《光致抗蝕劑 : 光刻膠》是1977年科學出版社出版的圖書，作者是中國科學院化學研究所《光致抗蝕劑》組。
光致抗蝕劑及其配套化學品phntoresist agent and its con-rletc set ehetnicals光致抗蝕劑又稱光刻膠，它是一種光敏高分子聚合物。當它受到光能照射時，分子內部發生聚合或分解反應，電子一工業在微細加工中利用這種特性能得到所需...
負性光刻膠又稱光致抗蝕劑，是一種由感光樹脂、增感劑（見光譜增感染料）和溶劑三種主要成分組成的對光敏感的混合液體。簡介 感光樹脂經光照後，在曝光區能很快地發生光固化反應，使得這種材料的物理性能，特別是溶解性、親合性等...
《光致抗蝕劑 : 光刻膠》是1977年科學出版社出版的圖書，作者是中國科學院化學研究所《光致抗蝕劑》組。內容簡介 本書綜述了光致抗蝕劑（簡稱光刻膠）使用、生產與研究的現狀．重點論述了光致抗蝕劑的類型、感光機理、感光度和...
聚乙烯醇肉桂酸酯負性光刻膠(polyvinyl cinnamate negative photoersist )也稱聚肉桂酸酯負性光致抗蝕劑。其配膠組成如下。高聚物: 聚乙烯醇肉桂酸酯; 增感劑: 5-硝基苊; 溶劑: 環己酮; 添加劑: 根據需要。產品性能 淡黃色液體。
光刻技術是指在光照作用下，藉助光致抗蝕劑（又名光刻膠）將掩膜版上的圖形轉移到基片上的技術。其主要過程為：首先紫外光通過掩膜版照射到附有一層光刻膠薄膜的基片表面，引起曝光區域的光刻膠發生化學反應；再通過顯影技術溶解去除...
環化光刻膠 環化光刻膠是化學術語。環化光刻膠、又稱環化橡膠型光致抗蝕劑一系由環化大然橡膠、增感hll(或稱交聯劑，如對疊氮型化合物)、光敏劑，以適當溶3}I,
光刻膠，又稱光致抗蝕劑，是指在紫外光、電子束、離子束、X-射線等的照射或輻射下溶解度發生變化的耐蝕刻薄膜材料。光刻膠在積體電路晶片製造工藝方面占據特殊地位，積體電路的集成度越高，對光刻膠的要求也越高。2005年5月前先進...
對中、各種象差的校正、電子束斑調整、電子束流調整、電子束曝光對準標記檢測、電子束偏轉校正、電子掃描場畸變校正等一系列調整，最後通過掃描透鏡根據電子束曝光程式的安排，在塗布有電子抗蝕劑（光刻膠）的基片表面上掃描寫出所需要的...
正性光致抗蝕劑，對某些溶劑是不可溶的，光照後變成可溶物質的一類光致抗蝕劑。在材料全息記錄過程中，曝光部分吸收光子，使得分子變軟，容易被特定的顯影溶液溶解掉，而沒有曝光的地方，分子不溶於顯影液，故在顯影的過程中不被溶解...
圖像通過透鏡聚焦和縮小，然後投射到晶圓的表面上，該晶圓的表面塗覆有光致抗蝕劑的光敏材料。在步進式光刻機中曝光後，已塗覆的晶圓顯影，從而使光致抗蝕劑根據曝光期間接收到的區域的光量溶解在某些區域中。光刻膠的這些區域和沒有...
光致酸產生劑陰離子和陽離子的化學結構能夠決定或影響光致酸產生劑的特徵和性質，如不同陰離子的結構會導致光致抗蝕劑輻照後產生的光酸活性不同，不同的化學組成、形狀和尺寸也可能導致其或其共軛光酸的溶解性、擴散率、穩定性、揮發...
光刻膠 又稱光致抗蝕劑，隨著半導體電路向超高頻、高可靠、高集成方向發展。利用光刻工藝刻蝕各種精密的線條一般為 12～1μm，正在研究 0.5μm，越來越細。用作抗蝕塗層的光刻膠是光刻工藝中的關鍵材料，要求光刻膠的性能、質量也...
