基本介紹
- 中文名:光刻膠溶劑
- 外文名:Photo resist solvent
光刻膠溶劑是指積體電路製造光刻工藝光刻膠配方中所使用的溶劑。光刻膠溶劑選取的基本原則是聚合物在其中的溶解度,描述聚合物在有機溶劑里的溶解度由Charles Hansen提出,也被稱為Hansen方法2。這種方法用四個物理...
顯影液(Developer)是溶解由曝光造成的光刻膠的可溶解區域的一種化學溶劑。產品簡介 顯影液是溶解由曝光造成的光刻膠的可溶解區域的一種化學溶劑。對於負顯影工藝,顯影液通常是一種有機溶劑,如二甲苯。對於正顯影工藝,圖1所示。顯影液是一種用水稀釋的強鹼溶液,早期的是氫氧化鉀與水的混合物,但這兩種都包含...
光刻負膠,樹脂是聚異戊二烯,一種天然的橡膠;溶劑是二甲苯;感光劑是種經過曝光後釋放出氮氣的光敏劑,產生的自由基在橡膠分子間形成交聯。從而變得不溶於顯影液。負性光刻膠在曝光區由溶劑引起泡漲;曝光時光刻膠容易與氮氣反應而抑制交聯。光刻膠 光刻膠的組成:樹脂( resin,polymer),光膠中不同材料的黏合...
正型光刻膠 由光分解劑和鹼性可溶性樹脂及溶劑組成,為重氮茶醒磺酸醋及線性酚醛製成。在受紫外光照射後光照區光分解劑發生分解,溶於有機或無機鹼性水溶液.未曝光部分被保留下來,與母版形成相同的圖形。該品為墟拍色液體。易溶於醚、酯、酮等有機溶劑,其特點是分辭率好,可以獲得亞微米級線寬圖形。由於感光...
聚乙烯醇肉桂酸酯負性光刻膠(polyvinyl cinnamate negative photoersist )也稱聚肉桂酸酯負性光致抗蝕劑。其配膠組成如下。高聚物: 聚乙烯醇肉桂酸酯; 增感劑: 5-硝基苊; 溶劑: 環己酮; 添加劑: 根據需要。產品性能 淡黃色液體。在紫外光照射下發生聚合反應,不見光的部分不聚合。曝光顯影后圖形清晰、質量...
光刻膠是曝光技術中重要的組成部分,而光刻膠配方起到了決定性作用。選取合適的溶劑是光刻膠配方的重要工作,溶劑對光刻膠的性能有很大影響。溶劑選取的一個基本準則是聚合物在其中的溶解度,描述聚合物在有機溶劑的溶解度的理論是由Charles Hansen提出的,被稱為Hansen方法。Hansen方法使用四個物理參數來判斷聚合物...
(2)感光材料。感光材料一般為複合性物質(簡稱PAC或感光劑)。感光劑在受光輻照之後會發生化學反應。正膠的感光劑在未曝光區域起抑制溶解的作用,可以減慢光刻膠在顯影液中的溶解速度。以正性膠為例,使用g射線和i射線光刻中的正性膠是由重氮醌(簡稱為DQ)感光劑和酚樹脂構成。(3)溶劑(如丙二醇-甲基乙醚,PGME)...
正型光刻膠稀釋劑 正型光刻膠稀釋劑 主要成分為醚及醋。無色透明的有機溶劑。易燃,易吸水,應在乾燥、遠離火源處存放。可用作調整正型光刻膠膠液濃度的稀釋劑。
光刻膠塗覆後,在矽片邊緣的正反兩面都會有光刻膠的堆積。邊緣的光刻膠一般塗布不均勻,不能得到很好的圖形,而且容易發生剝離(Peeling)而影響其它部分的圖形。所以需要去除。方法:a、化學的方法(Chemical EBR)。軟烘後,用PGMEA或EGMEA去邊溶劑,噴出少量在正反面邊緣處,並小心控制不要到達光刻膠有效區域;b...
