分子束外延沉積系統是一種用於物理學、電子與通信技術領域的工藝試驗儀器,於2013年7月9日啟用。
基本介紹
- 中文名:分子束外延沉積系統
- 產地:法國
- 學科領域:物理學、電子與通信技術
- 啟用日期:2013年7月9日
- 所屬類別:工藝試驗儀器 > 電子工藝實驗設備 > 電真空器件工藝實驗設備
分子束外延沉積系統是一種用於物理學、電子與通信技術領域的工藝試驗儀器,於2013年7月9日啟用。
分子束外延,就是在超高真空系統中把所需要的結晶材料放入到噴射爐中,將噴射爐加熱。使結晶材料形成分子束,從爐中噴出後,沉積在溫度保持在幾百度的單晶基片上。如果設定幾個噴射爐,就可以製取多元半導體混晶,又可以同時進行摻雜。由於...
分子束外延薄膜沉積系統 分子束外延薄膜沉積系統是一種用於材料科學領域的物理性能測試儀器,於2014年6月5日啟用。技術指標 基礎真空:1.0*10^(-10)Torr。主要功能 薄膜材料樣品製備。
分子束外延設備有很多種。但就其主要結構而論是大同小異的。分子束外延的設備較其他外延技術的設備複雜,要包括超高真空系統努森箱及各種分析儀器。從MBE技術的發展過程看,當初主要是為開發以GaAs為中心的Ⅲ-V族化合物半導體,而後是針對...
該設備將分子束外延(MBE), 化學氣相沉積(CVD)與原子層沉積(ALD)三種薄膜生長手段聯合在一起, 可以充分發揮不同薄膜生長手段的優勢。適用於生長超導薄膜、石墨烯、各類二維材料、氧化物介電層以及各類人工異質結等。適用範圍非常廣,可...
實驗室擁有固態源分子束外延、氣態源分子束外延、氣相沉積、超高真空電子束鍍膜、準分子雷射沉積等大型薄膜材料製備系統,還有X射線四晶衍射、低溫傅立葉變換光譜、光柵光譜、霍爾測試、電化學C-V測試、原子力顯微鏡、半導體器件參數測試儀、...
本項目將採用分子束外延生長(MBE)和掃描探針(SPM)聯合系統,研究矽(Si)襯底上ZnO的MBE生長動力學。通過最佳化生長條件和材料結構,使用高分辨RHEED和STM/AFM 原位分析表面/界面,以探索高質量ZnO材料的MBE製備。分析雜質缺陷、結構相變及...
開發包括各類控制器、精密放大器、束源爐、低溫恆溫器等在內的一批核心關鍵部件,並先後主持或核心參與研製搭建了各類真空系統十餘台套,包括掃描探針顯微鏡系統、分子束外延系統、雷射分子束外延系統、原子層沉積系統等。
設計和組建自旋電子學實驗室,新添了分子束外延系統、脈衝雷射沉積系統、超導量子干涉磁強計、交流梯度磁強計、光致發光譜儀等大型儀器。研究過渡金屬化合物磁性半導體和自旋電子注入半導體。2000年2月—2002 年10 月,研究員,美國阿拉巴馬...
半導體設備/CMP :原子層沉積系統(ALD),MBE分子束外延系統,雷射脈衝沉積(PLD),物理氣相沉積系統(PVD),化學機械拋光設備(CMP)生化儀器:雷射拉曼光譜儀 扭矩測試:多功能扭矩測試儀,電機扭矩測試儀,軸承扭矩測試儀 ...
DQ-500等離子去膠機、全自動清洗甩乾機、AXTRON MOCVD金屬有機物化學氣相沉積系統、4470微控四管擴散爐、4371LPCVD低壓化學沉積系統、OMICRON分子束外延系統、JS-3X100B磁控濺射台、PECVD-2E等離子澱積台、ZZSX500C電子束蒸發台、JC500-...