電漿離子輔助沉積（plasma ion-assisted deposition）是2005年公布的航天科學技術名詞。
基本介紹
- 中文名：電漿離子輔助沉積
- 外文名：plasma ion-assisted deposition
- 所屬學科：航天科學技術
- 公布時間：2005年
公布時間,出處,
電漿離子輔助沉積（plasma ion-assisted deposition）是2005年公布的航天科學技術名詞。
電漿離子輔助沉積（plasma ion-assisted deposition）是2005年公布的航天科學技術名詞。公布時間2005年，經全國科學技術名詞審定委員會審定發布。出處《航天科學技術名詞》第一版。1...
1.離子束輔助沉積不需在真空工作室中進行氣體放電以產生電漿，可以在＜ 10Pa 中鍍膜，氣體污染減少。2.基本工藝參數(離子束能量、離子束密度) 為參數，一般不需控制氣體流量等一些非電參數，可方便地控制膜層的生長、調整膜的組成...
《電漿浸泡式離子注入與沉積技術》是2012年國防工業出版社出版的圖書，作者是湯玉寅、王浪平。內容簡介 本書主要論述用於非半導體材料表面改性的PlIl、PIIID技術相關物理與技術問題，關鍵部件及處理工藝問題。本書的主要內容包括PIIID技術...
《金屬薄膜沉積中的亞閾值能量氦引入及氦行為研究》是依託復旦大學，由施立群擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 採用自行研製的一種微波ECR電漿輔助離子束濺射沉積新技術，研究薄膜沉積中亞閾值能量的氦引入和氦存在行為。揭示ECR氦...
本項目以聚四氟乙烯（PTFE）粉料為靶材，採用真空低功率電子束蒸發及柵網輝光放電等離子處理或雷射電漿輔助技術，調節電子束高壓、束流和沉積時間等工藝參數，分別在不同基底表面沉積製備了PTFE薄膜，研究了薄膜的成分、結構和微觀形貌，...
是一種在沉積腔室利用輝光放電使其電離後在襯底上進行化學反應沉積的半導體薄膜材料製備和其他材料薄膜的製備方法。電漿增強化學氣相沉積（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition, PECVD）技術是一種在沉積腔室利用輝光放電使其電離後...
本項目提出採用甚高頻（60MHz）和低頻（2MHz）功率源驅動的共濺射、並以射頻（13.56MHz）電感耦合電漿輔助的沉積技術，以多組元Ag摻雜的非晶SiCxOy發光材料為研究對象，探索多組元薄膜材料成份、結構調控的新途徑和新機制。項目通過...
基於這一原理，本課題組在國際上率先開發了一種薄膜沉積的新方法，該方法兼有雷射燒蝕法、離子束輔助沉積法和團簇沉積法的特點，又有許多獨特之處，經過多年的理論和實驗研究，證明這是一種能人工設計和剪裁具有特殊功能的新型薄膜的先進...
電漿浸沒離子注入（PIII）或脈衝等離子摻雜（脈衝PIII）是通過套用高電壓脈衝直流或純直流電源，將電漿中的加速離子作為摻雜物注入合適的基體或置有電極的半導體晶片的靶的一種表面改性技術。電極對於正電性電漿是陰極，對於負電...
等離子設備主要適用於各種材料的表面改性處理：表面清洗、表面活化、表面刻蝕、表面接枝、表面沉積、表面聚合以及電漿輔助化學氣相沉積：表面改性 紙張粘合，塑膠粘接、金屬錫焊、電鍍前的表面處理 表面活化 生物材料的表面修飾，印刷塗布或...
其特點是沉積率高，工藝溫度低。多弧離子鍍 多弧離子鍍又稱作電弧離子鍍，由於在陰極上有多個弧斑持續呈現，故稱作“多弧”。多弧離子鍍的主要特點如下： ①陰極電弧蒸發離化源可從固體陰極直接產生電漿，而不產生熔池，所以可以...
本項目將探索採用一種新的提高薄膜雷射損傷閾值的後處理技術- - 離子後處理，即在薄膜沉積後用特定的電漿對其進行處理，使影響薄膜雷射損傷閾值的因素微缺陷、吸收率等得到一定程度的抑制，從而提高抗雷射損傷能力。研究包括後處理中...
電漿由離子、電子以及未電離的中性粒子的集合組成，整體呈中性的物質狀態。電漿可分為兩種：高溫和低溫電漿。電漿溫度分別用電子溫度和離子溫度表示，兩者相等稱為高溫電漿；不相等則稱低溫電漿。低溫電漿廣泛運用...
由輔助直流炬噴出氣流，再由同軸三相交流電對電漿繼續加熱。熱電漿射流進入旋轉離心爐，與壁材料相互作用，使其熔化。圖1d是高頻 (0.5～15兆赫)無電極的電漿裝置。電能通過線圈耦合到電漿。它的優點是可以加熱各種氣體（...
阿爾法等離子設備主要適用於各種材料的表面改性處理：表面清洗、表面活化、表面刻蝕、表面接枝、表面沉積、表面聚合以及阿爾法電漿輔助化學氣相沉積：表面改性 紙張粘合，塑膠粘接、金屬錫焊、電鍍前的表面處理 表面活化 生物材料的表面修飾，...
於2008年12月22日啟用。技術指標 背景真空: 10sup-7/supTorr；8路反應和刻蝕氣體；均有流量計精確控制；生長與刻蝕雙腔獨立；襯底工作溫度：700℃。主要功能 矽基半導體薄膜沉積與電漿刻蝕。
全方位離子注入技術及電漿輔助沉積技術 解決了高真空下磁控濺射的技術難題，實現了完全同步的全方位離子注入增強沉積，設計研製出我國第一台微波ECR放電電漿源全方位離子注入增強沉積裝置，目前已經進入第三代。在國際權威性學術刊物上...
1.2 沉積技術 1.2.1 熱輔助化學氣相沉積 1.2.2 液相外延和電鍍 1.2.3 近空間氣相輸運 1.2.4 離子輔助沉積 1.2.5 電漿增強化學氣相沉積和電子迴旋共振化學氣相沉積 1.3 增加外延層的光吸收 1.3.1 絨面襯底上的外延...
用高能雷射束射向石墨靶面，蒸發出的碳原子在脈衝電流作用下產生電弧，形成的離子轟擊基體並沉積成膜。雷射電弧法的沉積速度高，膜的含氫量低。化學氣相沉積(CVD)化學氣相沉積的主要方法有金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)，電漿輔助化學...
2.2.2電漿輔助化學氣相沉積39 2.2.3雙層輝光電漿表面合金化41 2.3雷射技術43 2.3.1雷射表面處理技術的原理及特點43 2.3.2雷射表面合金化43 2.3.3雷射化學氣相沉積44 2.3.4準分子雷射照射技術47 2.4離子束輔助沉積...
3.2.2 電漿輔助化學氣相沉積 3.2.3 雙層輝光電漿表面合金化 3.3 雷射技術 3.3.1 雷射表面處理技術的原理及特點 3.3.2 雷射表面合金化 3.3.3 雷射化學氣相沉積 3.3.4 準分子雷射照射技術 3.4 離子束輔助沉積 3....