基本介紹
- 中文名:光學鄰近效應修正
- 外文名:Optical Proximity Correction (OPC)
光學鄰近效應修正(Optical Proximity Correction,OPC)就是使用計算方法對掩模版上的圖形做修正,使得投影到光刻膠上的圖形儘量符合設計要求,是一種光刻解析度增強技術...
光學鄰近效應 (Optical Proximity Effect, OPE)是由於部分相干成像過程中的非線性空間濾波,像強度頻譜的能量分布和位相分布相對理想像頻譜有一定畸變,並最終大大降低...
極紫外光學鄰近效應修正是套用於極紫外光刻中的光學鄰近效應修正技術。...... 極紫外光學鄰近效應修正是套用於極紫外光刻中的光學鄰近效應修正技術。中文名 極紫外光...
電子束曝光中的鄰近效應修正技術[J]. 微細加工技術, 2000(1):16-20. 3. 杜驚雷, 黃奇忠, 姚軍, et al. 雷射直寫鄰近效應的校正[J]. 光學學報, 1999,...
opc,指的是光學鄰近校正,作用是彌補衍射造成的圖像錯誤。... 光學鄰近效應修正首先於250nm技術節點被引入報導提光刻工藝中。OPC軟體根據事先確定的規則對設計圖形做光...
邊緣放置誤差是用來衡量光學鄰近修正質量的指標,邊緣放置誤差小意味著曝光後的圖形和設計圖形接近。修正軟體在運行時移動邊緣位置,並計算出對應的邊緣放置誤差。這個...
在積體電路設計版圖中的稀疏圖形周圍添加一些細小的圖形,使稀疏圖形在光學角度上...先導光刻中的光學鄰近效應修正. 微納電子技術(中文核心期刊). 2014:186-193....
這時,光刻工藝解析度的提高完全依賴於所謂的解析度增強技術,包括最佳化光照條件使得圖形的解析度達到最佳、光學鄰近效應修正和添加曝光輔助圖形。2010年左右出現的光照條件...
光學鄰近效應修正(optical proximity collection)光刻材料研發和評估;勻膠顯影設備(track)研發韋亞一代表論著 編輯 Advanced processes for 193nm immersion lithography,...
這類在孤立和密集特性之間的“MEEF差距”可能有助於解釋光學鄰近效應修正(OPC)對疏密偏差的敏感性[2] 。參考資料 1. 韋亞一.超大規模積體電路先進光刻理論與...
第7章光學鄰近效應修正與計算光刻第8章光刻工藝的設定與監控第9章晶圓返工與光刻膠的清除第10章雙重和多重光刻技術第11章極紫外(EUV)光刻技術...
所謂RET是指採用移相掩模(PSM)、光學鄰近效應修正(OPC)等措施,進一步提高解析度。值得指出的是:現代曝光技術不僅要求高的解析度,而且要有工藝寬容度和經濟性,如在...
7.7.4光學鄰近效應修正7.7.5二重圖形技術7.7.6浸沒式光刻7.7.7極紫外光刻參考文獻第8章乾法刻蝕8.1引言8.1.1等離子刻蝕...