《套用離子後處理技術提高薄膜雷射損傷閾值基礎研究》是依託深圳大學，由張東平擔任項目負責人的青年科學基金項目。
基本介紹
- 中文名：套用離子後處理技術提高薄膜雷射損傷閾值基礎研究
- 項目類別：青年科學基金項目
- 項目負責人：張東平
- 依託單位：深圳大學
- 負責人職稱：教授
- 批准號：60608020
- 研究期限：2007-01-01 至 2009-12-31
- 申請代碼：F0506
- 支持經費：28（萬元）
項目摘要
薄膜的雷射損傷問題是嚴重影響著雷射系統穩定性和限制雷射技術向高能量方向發展的主要瓶頸之一，現已成為國際上強雷射領域研究的熱點之一。提高薄膜雷射損傷閾值除了探索新的沉積方法和沉積工藝外，採用後處理技術也是提高薄膜抗雷射損傷能力的重要途徑之一。傳統提高薄膜雷射損傷閾值的後處理技術是雷射預處理，但是由於這種技術在實際有一定的不確定性，使其套用受到限制。本項目將探索採用一種新的提高薄膜雷射損傷閾值的後處理技術- - 離子後處理，即在薄膜沉積後用特定的電漿對其進行處理，使影響薄膜雷射損傷閾值的因素微缺陷、吸收率等得到一定程度的抑制，從而提高抗雷射損傷能力。研究包括後處理中電漿的種類、束流、能量、時間等在內的各參數對提高薄膜雷射損傷閾值的影響、電漿與薄膜的相互作用機理、以及後處理中電漿和薄膜種類的相關性等問題。通過該項目的研究，努力使離子後處理技術成為提高薄膜雷射損傷閾值另一種重要技術。