感光樹脂經光照後,在曝光區能很快地發生光固化反應,使得這種材料的物理性能,特別是溶解性、親合性等發生明顯變化。經適當的溶劑處理,溶去可溶性部分,得到所需圖像(見圖光致抗蝕劑成像製版過程)。光刻膠廣泛用於印刷電路和積體電路的製造以及印刷製版等過程。光刻膠的技術複雜,品種較多。根據其化學反應機理和...
光刻膠中的成分有聚合物、光敏感劑或光致酸產生劑、溶劑,以及一些特殊功能添加劑。以化學放大膠為例,曝光時激發光化學反應,使光致酸產生劑分解產生酸。產生的酸的濃度與局域的光強和曝光持續的時間有關。這一過程將光學空間像轉換為酸的三維分布。在曝光後烘時,酸分子在膠中擴散,到達聚合物上保護基團所在的...
鄰益氮縈醒光刻膠dixu}naphthnyuinone phntnresist常月J的正性光刻咬。其主要成分有鄰餐氮蔡釀系化合物、鹼溶性高分子類成膜劑(多採用線性酚醛樹脂)、溶劑及其他添加通常用弱鹼水溶液作為顯影液。曝光過程中,見光部分發生光化學反應,由鹼不溶變成鹼可溶,將溶於鹼的見光部分洗去,留下鹼不溶的未見光的部分...
《193nm遠紫外光刻膠及其製備方法》的目的在於解決2005年5月前已有技術存在的上述技術難題,提供一種合成工藝比較簡便、並且兼具解析度高、抗乾法腐蝕性好的193納米遠紫外光刻膠,以及這種光刻膠的製備方法。技術方案 193納米遠紫外光刻膠,包含成膜樹脂、感光劑、添加劑和溶劑,其中成膜樹脂是含有式I所示大分子結構...
光刻材料都被安裝在勻膠顯影機上,根據工藝流程的安排,旋塗或噴淋在晶圓上。光刻材料中,最主要的是光刻膠,它是一種光敏感的聚合物。在一定波長的光照下,光子激發材料中的光化學反應,改變其在顯影液中的溶解度。抗反射塗層被塗覆在光刻膠底部或頂部,吸收或抵消來自晶圓襯底的反射光,消除駐波效應。化學溶劑...
通過在較高溫度下進行烘培,可以使溶劑從光刻膠中揮發出來(前烘後溶劑含量降至5%左右),從而降低了灰塵的沾污。同時,這一步驟還可以減輕因高速旋轉形成的薄膜應力,從而提高光刻膠 襯底上的附著性。在前烘過程中,由於溶劑揮發,光刻膠厚度也會減薄,一般減薄的幅度為10%-20%左右。曝光 在這一步中,將使用...
1. 光刻膠旋塗單元:(1)EBR(edge bead remove)噴嘴是指去邊溶劑噴嘴。有機溶劑從去邊噴嘴中傾斜向外噴在晶圓的邊 緣,同時晶圓以一定的速度旋轉,清洗晶圓的邊緣。(2)膠噴嘴:如圖2所示,不僅僅局限於光刻膠,也可以用於旋塗抗反射塗層和防水頂蓋圖層。(3)背沖洗噴嘴:如圖2所示,也用來噴淋溶劑,在...
且這部分膠容易發生剝離而影響其他部分的圖形,或者造成污染,需要在旋塗結束後立即去除。圖1 多餘的膠在晶圓邊緣堆積,甚至在表面張力的作用下流到晶圓背面 去除方法:化學方法(Chemical EBR),軟烘後,用PGMEA或EGMEA去邊溶劑,噴出少量在正反邊緣處,並小心控制不要達到光刻膠有效區域,如圖2所示。光學方法(...
但是實驗並沒有在暴露於水中的光刻膠上發現氣泡,研究人員初步分析有可能是脫氣很少,或者脫氣的組分是水溶性的。儘管如此,為防止意外情況,浸沒式光刻中的光刻膠還是要選擇低放氣量的光刻膠有助於曝光過程中氣泡的產生。對烘烤工藝的影響 光刻膠材料的放氣也會發生在烘烤步驟中,放氣的主要成分是溶劑,也包含一些...
