極紫外掩模缺陷

極紫外掩模缺陷是指在極紫外光刻技術中使用的掩模版上存在的缺陷總稱，比如襯底缺陷、基板缺陷等。

基本介紹

• 中文名：極紫外掩模缺陷
• 外文名：EUV Mask Defect

極紫外掩模上的缺陷對光刻工藝的良率產生影響。掩模基板上的缺陷主要有三個來源，一是源自於襯底上的缺陷殘留（占總數25%）；二是在多層膜沉積的過程中被引入的缺陷（占總數25%），三是因襯底凸陷而帶來的缺陷（占總數50%）。針對第一種來源，減小襯底上顆粒的努力方向是改進襯底清洗工藝；減小襯底凹陷的主要方法是使用化學研磨技術。

極紫外掩模基板上的缺陷檢測要求有極高的的靈敏度，必須能有效檢測出30nm以下的缺陷，主要採用多種方法相結合的量測方案。首先是使用暗場檢測設備，深埋在基板多層膜中的缺陷，會導致局部反射率的損失，也會被檢測出來。這種極紫外照明下的檢測設備比傳統的表面顆粒檢測設備更有針對性。