外延襯底

襯底,分為繪圖襯底,和化工學襯底兩種。繪圖襯底指的是將圖片或文字充滿整個版面使其為底紋。化工學襯底最常見的為氮化物襯底材料等。...

中文名稱 外延襯底 英文名稱 epitaxial substrate 定義 具有特定晶面和適當電學、光學和機械特性的用於生長外延層的潔淨單晶薄片。 套用學科 材料科學技術(一級學科...

外延生長是指在單晶襯底(基片)上生長一層有一定要求的、與襯底晶向相同的單晶層,猶如原來的晶體向外延伸了一段。外延生長技術發展於50年代末60年代初。當時,為了...

外延是半導體工藝當中的一種。在bipolar工藝中,矽片最底層是P型襯底矽(有的加點埋層);然後在襯底上生長一層單晶矽,這層單晶矽稱為外延層;再後來在外延層上注入...

矽及鍺矽外延工藝在現代積體電路製造中套用十分廣泛,概括起來主要包括: 1.矽襯體外延:矽片製造中為了提高矽片的品質通常在矽片上外延一層純淨度更高的本徵矽,或者...

所謂外延層是指在積體電路製造工藝中,生長沉積在晶圓襯底上的那一部分。...... 所謂外延層是指在積體電路製造工藝中,生長沉積在晶圓襯底上的那一部分。...

LED外延片是一塊加熱至適當溫度的襯底基片,材料是半導體照明產業技術發展的基石。不同的襯底材料,需要不同的LED外延片生長技術、晶片加工技術和器件封裝技術,襯底...

藍寶石襯底對於製作LED晶片來說,襯底材料的選用是首要考慮的問題。應該採用哪種合適的襯底,需要根據設備和LED器件的要求進行選擇。市面上一般有三種材料可作為襯底。...

GaAs epitaxial wafer,在特定晶向[(100)或(100)偏向最近<110>2 ～5 的晶面]砷化鎵襯底上外延生長的單晶薄層材料外延工藝有LPE、VPE、MOCVD、MBE、CBE、ALE等。...

在完成對稱型嵌段共聚物薄膜的自組裝工藝開發後,需要對自組裝圖形進行誘導使其形成長程有序的圖案。具體實現方法是先在中性化襯底上製作出尺寸相對較大的誘導結構,...

GGG襯底,即釓鎵石榴石襯底,絕大部分磁泡存儲器都是在GGG襯底上製備的。這些襯底不僅是載體,而且是磁性存儲層外延生長的晶核。...

外延就是在單晶襯底上澱積一層薄的單晶層(如圖1所示)。新澱積的這層稱為外延層。外延為器件設計者在最佳化器件性能方面提供了很大的靈活性,例如可以控制外延層摻雜...

外延隔離(epitaxial isolation)是實現PN結隔離的一種常用工藝,它之所以稱為外延隔離,是因為這一隔離方法採用了外延結構。...

中文名稱 外延層厚度 英文名稱 thickness of an epitaxial layer 定義 從晶片表面到外延層 - 襯底界面的距離。 套用學科 材料科學技術(一級學科),半導體...

外延(wàiyán)是一個邏輯學名詞。適合於某一概念的一切對象,即概念的適用範圍。外延(對照)也指一個概念所概括的思維對象的數量或者範圍。...

特性 外延生長工藝epitaxy growth technology利用晶體界面上的二維結構相似性成核的原理,在一塊單晶片上,沿著其原來的結晶軸方一向再生長一層晶格完整、且可以具有不...

減壓外延是指在低於一個大氣壓下進行化學氣相外延的方法。主要用於矽外延。...... 根據襯底與外延層的摻雜種類與濃度,器件的要求,使用的壓力一般在(1.3-26)×107...

分子層外延屬於科學專有名詞。...... 分子層外延屬於科學專有名詞。中文名稱 分子層外延 英文名稱 ...加速襯底表面被吸附分子的化學分解與表面遷移,促進薄膜晶體生長...

化學氣相沉積時反應器壁被冷卻,而外延襯底被加熱,外延生長在單晶襯底上進行,而不會發生在反應器壁上的單晶薄層製備方法。 套用學科 材料科學技術(一級學科),半導體...

中文名稱 SOS外延片 英文名稱 silicon on sapphire epitaxial wafer,SOS expitaxial wafer 定義 在藍寶石襯底上外延生長的矽單晶薄膜材料。 套用學科 材料科學...

矽襯底LED晶片是GaN基在矽襯底上製造的一種led晶片,矽襯底LED晶片問世不久,但是在硬度、導電性、導熱性、價格及加工工藝上已經相較傳統LED晶片有了明顯的優勢,...