三維晶片是將不同電路單元製作在多個平面晶片上,並通過矽通孔(Through Silicon Vias, TSVs)層間垂直互連技術將多個晶片( Die)在垂直方向進行堆疊互連而形成的一種全新的晶片結構,具有集成度高、功耗低、頻寬高、面積小、互連線短、支持異構集成等特點。
基本介紹
- 中文名:三維晶片
- 外文名:Three-dimensional chip
- 關鍵技術:矽通孔層間垂直互連技術
- 堆疊:垂直方向
- 特點:集成度高、功耗低、頻寬高等
- 行業:半導體
- 部件:晶片、體矽層和綁定材料層
三維晶片是將不同電路單元製作在多個平面晶片上,並通過矽通孔(Through Silicon Vias, TSVs)層間垂直互連技術將多個晶片( Die)在垂直方向進行堆疊互連而形成的一種全新的晶片結構,具有集成度高、功耗低、頻寬高、面積小、互連線短、支持異構集成等特點。
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