基本介紹
- 中文名:雙層位勢
- 外文名:double layer potential
- 領域:數學
- 性質:法嚮導數
- 方程:拉普拉斯方程
- 曲面:李雅普諾夫曲面
概念,曲面積分,拉普拉斯方程,李亞普諾夫曲面,
概念
稱為密度為σ的雙層位勢,其中ν(x)為在x處的外法線。如果∂Ω是李亞普諾夫曲面,則對任意x∈∂Ω,有:
此式稱為雙層位勢的躍度關係。因此,可將拉普拉斯方程狄利克雷問題:
化為對σ(x)解下列積分方程的問題:
曲面積分
先看一個例子:設有一構件占空間曲面Σ,其質量分布密度函式為(密度分布)ρ(x,y,z),求構件的質量。
同樣,對於密度不均勻的物件,也不可以直接利用ρS(這裡的S代表的是面積,下同)處理問題的思想方法類似於分布在平面區域的質量問題,就需要利用曲面積分:
就是對面積的曲面積分。
曲面積分可以分別對面積的曲面積分 (第一類曲面積分)和對坐標軸的曲面積分(第二類曲面積分)。
對面積的曲面積分和對坐標軸的曲面積分是可以轉化的;兩類曲面積分的區別在於形式上積分元素的不同,第一類曲面積分的積分元素是面積元素dS,例如:在積分曲面Σ上的對面積的曲面積分:
而第二類曲面積分的積分元素是坐標平面dxdy,dydz或dxdz,例如:在積分曲面Σ上的對坐標平面的曲面積分:
拉普拉斯方程
以法國數學家、天文學家P.S.拉普拉斯(Pierre SimonLaplace)命名的偏微分方程。在電磁學、力學、熱學等學科中,拉普拉斯方程用來描述靜止場(不隨時間變化的場)的特性。令A (x,y,z)是被研究的場量(例如溫度),x、y、z是三維空間直角坐標系的三個坐標量。拉普拉斯方程的具體形式是:
採用另一種坐標系,拉普拉斯方程的形式隨之改變。為了擺脫坐標系的具體形式,常將拉普拉斯方程寫成:
靜電場中的拉普拉斯方程三維空間的某個區域Ω中充滿了同一種各向同性的線性電介質,區域Ω內沒有電荷。將Ω中的電位記作V。靜電場的規律由拉普拉斯方程▽2V=0描述。
恆定磁場中的拉普拉斯方程區域Ω中充滿了同一種各向同性的線性磁介質,Ω中沒有電流。區域Ω是單連通的。將Ω中的磁標位記作m,恆定磁場的規律由拉普拉斯方程▽2m=0描述。
恆定電場中的拉普拉斯方程區域Ω中充滿了同一種各向同性的線性導電體,Ω中沒有電動勢。導電體中的電位V滿足拉普拉斯方程▽2V=0。
拉普拉斯方程的解拉普拉斯方程的解,決定於區域Ω邊界上的場量。邊界上給定的場量稱邊界條件。因此,解靜止場的問題,通常是在給定的邊界條件下解拉普拉斯方程:①在區域形狀簡單、邊界條件簡單的條件下,可以用解析方法解拉普拉斯方程。②用實驗方法解拉普拉斯方程,即測量出區域Ω中各處的場量。③利用計算機用數值方法解拉普拉斯方程。隨著計算機技術的發展,數值方法得到廣泛的套用(見電磁場的數值計算)。
泊松方程若▽2A=0的等號右端不是0,而是空間坐標的函式,則此方程稱為泊松方程。它是以法國數學家、物理學家S.泊松(S.Poisson)命名的。例如在靜電場的情況下,若區域Ω中有電荷體密度ρ時,電位V滿足泊松方程:
其中常數ε為充滿Ω的、同一種各向同性線性電介質的電容率。
李亞普諾夫曲面
1.S被有限個n維區域覆蓋,在每個區域內的點x∈S有參數表示xi=xi(t1,t2,…,tn-1)(i=1,2,…,n),xi定義在變數t1,t2,…,tn-1的一個有界區域S內。
2.函式x1,x2,…,xn建立了與S的對應部分之間的一一對應,
3.在S內:
4.曲面S的外法線ν滿足:
若S為李亞普諾夫曲面:
則有格林公式:
其中ν為∂Ω的單位外法向,dS=Jdt1dt2…dtn-1為面積微元。