粘滯性指的是衡量液體光刻膠流動特性的定量指標。粘滯性與時間相關,因為它會在使用中隨著光刻膠溶劑揮發增加。粘滯性非常重要,因為矽片表面具有各種形貌,例如,台階和狹縫,在這些地方,它會影響光刻膠的厚度和均勻性。隨著粘滯性增加,光刻膠流動的趨勢變小,它在矽片上的厚度增加。低粘滯性光刻膠流動的傾向...
2、用作分析試劑,如作溶劑,色譜分析標準物質。還用於有機合成; 3、絡合滴定銅、鐵、矽、鋁、鈣、鎂等;色譜分析標準物; 4、用作光刻膠溶劑; 5、用於精油的萃取; 6、環己烷為清洗去油劑,MOS級主要用於分立器件,中、大規模積體電路,BV-Ⅲ級主要用於超大規模積體電路。
3.可用於墨水、紡織染料、紡織油劑的溶劑,也可用於液晶顯示器生產中的清洗劑。4.可用於光刻膠生產過程中TFT-LCD光阻稀釋劑、光阻去除液、剝離劑、IC用清洗劑、去光阻緩衝液、蝕劑製程等及其他需特殊規格之化學產品。5.在皮革工業中,作為糅劑的溶劑,可提高皮革的柔軟性和保持良好的光澤。6.在化學製品領域,...
1.用作硝基噴漆、塗料、膠黏劑及清漆的溶劑,並用來製造苯胺、苯酚、苦味酸、染料、人造麝香、合成纖維、醫藥、香料、殺蟲劑等的原料及橡膠助 2.用於測定化合物中水分。精密光學儀器、電子工業的溶劑和清洗劑。3.用作溶劑、精密光學儀器及電子工業用的清洗劑。4.用於電子工業,常作清洗去油劑及某些光刻膠溶劑。儲...
光刻膠具有光化學、抗蝕、一定的機械及耐熱特性,使用範圍已愈來愈廣,除在電子工業使用外,還能用於印611工業仁,凸版的刻蝕、電鍍1業中的保護層、精密儀器力f.中的光柵、應力片、鐘錶加工等。一般光l膠由成膜材料、光敏材料、溶劑及添加劑等組成,光刻膠可按顯影后在光刻膠塗膜上所形成的圖形與掩模圖形關係...
對羥基苯乙烯是一種重要的化工及醫藥中間體,在各類高分子材料及醫藥合成過程中有著較為廣泛的套用,如新興的光刻膠技術,正型化學增幅抗蝕劑一般採用聚對羥基苯乙烯的衍生物作為酸敏樹脂,含對羥基苯乙烯基高分子光阻劑已成為光刻蝕0.11μm線寬晶片的關鍵技術。簡介 使用限量 焙烤製品、肉製品、調味汁,5.0;...
堅膜烘焙 光刻中顯影后的熱烘即堅膜烘焙。堅膜烘焙要求揮發掉存留的光刻膠溶劑,提高光刻膠對矽片表面的粘附性。這一步是穩固光刻膠,對後面的刻蝕和離子注入過程非常關鍵。正性光刻膠的堅膜烘焙溫度約為120到140度,這比軟烘溫度要高,但也不能太高,否則光刻膠就會流動從而破壞圖形。
軟烘的溫度和時間視光刻膠和工藝條件而定。光刻基本步驟 為方便起見,可將光刻的圖形形成過程分為8個步驟,即氣象成底膜,旋轉塗膠,軟烘,對準和曝光,曝光後烘焙,顯影,堅膜烘焙,顯影檢查。光刻膠軟烘原因 光刻膠軟烘的原因有:1.將矽片上覆蓋的光刻膠溶劑去除;2.增強光刻膠的粘附性以便在顯影時光刻膠...