光致抗蝕劑 用於光加工工藝的光敏高分子，通稱光致抗蝕劑（又稱光刻膠），大量用於印刷製版和電子工業的光刻技術中。它的工作原理是受光部分發生交聯，生成難溶性的硬化膜，經加工成負像（負性膠）；或者是原來的不溶性膠受光照後...
光敏膠粘劑一般由光敏樹脂、增感劑、交聯劑、光敏劑（光引發劑）、穩定劑和溶劑等組成。其固化是在一定強度和波長的紫外光作用下實現的。這種膠粘劑一般用於透明材料（至少被膠接材料的一面應是如此）膠接和作為光致抗蝕劑（光刻膠）...
然後再塗上一層軟的易感光的塑膠（稱為光刻膠或光致抗蝕劑）。將掩模放在圓片的上方，使紫外線照射在圓片上，使沒有掩模保護的光刻膠變硬。用酸腐蝕掉沒有曝光部分的光刻膠及其下面的二氧化矽薄層，裸露的矽區部分再做進一步處理。...
未經光輻照反應的塗料則在顯影處理時溶解清除，塗屏的全過程也是光刻工藝的套用實例。在其它光刻工藝的套用中，各種感光膠（或稱光致抗蝕劑）的塗覆也常用旋塗法。不同規格聚乙烯醇的物理性能見圖1。作為感光膠，聚乙烯醇的聚合度和...
同時光致抗蝕劑（光刻膠）被曝光後其光致化學反應並未完全結束，此時需要通過一定溫度的烘烤使其反應完全，同時通過光致反應產生的活性成分在此過程中產生擴散，從而通過化學方法增強由光強分布產生的潛像，更精確的控制圖形形貌。不同的...
通過光刻裝置，可將掩膜圖形成像於塗覆有光刻膠的矽片。光刻裝置通過投影物鏡曝光，將設計的掩模圖形轉移到光刻膠上，而作為光刻裝置的核心元件，矽片邊緣保護對實現負膠工藝曝光過程矽片邊緣保護功能有重要的影響。光刻膠，也稱光致抗蝕...
如乾膜抗蝕劑、油墨、化學和電鍍銅鍍液及其添加劑、表面組裝工藝用導電漿料、清洗劑、液態阻焊光致抗蝕劑、貼片膠、導電膠、焊膏、預塗焊劑、免清和水洗工藝用焊劑等；液晶顯示器件用化工材料，如液晶、光致抗蝕劑、取向膜、膠粘劑、...
如在明膠或聚乙烯醇中加入重鉻酸鹽、在環化橡膠中加入重氮化合物。③由有光聚合能力的烯類單體直接光聚合而成。感光樹脂廣泛套用於印刷工業中製版，用作光致抗蝕劑（即光刻膠）、紫外光固化塗料、光敏油墨、光固化粘合劑 ...
光學掩模版在薄膜、塑膠或玻璃基體材料上製作各種功能圖形並精確定位，以便用於光致抗蝕劑塗層選擇性曝光的一種結構。掩膜版套用十分廣泛，在涉及光刻工藝的領域都需要使用掩膜版，如IC（Integrated Circuit，積體電路）、FPD（Flat Panel ...
因此，對於先進光刻工藝，需要對環境中、襯底表面的鹼性物質含量進行控制，最簡單的可以使用底部抗反射塗層和頂部抗反射塗層來隔絕源於襯底和環境對光致抗蝕劑的污染。氨污染防治小知識 由於室內空氣污染並不是一時能夠解決的問題，特別是...
燈的波長必須與所使用的紫外感光膠所吸收的波長一致，一般當光致抗蝕劑的增敏感波長由普通紫外向遠紫外移動時，由於光的波長縮短，衍射效應減弱，能量增加，將因之提高其解析度和感光度。聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）在2150A，聚甲基異丙基...
積體電路製造工藝光刻模組中，一種抗蝕劑曝光後可以同時進行正性顯影和負性顯影的技術。定義 所謂雙性顯影，是在旋塗完光刻膠並完成曝光後，可以同時進行正性顯影和負性顯影的技術。原理 在光致抗蝕劑進行正常的曝光工藝後，對潛影的...
