設備複雜,要包括超高真空系統努森箱及各種分析儀器。從MBE技術的發展過程看,當初主要是為開發以GaAs為中心的Ⅲ-V族化合物半導體,而後是針對...
單原子層精度的薄膜生長。相比於MBE的熱蒸發,它是使用脈衝雷射的高能量使材料蒸發甚至電離,因此被稱作LaserMBE(雷射分子束外延系統)。LMBE屬於高端薄膜製備設備,適用於生長各種納米尺度的單層膜或多層膜。
分子束外延聯合系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2015年9月21日啟用。技術指標 背景真空5E-10 mBar,可生長4寸樣品,可同時生長IV和III-V族材料。主要功能 具有IV族和III-V族雙腔的MBE系統,適用於外延生長III-V...
簡稱MBE法。分子束外延生長的原理及特點 分子束外延,就是在超高真空系統中把所需要的結晶材料放入到噴射爐中,將噴射爐加熱。使結晶材料形成分子束,從爐中噴出後,沉積在溫度保持在幾百度的單晶基片上。如果設定幾個噴射爐,就可以...
由於MBE 的生長環境潔淨、溫度低、具有精確的原位實時監測系統、晶體完整性好、組分與厚度均勻準確,是良好的光電薄膜,半導體薄膜生長工具。中文名 分子束外延法 外文名 Molecular Beam Epitaxy 性質 新的晶體生長技術 簡稱 MBE ...
該設備將分子束外延(MBE), 化學氣相沉積(CVD)與原子層沉積(ALD)三種薄膜生長手段聯合在一起, 可以充分發揮不同薄膜生長手段的優勢。適用於生長超導薄膜、石墨烯、各類二維材料、氧化物介電層以及各類人工異質結等。適用範圍非常廣,可...
氧化物分子束外延系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2016年9月14日啟用。技術指標 整套氧化物MBE系統由3個主要部分組成,分別是快速進樣室(Loadlock chamber)、緩衝室(Buffer chamber)、生長室(Growth chamber)。
分子束外延掃描隧道顯微鏡超真空聯合系統 分子束外延掃描隧道顯微鏡超真空聯合系統是一種用於物理學領域的分析儀器,於2018年4月3日啟用。技術指標 GC-STMRT-0100-MBE-UHV-0101。主要功能 分子束態分析。
本項目將採用分子束外延生長(MBE)和掃描探針(SPM)聯合系統,研究矽(Si)襯底上ZnO的MBE生長動力學。通過最佳化生長條件和材料結構,使用高分辨RHEED和STM/AFM 原位分析表面/界面,以探索高質量ZnO材料的MBE製備。分析雜質缺陷、結構相變及...