離子束蝕刻(ion beam etching)是2005年公布的航天科學技術名詞。
基本介紹
- 中文名:離子束蝕刻
- 外文名:ion beam etching
- 所屬學科:航天科學技術
- 公布時間:2005年
離子束蝕刻(ion beam etching)是2005年公布的航天科學技術名詞。
離子束蝕刻(ion beam etching)是2005年公布的航天科學技術名詞。公布時間2005年,經全國科學技術名詞審定委員會審定發布。出處《航天科學技術名詞》第一版。1...
離子銑,也稱為離子束刻蝕(IBE),是具有強方向性電漿的一種物理刻蝕機理。它能對小尺寸圖形產生各向異性刻蝕。電漿通常是由電感耦合RF源或微波源產生的。熱燈絲髮射快速運動的電子。氬原子通過擴散篩進入等離子腔體內。電磁場...
離子束蝕刻還套用於減薄材料,製作穿透式電子顯微鏡試片。2.離子束鍍膜加工:離子束鍍膜加工有濺射沉積和離子鍍兩種形式。離子鍍可鍍材料範圍廣泛,不論金屬、非金屬表面上均可鍍制金屬或非金屬薄膜,各種合金、化合物、或某些合成材料、...
離子束刻蝕機是一種用於工程與技術科學基礎學科、測繪科學技術、航空、航天科學技術領域的工藝試驗儀器,於2013年07月15日啟用。技術指標 真空度1E-6mbar;最大樣品尺寸:500mm*1500mm;離子束刻蝕深度10nm-2000nm;刻蝕深度均勻性優於...
《全息離子束刻蝕同步輻射光柵微結構精密控制技術》是依託中國科學技術大學,由徐向東擔任項目負責人的面上項目。中文摘要 同步輻射光柵是指用於真空紫外及軟X射線波段的同步輻射光束線中的一類衍射光柵,是光柵單色儀的核心元件之一。目前北京...
反應離子束刻蝕系統 反應離子束刻蝕系統是一種用於物理學領域的科學儀器,於2015年12月25日啟用。技術指標 配備了6路帶質量流量計的工藝氣路: SF6, CF4,CHF3,O2,N2, Ar。主要功能 刻蝕二氧化矽、氮化矽介質膜。
離子束刻蝕作為一種可主動控制的非接觸式加工方式,可在不影響元件表面質量(包括表面粗糙度、面形、殘餘應力)的前提下有效去除或鈍化熔石英元件表面和亞表面缺陷,是一項非常有前景的技術。本項目擬採用氬離子束表面處理方法去除或鈍化熔...
反應性離子刻蝕 (reaction ionetching;RIE)是製作半導體積體電路的蝕刻工藝之一。在除去不需要的積體電路板上的保護膜時,利用反應性氣體的離子束,切斷保護膜物質的化學鍵,使之產生低分子物質,揮發或游離出板面,這樣的方法稱為反應性...
由於曝光束不同,刻蝕技術可以分為光刻蝕(簡稱光刻)、X射線刻蝕、電子束刻蝕和離子束刻蝕,其中離子束刻蝕具有解析度高和感光速度快的優點,是正在開發中的新型技術。套用 刻蝕工藝不僅是半導體器件和積體電路的基本製造工藝,而且還套用於...
4. 蝕刻終點偵測(End Point Detection)-偵測二次離子的訊號,藉以了解切割或蝕刻的進行狀況。在實際的套用上,為了有效的搜尋故障的區域或外來掉落的材料碎屑、塵埃、污染粒子(Particles)等位置,離子束顯微鏡在外圍的控制系統上,可配備...
2.3.4遠距電漿蝕刻機台 2.3.5電漿邊緣蝕刻機台 2.4電漿先進蝕刻技術簡介 2.4.1電漿脈衝蝕刻技術 2.4.2原子層蝕刻技術 2.4.3中性粒子束蝕刻技術 2.4.4帶狀束方向性蝕刻技術 2.4.5氣體團簇離子束蝕刻技術 ...
《離子束刻蝕法》是一款Android平台的套用。套用介紹 2013年的離子束刻蝕法套用涵蓋了行動在大型印度羽毛球聯賽的唯一目的就是提供接近實時的更新了,火柴,分數、照片和新聞來羽毛球愛好者和球迷世界各地。這個應用程式有分數更新,遊戲結果的...
