基本介紹
- 中文名:背散射分析
- 領域:物理學
背散射分析是指通過探測大角度散射離子能譜來確定靶物質特性的分析方法,一般角度介於165°~170°之間,主要套用於分析靶物質成分。背散射分析有許多的優點,例如快速...
背散射電子是被固體樣品中的原子核反彈回來的一部分入射電子。其中包括彈性背散射電子和非彈性背散射電子。 能量很高,有相當部分接近入射電子能量 E 0 ,在試樣中...
其中有通過正電子與物質相互作用來研究物質微觀結構的正電子湮沒技術、原子核無反衝的γ射線共振吸收──穆斯堡爾效應──的套用,還有離子束背散射分析、核反應分析...
電子背散射衍射,簡稱EBSD,主要特點是在保留掃描電子顯微鏡的常規特點的同時進行空間解析度亞微米級的衍射。...
電子背散射衍射(簡稱EBSD)技術是基於掃描電鏡中電子束在傾斜樣品表面激發出的衍射菊池帶的分析確定晶體結構、取向及相關信息的方法。本書系統地闡述了:EBSD技術的含義...
利用微束的離子束分析(離子束微探針)能夠測定樣品微區的元素成份和含量,通過掃描測量還可以測定樣品元素成份和含量的空間分布。離子束分析盧瑟福背散射分析 加速器...
質子束聚焦後,空間解析度達微米,可以激發微區樣品的X射線,用高能量解析度的Si(Li)半導體探測器,檢測X射線能量及其強度,實現X射線光譜分析,並可同時進行背散射分析...
透射電子顯微鏡、電子衍射、晶體薄膜衍襯成像分析、高分辨透射電子顯微術、掃描電子顯微鏡、電子背散射衍射分析技術、電子探針顯微分析、其他顯微結構分析方法及實驗指導...
盧瑟福背散射與離子溝道效應相結合,對單晶樣品近表面層的結構或摻雜原子的占位進行分析的方法。用於研究晶體表面結構,測定晶格損傷,確定雜質原子在晶格中的位置等。 ...
13.4.3背散射電子襯度原理及其套用 22913.4.4吸收電子的成像 23313.5背散射電子衍射分析及其套用 23313.5.1背散射電子衍射實驗條件...
背散射電子成像(Back scattered Electron Imaging,簡稱BSE),是依託掃描電鏡的一種電子成像技術,它的成像原理和特點非常適合用來研究那些表皮尚存的各類筆石標本,是二...
盧瑟福背散射能譜分析(RBS) 釋文:不過所測的是前向的反衝核。彈性反衝分析主要用於分析樣品表層的輕元素深度分布,現雖較多地使用重離子束,但利用能量為3百萬電子伏...