光發射電子顯微術(photoemission electron microscopy)是2018年公布的生物物理學名詞,出自《生物物理學名詞》第二版。
基本介紹
- 中文名:光發射電子顯微術
- 外文名:photoemission electron microscopy
- 所屬學科:生物物理學
- 公布時間:2018年
光發射電子顯微術(photoemission electron microscopy)是2018年公布的生物物理學名詞,出自《生物物理學名詞》第二版。
光發射電子顯微術(photoemission electron microscopy)是2018年公布的生物物理學名詞,出自《生物物理學名詞》第二版。定義一種對表面結構、電子態、化學反應等表面物理化學性質進行原位、動態研...
場發射電子顯微術是指藉助樣品針尖的場致電子發射及其放大圖象而觀察表面結構的研究方法。簡介 單晶樣品製成針狀,針尖曲率半徑約100nm,經浸蝕而成。樣品置於超高真空中(~10Pa),並作為陰極。在陽極正電壓所造成的電場(約10⁷V /cm)中,針尖發射電子電子飛向螢光屏發射電流I取決於電場強度F及發射表面的功函式ρ...
線偏振光以與樣品表面小於15°角的方向入射,若是s 偏振,則電矢量與樣品表面平行;若是p偏振,則電矢量與樣品表面法線成15°角。利用能量位於Ni L 吸收邊的線偏振光拍攝得到的Ni(100) 表面上的反鐵磁疇的光電子發射像,呈現出Ni 表麵條狀的反鐵磁疇結構。全息顯微術 已經知道,像是依靠吸收襯度( 光的振幅)...
電子顯微鏡,簡稱電鏡,英文名Electron Microscope(簡稱EM),經過五十多年的發展已成為現代科學技術中不可缺少的重要工具。電子顯微鏡由鏡筒、真空裝置和電源櫃三部分組成。電子顯微鏡技術的套用是建立在光學顯微鏡的基礎之上的,光學顯微鏡的解析度為0.2μm,透射電子顯微鏡的解析度為0.2nm,也就是說透射電子顯微鏡在...
透射電子顯微鏡(Transmission Electron Microscope,簡稱TEM),可以看到在光學顯微鏡下無法看清的小於0.2um的細微結構,這些結構稱為亞顯微結構或超微結構。要想看清這些結構,就必須選擇波長更短的光源,以提高顯微鏡的解析度。1932年Ruska發明了以電子束為光源的透射電子顯微鏡,電子束的波長要比可見光和紫外光短得多,...
電子顯微學是用電子顯微鏡研究物質的顯微組織、成分和晶體結構的一門科學技術。簡介 電子顯微鏡是用一束電子照射到樣品上並將其組織結構細節放大成像的顯微鏡。根據成像特點,目前廣泛使用的電子顯微鏡有:①透射電子顯微鏡;②掃描電子顯微鏡;③掃描透射電子顯微鏡。透射電子顯微鏡 (transmission electron micro-scopy,...
綜述了低能電子顯微術(LEEM)、低能電子投影顯微術、彈道電子發射顯微術(BEEM)、光發射電子顯微術(PEEM)等低能電子顯微方法,介紹了這些方法得到的許多結果。在材料研究中的套用 套用電子顯微術———選區電子衍射和成像、高分辨電子成像和電子能量損失譜研究兩種材料的例子。電子衍射和相關理論的計算結果表明,0.2%碳鋼經...
掃描發射電子顯微鏡是一種用於物理學領域的分析儀器,於2007年9月28日啟用。技術指標 解析度二次電子(SE)成像:高真空模式:30kV時 1.2 nm;1kV時 3.0nm 低真空模式:30kV時 1.5 nm;3kV時 3.0nm ESEM?環境真空模式: 30kV時 1.5 nm 背散射電子(BSE)成像:30kV時 2.5 nm 放大倍數高真空模式: 12x...
在STED顯微術中,有效螢光發光面積的減小是通過受激發射效應來實現的。一個典型的STED顯微系統中需要兩束照明光,其中一束為激發光,另外一束為損耗光。當激發光的照射使得其衍射斑範圍內的螢光分子被激發,其中的電子躍遷到激發態後,損耗光使得部分處於激發光斑外圍的電子以受激發射的方式回到基態,其餘位於激發光斑...