聚焦離子束技術(FIB)是一種集形貌觀測、定位制樣、成分分析、薄膜澱積和無掩膜刻蝕各過程於一身的新型微納加工技術。聚焦的離子束在半導體行業有著重要作用,可用來切割納米級結構,對光刻技術中的禁止板進行修補,分離和分析積體電路的...
精密刻蝕噴鍍儀是一種用於材料科學領域的科學儀器,於2006年3月25日啟用。技術指標 離子束能量:1 ~ 10 keV; 搖擺角:0 ~ 90 o; 搖擺速度:0 ~ 40 o/s; 旋轉速度:10 ~ 60 rpm; 真空系統:無油機械泵+分子泵系統。
反離子蝕刻機 反離子蝕刻機是一種用於材料科學領域的物理性能測試儀器,於2008年11月30日啟用。技術指標 最大功率200W,能夠對Si、PZT等常規材料進行刻蝕。主要功能 套用於微電子材料、半導體材料。
乾法刻蝕主要形式有純化學過程(如禁止式,下游式,桶式),純物理過程(如離子銑),物理化學過程,常用的有反應離子刻蝕RIE,離子束輔助自由基刻蝕ICP等。乾法刻蝕方式很多,一般有:濺射與離子束銑蝕, 等離子刻蝕(Plasma Etching),...
Leica離子濺射刻蝕減薄儀是一種用於物理學、材料科學、機械工程、化學工程領域的科學儀器,於2011年3月16日啟用。技術指標 離子束能量:0.8~10keV,研磨角:0~90°。主要功能 主要用於透射電鏡的樣品製備,適合於陶瓷材料和金屬基複合...
刻蝕機 刻蝕機是一種用於電子與通信技術領域的工藝試驗儀器,產地為英國,於2012年5月14日啟用。技術指標 均勻性±5%。主要功能 三五簇材料的台面及溝槽刻蝕。
這些加工處理方法包括空氣或超高真空中的壓裂、切割、刮削,用於清除某些表面污染的離子束蝕刻,為研究受熱時的變化而置於加熱環境,置於可反應的氣體或溶劑環境,置於離子注入環境,以及置於紫外線照射環境等。XPS也被稱作ESCA,這是化學分析...
第5章 蝕刻技術 (280)5.1 引言 (280)5.2 濕法(化學)蝕刻 (282)5.3 電漿濺射蝕刻 (287)5.4 離子束蝕刻和離子銑 (292)5.5 基於化學作用的電漿蝕刻 (294)5.6 光刻-蝕刻後的去膠 (302)5.7 雷射...
第6章高能束微納刻蝕 6.1雷射刻蝕 6.1.1雷射刻蝕的概念與特徵 6.1.2CO2雷射刻蝕 6.1.3準分子雷射刻蝕 6.1.4飛秒雷射刻蝕 6.2電子束和聚焦離子束刻蝕 6.2.1電子束刻蝕 6.2.2聚焦離子束刻蝕 6.3電漿刻蝕 參考文獻 ...
第6章高能束微納刻蝕 6.1雷射刻蝕 6.1.1雷射刻蝕的概念與特徵 6.1.2CO2雷射刻蝕 6.1.3準分子雷射刻蝕 6.1.4飛秒雷射刻蝕 6.2電子束和聚焦離子束刻蝕 6.2.1電子束刻蝕 6.2.2聚焦離子束刻蝕 6.3電漿刻蝕 參考文獻 ...
5. 《微透鏡陣列反應離子束蝕刻傳遞研究》,光學學報,1998 6. 《折射型微透鏡陣列的非成象光學特性研究》,光子學報,1999 《大口徑光學元件波前功率譜密度檢測》,光子學報,2001 7. 《大口徑干涉儀系統傳遞函式校準》,強雷射與...
專利領域覆蓋先進光學設計、自由曲面光學元件、金剛石切削、離子束蝕刻、微型投影儀、鍍膜、微納光電感測器等超精密光學加工與檢測的所有方向。為上海和全國的企事業單位,提供光學切削、拋光、蝕刻、鍍膜、微光機電集成、超精密元件設計與製備...
8.2.1 刻蝕作用 (112)8.2.2 電勢分布 (113)8.3 電漿刻蝕 (114)8.3.1 電漿的形成 (114)8.3.2 常見薄膜的等離子刻蝕 (115)8.3.3 電漿刻蝕設備 (119)8.4 反應離子刻蝕與離子束濺射刻蝕 (120)...