世界上第一個3-D三維電晶體“Tri-Gate”由Intel於2011年5月6日宣布3D三維電晶體。
基本介紹
- 中文名:3-D三維電晶體
- 外文名:Tri-Gate
- 生產商:Intel
- 生產時間:2011年5月6日
世界上第一個3-D三維電晶體“Tri-Gate”由Intel於2011年5月6日宣布3D三維電晶體。
世界上第一個3-D三維電晶體“Tri-Gate”由Intel於2011年5月6日宣布3D三維電晶體。...... 世界上第一個3-D三維電晶體“Tri-Gate”由Intel於2011年5月6日宣布...
三閘極電晶體(Tri-gate)三閘極電晶體被Intel使用在自家的Ivy BridgeandHaswell處理器上。此元件將一個閘極堆疊在兩個垂直放置的閘極上面,此電子多了三倍的可...
雙極性電晶體的三個極,分別由N型跟P型組成發射極(Emitter)、基極(Base) 和集電極(Collector);場效應電晶體的三個極,分別是源極(Source)、柵極(Gate)和漏極(...
而3D電晶體又稱3D Tri-Gate,它是在原有電晶體結構上的一次創新,其源極(Source)由平面結構變為立體結構,與柵極(Gate)的接觸面由1個變為3個。這樣的設計可更...
英文名:Tri-Gate Wizard卡片種類:連線怪獸卡片密碼:32617464使用限制:無限制種族:電子界屬性:地攻擊力:2200LINK:3LINK標記:[↑][←][→]罕見度:金字UR...
3D晶片是採用3D Tri-Gate晶體設計製造工藝技術,依靠3D三門電晶體生產的處理器晶片。...
2003年9月,AMD公布了採用全耗盡型絕緣矽(Fully-depleted SOI,FDSOI)、矽鍺、三柵(Tri-Gate)和鎳矽金屬柵(NiSi)的柵長為20納米的矽電晶體。IBM則已開始致力...
Zhang, Z. Li. Simulation of high-power 4H-SiC MESFETs with 3D tri-gate structure. Electronics Letters, 2007, 43 (12): 92-94....
稱為三柵極(Tri-Gate)的革命性3-D電晶體設計(英特爾曾在2002年首次披露),並於今年底投入批量投產研發代號Ivy Bridge的22納米英特爾晶片。...
另有訊息稱,英特爾基於22nm更低功耗與3D三維電晶體“Tri-Gate”技術結合的Atom晶片將在2013年推出,而14nm的Atom晶片則需等至2014年。...
IntelBaytrail-T採用22nm工藝,首次使用3-DTri-Gate電晶體晶片,耗電不及2D電晶體32納米晶片的一半。該機採用Silvermont微架構,相比ARMA9架構,同功耗下性能可提升3倍...
3D三維電晶體,Intel於2011年5月6日宣布了所謂的“年度最重要技術”——世界上第一個3-D三維電晶體“Tri-Gate”。電晶體是現代電子學的基石,而Intel此舉堪稱...