截面離子拋光儀

截面離子拋光儀是一種用於材料科學領域的科學儀器，於2012年6月11日啟用。

基本介紹

• 中文名：截面離子拋光儀
• 產地：日本
• 學科領域：材料科學
• 啟用日期：2012年6月11日

技術指標

離子束加速電壓：2 ~ 6 kV； 束斑尺寸：500 μm (半峰值)； 研磨速度：100 μm/1 hour (6 kV，Si)； 樣品最大尺寸(mm)：11×10×2 ； 樣品移動範圍(mm)：X：±10 、Y：±3 ； 樣品傾斜角：±5 ℃。

主要功能

利用氬離子刻蝕拋光，主要用於截面樣品的製備，適用於SEM、EBSD等；與普通拋光比較，更清晰展示材料內部結構；適合拋光焊縫截面，積體電路焊點，多層薄膜截面，顆粒、纖維斷面，複合材料、陶瓷、金屬及合金、礦物及其他無機非金屬等各種材料樣品。