基本介紹
- 中文名:光刻膠溶劑
- 外文名:Photo resist solvent
光刻膠溶劑是指積體電路製造光刻工藝光刻膠配方中所使用的溶劑。...... 光刻膠溶劑是指積體電路製造光刻工藝光刻膠配方中所使用的溶劑 [1] 。中文名 光刻膠...
光刻膠是微電子技術中微細圖形加工的關鍵材料之一,特別是近年來大規模和超大規模積體電路的發展,更是大大促進了光刻膠的研究開發和套用。印刷工業是光刻膠套用的...
根據光刻膠在溶劑中的溶解度,選擇光刻中合適的溶劑的方法稱為光刻膠配方。...... 選取合適的溶劑是光刻膠配方的重要工作,溶劑對光刻膠的性能有很大影響。溶劑選...
低速旋轉(500rpm_rotation per minute)、滴膠、加速旋轉(3000rpm)、甩膠、揮發溶劑。決定光刻膠塗膠厚度的關鍵參數:光刻膠的黏度(Viscosity),黏度越低,光刻膠的...
正性光刻膠也稱為正膠。正性光刻膠樹脂是一種叫做線性酚醛樹脂的酚醛甲醛,提供光刻膠的粘附性、化學抗蝕性,當沒有溶解抑制劑存在時,線性酚醛樹脂會溶解在顯影...
正型光刻膠稀釋劑 主要成分為醚及醋。無色透明的有機溶劑。易燃,易吸水,應在乾燥、遠離火源處存放。可用作調整正型光刻膠膠液濃度的稀釋劑。 ...
噴嘴用來供應光刻膠和各種有機溶劑,每一個噴嘴對應一種材料,如圖1所示。在整個光刻工藝中,除了曝光,其餘所有的步驟都是在勻膠顯影機中完成的。勻膠顯影機的主要...
正型光刻膠 由光分解劑和鹼性可溶性樹脂及溶劑組成,為重氮茶醒磺酸醋及線性酚醛製成。...
光刻膠旋塗單元包括一個可以旋轉的樣品台(spin table)和幾個噴嘴(nozzle),負責對晶圓表面做光刻膠塗覆,實現指定的厚度和均勻性。...
光刻負膠,樹脂是聚異戊二烯,一種天然的橡膠;溶劑是二甲苯;感光劑是種經過曝光後釋放出氮氣的光敏劑,產生的自由基在橡膠分子間形成交聯。從而變得不溶於顯影液。...
光刻材料是指光刻工藝中用到的增粘材料、抗反射塗層、光刻膠、化學溶劑和顯影液,還包括193nm浸沒式光刻中用到的抗水塗層。...
負性光刻膠又稱光致抗蝕劑,是一種由感光樹脂、增感劑(見光譜增感染料)和溶劑三種主要成分組成的對光敏感的混合液體。...
光刻(英語:photolithography)工藝是半導體器件製造工藝中的一個重要步驟,該步驟利用曝光和顯影在光刻膠層上刻畫幾何圖形結構,然後通過刻蝕工藝將光掩模上的圖形轉移...
軟烘後,利用化學或光學的方法去除晶圓邊緣處的光刻膠,稱為光刻膠邊緣修復,也叫光刻膠去邊。...
光刻工藝過程可以用光學和化學模型,藉助數學公式來描述。光照射在掩模上發生衍射,衍射級被投影透鏡收集並會聚在光刻膠表面,這一成像過程是一個光學過程;投影在光...
正性光刻膠,樹脂是一種叫做線性酚醛樹脂的酚醛甲醛,提供光刻膠的黏附性、化學抗蝕性,當沒有溶解抑制劑存在時,線性酚醛樹脂會溶解在顯影液中;感光劑是光敏化合物...
疵病缺陷主要來源於顯影或腐蝕鉻,進行產品表面乾燥時,乾燥設備所出氣體的乾燥程度和後烘時光刻膠內溶劑產生的氣體排放是否完全 [2] 。...
顯影液是溶解由曝光造成的光刻膠的可溶解區域的一種化學溶劑。...... 顯影液是溶解由曝光造成的光刻膠的可溶解區域的一種化學溶劑 [1] 。對於負顯影工藝,顯影...
放氣是指光刻膠在加熱。光照、原子轟擊等條件下放出氣體的現象。光刻膠的放氣現象通常會對工藝造成一定的影響,所以應儘量避免阿膠材料的放氣。...
曝光是利用光照將掩模版上的圖形經過光學系統後投影到光刻膠上,實現圖形轉移,是積體電路製造中光刻工藝的重要工序之一。...
抗反射塗層(Anti-Reflection Coating, ARC)是旋塗於光刻膠與Si襯底界面處以吸收光刻反射光的物質。...
為此提出了兩種解決方案:其一,兩種光刻膠使用不同的溶劑,且第一層光刻膠不溶於第二層光刻膠的溶劑。第一層光刻膠可溶於乙醇,而不溶於PGMEA。其二,使用紫外...
光刻工藝的基本步驟之一,也被稱為旋轉塗膠或甩膠,成底膜處理後,矽片要立即採用旋轉塗膠的方法塗上液相光刻膠材。...
化學放大膠是一種為了提高光刻膠的量子效率(量子效率(quantum efficiency),描述光刻膠對光子的敏感程度),基於化學放大原理的光刻膠,其主要成分是聚合物樹脂、光致...
經過顯影的光刻膠膜已經軟化、膨脹,膠膜與晶圓片表面之間的黏附性下降。堅膜的目的是要使殘留的光刻膠溶劑全部揮發,提高光刻膠與晶圓片表面的黏附性以及光刻膠的...