場離子顯微術(Field Ion Microscopy,FIM) 是於1951 年由Muller 所發明,其前身乃場發射顯微術(Field EmissionMicroscopy,FEM)。FEM在1936 年被發明。簡介 FIM 是於1951 年由Muller 所發明,其前身乃場發射顯微術(Field Emission Microscopy,FEM)。FEM在1936 年被發明,Müller 為了觀察此種場電子的角分布圖像,於是...
掃描電子顯微的解析度介於光學顯微鏡和透射電子顯微鏡之間。但在對厚塊試樣的觀察進行比較時,因為在透射電子顯微鏡中還要採用復膜方法,而復膜的解析度通常只能達到10 nm,且觀察的不是試樣本身,因此,用掃描電子顯微鏡觀察厚塊試樣更有利,更能得到真實的試樣表面資料。⑤觀察試樣的各個區域的細節。試樣在樣品室中可動...
場發射電子顯微平台是一種用於藥學、材料科學領域的分析儀器,於2015年12月29日啟用。技術指標 二次電子(SE)成像加速電壓0至30kV放大倍數15x至500000x高性能透鏡系統,物鏡光闌三個可在真空外調節,無需拆卸鏡筒即可更換物鏡光闌。主要功能 用於各種材料的形貌觀察,如金屬、納米顆粒和粉末、多孔物質、電子器件、陶瓷、...
X射線光電子能譜技術(XPS)是電子材料與元器件顯微分析中的一種先進分析技術,而且是和俄歇電子能譜技術(AES)常常配合使用的分析技術。由於它可以比俄歇電子能譜技術更準確地測量原子的內層電子束縛能及其化學位移,所以它不但為化學研究提供分子結構和原子價態方面的信息,還能為電子材料研究提供各種化合物的元素組成...
Schottky場發射槍;加速電壓範圍:50kV-200kV;TEM放大倍數:25x-1000,000x;點解析度:0.24nm;線解析度:0.10nm;信息解析度≤0.15nm。主要功能 可對金屬、無機非金屬材料、陶瓷材料和各種納米材料進行透射電子顯微像,高分辨像,電子衍射,掃描透射分析,能譜微區點、線和面的元素成分分析。對樣品進行能量...
高分子材料等方面的表面形貌觀察、粒度測量、積體電路質量檢驗、斷口分析、失效分析等。 2. 背散射電子像(BSE)背散射電子可顯示出試樣微區原子序數或化學成分的差異,即試樣的成分襯度。根據背散射電子像的亮暗程度,可判別出相應區域的原子序數的相對大小,由此可對陶瓷、金屬或合金等材料的顯微結構進行分析。
另外,在掃描電子顯微鏡上還可進行電子通道花樣分析,從而可研究試樣微區的晶體學位向、晶體對稱性、應變程度和位錯密度等問題。在機械工業中,掃描電子顯微鏡常用以作機械零件的斷裂失效分析。圖4為奧氏體不鏽鋼應力腐蝕斷口的掃描電子顯微圖象。 參考書目 陳世補、王永瑞:《金屬電子顯微分析》,機械工業出版社,...
高分辨場發射電子顯微鏡 高分辨場發射電子顯微鏡是一種用於化學領域的分析儀器,於2014年10月1日啟用。技術指標 解析度1.0nm(15kV,4mm)。主要功能 形貌觀察。
場發射高分辨電子顯微鏡 場發射高分辨電子顯微鏡是一種用於物理學、材料科學領域的分析儀器,於2005年8月6日啟用。技術指標 性能指標:點解析度0.19 nm,線解析度0.14 nm,EELS能量譜解析度0.7 eV,EDS能量解析度136 eV。主要功能 固體材料結構和成分分析。
次級電子發射顯微術 次級電子發射顯微術(secondary electron emission microscopy)是2019年公布的物理學名詞。公布時間 2019年,經全國科學技術名詞審定委員會審定發布。出處 《物理學名詞》第三版。
在針尖狀的金屬或導體樣品上,加上很高的正電壓,造成強大的正電場;反之若加很高的負電壓產生負電場,將造成電子發射,稱為“場發射顯微鏡”,也是由穆勒首創。當氣體分子靠近此金屬或導體樣品表面時,此強大的正電場改變了氣體原子中電荷的分布,氣體分子被極化而受電場吸引向針尖飛去。當氣體分子相當靠近此具有高...
