光學鄰近效應修正

光學鄰近效應修正

光學鄰近效應修正(Optical Proximity Correction,OPC)就是使用計算方法對掩模版上的圖形做修正,使得投影到光刻膠上的圖形儘量符合設計要求,是一種光刻解析度增強技術

基本介紹

  • 中文名:光學鄰近效應修正
  • 外文名:Optical Proximity Correction (OPC)
套用條件,基於經驗的光學鄰近效應修正,基於模型的光學鄰近效應修正,
OPC主要在半導體器件的生產過程中使用。在光刻工藝中,掩模上的圖形通過曝光系統投影在光刻膠上,由於光學系統的不完善性和衍射效應,光刻膠上的圖形和掩模上的圖形不完全一致。這些失真如果不糾正,可能大大改變生產出來的電路的電氣性能。

套用條件

一般來說,當晶圓上的線寬小於曝光波長時,必須對掩模上的圖形做鄰近效應修正。例如,使用248nm波長光刻機,當圖形線寬<250nm時,必須使用簡單的修正;當線寬<180nm時,則需要非常複雜的修正。使用193nm波長光刻機,當最小線寬<130nm時,就必須做圖形修正。

基於經驗的光學鄰近效應修正

光學鄰近效應修正首先於250nm技術節點被引入報導光刻工藝中。OPC軟體根據事先確定的規則對設計圖形做光學鄰近效應修正。這種方法的關鍵是修正規則,它規定了如何對各種曝光圖形進行修正。其形式與內容會極大的影響OPC數據處理的效率和修正的精度。修正規則是從大量實驗數據中歸納出來的,隨著計算技術的發展,修正規則也可以通過計算的方法產生。修正規則都是在一定光照條件下產生的。如果光刻工藝條件發生了變化,這些修正規則必須重新修訂。

基於模型的光學鄰近效應修正

基於模型的光學鄰近效應修正從90nm技術節點開始被廣泛套用。它使用光學模型和光刻膠化學反應模型來計算出曝光後的圖形。該方法的關鍵是建立精確的光刻模型,包括光學模型和光刻膠模型,為達到較高的計算速度,這些模型都採用近似模型,其中包含一系列參數,需要實驗數據來進行擬合,以保證模型的精確度。顯然實驗數據越多,模型擬合越精確。但是太多的測試圖形會使得晶圓數據的收集量太大。因此,測試圖形的設計非常關鍵。

相關詞條

熱門詞條

聯絡我們