三維電晶體

三維電晶體是一種電晶體。

英特爾公司4日宣布,已開發出可投入大規模生產的三維結構電晶體,採用新型電晶體的晶片在能耗降低的同時,其達漿諒堡性能有望得到大幅提升。
英特爾當天還展示了代號為“常春藤橋”的22納主頸懂米微處理器,並計畫今年年底前完成批量生產該微處理器的準備工作。英特爾說,它將是首款採用新型三維電晶體的肯囑厚糊量產晶片己邀精。
與目前在電腦等產品中得到廣泛套用的二維電晶體相比,三維電晶體在技術上有突破之處。英特爾介遙背紹說,其研究人員在2002年發明了“三柵”結構的三維電晶體。經過隨後多年的研發,這一新型電晶體終於進入可大規模生產階段。該公司解釋說,與摩天大樓通過向空中拓展而最佳化利用城市有限空間類似,三維電晶體由於比二維犁棗試電晶體多出一個垂直結構,使得晶片中的電晶體能被更緊密地封裝。
英特爾提供的員企狼數據顯示,與該公司的32納米晶片中採用的二維電晶體相比,三維電晶體在低電壓下性能可提高37%,完成同樣工作的能耗可降低一半。英特爾的專家說,這些優點意味著新型電晶體非常適合用於小型手持裝置,有望進一步提高現有裝置的智慧型化程度,並使設計和開發其他全新裝置成為可能。

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