5.4.1 場致電子發射的性能參數及材料選擇 5.4.2 場致發射陰極的結構和工藝 5.4.3 新型場致發射材料 5.5 場致發射陰極的套用 5.5.1 顯微技術 5.5.2 微波真空電子器件 5.5.3 爆發式電子發射 5.5.4 場發射顯示器 5.5.5 場發射光源 5.5.6 感測技術 第6章 光電子發射 6.1 金屬的光電子發射...
場發射掃描電子顯微觀測分析設備 場發射掃描電子顯微觀測分析設備是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2013年12月4日啟用。技術指標 0.8nm@15kv,1.6nm@1kv。主要功能 材料表面形貌分析。
這一技術的不足在於其圖像獲取、計算對計算機的依賴性高,圖象獲取時間相對較長,實驗時除要分析的層面被激發外,細胞內其他部位也被激發, 增加了螢光染料的光淬滅,對某些容易被光淬滅的染料會造成明顯的影響;隨著計算機和攝像技術的發展,這些問題也在逐步解決。共聚焦顯微技術的相關技術 染色劑的選擇 隨著螢光分析...
掃描透射電子顯微鏡是指透射電子顯微鏡中有掃描附屬檔案者,尤其是指採用場發射電子槍作成的掃描透射電子顯微鏡。掃描透射電子顯微分析是綜合了掃描和普通透射電子分析的原理和特點而出現的一種新型分析方式。掃描透射電子顯微鏡是透射電子顯微鏡的一種發展。掃描線圈迫使電子探針在薄膜試樣上掃描,與掃描電子顯微鏡不同之處...
同時在PEEM電子光學系統的研製中第一次引入鏡面透鏡的方式完成像差矯正功用,套用半球能量分析器中止光電子的能量選擇,採用場發射電子槍用於低能電子顯微成像和微區電子衍射,別離深紫外雷射技術,使得該系統能夠完成在高空間分辨條件下的表面化學和表面結構的動態原位研討,是一套世界搶先並且功用共同的表面研討平台。該...
同時,標配自主研製的高像素CMOS相機,在低電子劑量的工況下仍可呈現豐富的樣品細節。該場發射透射電鏡利用被加速到120千電子伏特的高能電子與被觀測樣品中的原子發生相互作用,檢測透射電子攜帶的樣品信號轉化為顯微放大的圖像,可以用來觀察材料樣品中的原子排列結構、細胞組織樣品的精細超微結構、病毒和生物大分子複合體...
因此, 對可見光來說,光學顯微鏡空間分辨極限~ 250 nm 。從套用的角度,傳統的光學顯微術無法滿足更高的解析度要求。生命科學中大量的事實表明細胞的動力學特徵是起源於單個蛋白質分子的聚合和相互作用,這就要求發展超高解析度的成像技術,從而在分子尺度上探測細胞生命活動的細節。在這種需求下, 20 世紀 30 年代電子...
100kV分析電鏡,場發射槍掃描透射電鏡及能量選擇電鏡等,透射電鏡將又一次面臨新的重大突破;掃描電子顯微鏡方面主要有:分析掃描電鏡和X射線能譜儀、X射線波譜儀和電子探針儀、場發射槍掃描電鏡和低壓掃描電鏡、超大試樣室掃描電鏡、環境掃描電鏡、掃描電聲顯微鏡、測長/缺陷檢測掃描電鏡、晶體學取向成像掃描電子顯微術和...
90 年代,光學和電子技術的發展產生了更穩定和更強的雷射、更高效的掃描鏡片組、高效能的光纖、更精細的鍍膜技術和更低噪音的檢測器。此外,更多的適合固定波段激發的螢光染料也被不斷的合成。相應的計算機處理器速度快速發展,圖像顯示技術增強和大容量的存儲設備的產生也都在實際上推動了雷射掃描共聚焦顯微鏡套用的...